一种高速高集成度MaskROM的设计与研究

MaskROM在MCU设计应用中扮演着重要角色,而高速、高集成度是未来发展趋势。设计了一种混合结构MaskROM,兼有NAND的高集成度以及NOR的快速读出优点。子模块中串联的管子越多,集成度越高,但速度会降低。通过对行译码进行小的子模块划分,阵列被划分为多个子模块并联。选择每个子模块为5个MOS管串联,这样既能提高集成度又能保持快速读出的特点。在选中的子模块中,被进一步选中的WL(Word Line)为低,其他WL为高,串联的bit被导通的MOS管短路掉4行,WL为低的那一行MOS管关闭,从而其MOS管两端有没有被金属短接决定了cell是否产生电流。行译码的方式可以很容易地通过数学公式进行归纳和理解。SA采用伪差分方式,通过预设offset方式实现cell的快速读出。基于0.18μm 2P5M EEPROM工艺设计实现了一款32 K×34bit的MaskROM,芯片测试结果表明,在典型条件下其读出速度能达到170 MHz。

一种高速MaskROM的设计研究

文章分析讨论了掩模只读存储器的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个高速的576k位MaskROM的设计与实现。针对字线负载大、速度慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使MaskROM的读取时间有较大提高。该款MaskROM采用0.5μm CMOS工艺,电源电压5V,读取时间约为12ns,单位功耗约为1.06 mW/MHz。

嵌入式MaskROM的设计研究

为满足数字多媒体技术的应用需要,设计了一种1 M×16 bit的嵌入式掩膜只读存储器,研究了各功能模块的原理、性能优化方案以及大容量、高速、低功耗的高性能嵌入式Mask-ROM设计方法。该型Mask-ROM采用0.18μm CMOS工艺,电源电压1.8 V,访问时间约为30 ns(33 MHz),单位功耗为1.09 mW/MHz。

一种基于FLATCELL结构的MASKROM芯片设计

文章介绍了一种高密度的掩模式只读存储器CMOS集成电路及其工作原理,它所采用的是平坦式离子植入绝缘工艺的存储单元结构,能使电路在有限的面积内获得较高的集成密度。重点讨论存储单元的物理原理和逻辑结构,相应的外围电路模块的电路设计与功能实现。