小牛胸腺DNA的MeV重离子辐照研究

重离子辐照DNA分子的研究都集中在SSB和DSB方面,研究辐照产生的除SSB和DSB以外的产物对研究相关的机理很重要,特别是检测组成DNA的基本单元,如碱基,核苷等的生成量和生成规律。本实验用琼脂糖凝胶电泳验证了小牛胸腺DNA辐照产物分片断主要集中在831bp附近,用MALDI-TOF检测证明在1000—30000质荷比范围内没有可检测到的生成物,HPLC分析表明有生物小分子生成,在小分子到链断裂碎片间没有或很少其它产物,说明MeV离子轰击DNA分子造成的损伤并非随机的。

1.55MeV^3He离子辐照单晶Si引起的损伤效应研究

室温下使用1.55 MeV、5×1015×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分析(NRA)技术研究了3He气体原子的热解吸。结果显示,低注量3He离子注入在Si中产生的缺陷主要为一些小尺寸的位错或位错环;在中等照射剂量,退火导致了气泡和气泡团簇的形成并伴随着高密度的位错环从这些气泡团簇中发射出来;而对于较高的照射剂量,3He离子注入加上随后的高温退火则在离子射程附近产生了一个具有确定边界的空腔带。结合NRA结果对实验现象进行了分析。

MeV能量离子在生物样品中的能量损失与能量离散

为了研究MeV能量离子在生物样品中的能量损失与能量离散,分别使用1.0,1.8和2.8MeV质子和4.5MeV氦离子分别辐照不同质量厚度的洋葱内表皮膜。当质子穿过该生物样品后,可以利用透射能谱测量透射离子的能量损失和能量离散。实验结果显示,在以上的生物样品中,MeV能量离子的能量损失值和TRIM程序模拟的结果相吻合,但是透射离子的能量离散值却与TRIM程序模拟结果有很大的不同。结合生物样品的结构不均匀的特性,对Bohr能量离散理论进行了修正,并发现修正后的Bohr能量离散理论计算结果与实验值符合得很好。

MeV原子团簇离子束的产生、鉴定及其与固体的作用

介绍了北京大学 2× 1.7MV串列静电加速器实验室开发能量为MeV/atom的原子团簇离子束的情况以及对这些团簇离子束的鉴定手段。应用这些团簇离子束 。

用串列静电加速器获取MeV高能团簇离子束

利用复旦大学现有的串列静电加速器（ＮＥＣ９ＳＤＨ—２）获得了能量为１—４ＭｅＶ的硼、碳、硅及金等小型高能团簇离子束：Ｂｎ＋（ｎ＝２）、Ｃｎ＋（ｎ＜１０）、Ｓｉｎ＋（ｎ＝２，３，４）以及Ａｕｎ＋（ｎ＝２）；束流强度与团簇的种类和所含的原子数有关，为０．１—１００ｎＡ量级。注入加速器的低能团簇负离子由铯溅射离子源（ＳＮＩＣＩＩ）产生，高能团簇正离子的质量鉴别用磁分析器完成。高能碳团簇负离子Ｃ８－在与剥离气体分子Ｎ２碰撞过程中形成的团簇碎片质量谱显示出与碳团簇结构有关的奇偶效应。

MeV重离子引起金属膜耐蚀性变化

本文叙述了在５．３０× １０１２－１．５８×１０１５Ｃｌ＋＋／ｃｍ２剂量范围内，用３．０２ＭｅＶＣｌ＋＋离子轰击金／金系统，研究了金属膜耐蚀性的改变。在 Ｎｉ、 Ｔｉ和 Ａｇ膜中主要研究了 Ａｇ膜对空气和化学试剂的耐蚀性同剂量间的关系，并指出了用 Ｍｅｖ重离子轰击 Ａｇ－Ｃｕ和 Ａｎ－Ｖ系统时， Ａｇ膜耐大气腐蚀大为改善。就所研究的金属膜而言，随着剂量的增加膜的耐化学腐蚀性增强。

两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质

２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。

GIC41172×1.7MV串列加速器的运行、改进和应用

介绍北京师范大学分析测试中心GIC 4117型2×1.7MV串列加速器近几年来的运行及应用情况。通过将实验过程中的数据采集和控制系统移到加速器大厅外新建的控制室,改善实验环境;建立外束引出装置,实现外束PIXE分析;利用多离子束分析方法对气溶胶样品中的轻元素含量进行分析。

15.14 MeV/u ^(136)Xe离子引起的单粒子效应(英文)

研究了 1 5.1 4MeV/u136 Xe离子在不同批次的 3 2k× 8bits静态存储器中所引起的单粒子效应 .获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系 .将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系 ,而不是线性能量转移(LET)值 .估计了灵敏体积的深度和死层的厚度 .