制备条件对拟薄水铝石晶粒度与孔结构的影响

采用反应结晶法,以偏铝酸钠、硫酸铝为原料,制备了一系列拟薄水铝石样品.用X射线衍射、氮吸附脱附、扫描电镜等方法分析了制备条件对拟薄水铝石晶粒度与孔结构的影响.实验结果表明:拟薄水铝石的平均晶粒度随pH值、温度及老化时间的增加而增加;较低pH值或温度下生成无定形凝胶,较高的pH值或温度下生成了薄水铝石或β-三水铝石;温度升高与老化时间增加可分别有利于大孔的形成与整体孔数量的增加;晶粒度较大的单一拟薄水铝石样品,其表面积与孔容也较大.在pH值为8.6、反应温度75,℃及老化时间2,h的优化制备条件下,拟薄水铝石具有单一晶相,平均晶粒度为4.58,nm,比表面积为342,m2/g,孔容为0.533,cm3/g,平均孔径约为3,nm,形貌如绒毛球状.

氮对纳米硅氮薄膜品化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜结果表明：当Ｎ＿２／ＳｉＨ＿４气体流量比（Ｘｎ）从１增加为４时，薄膜的晶态年从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｕｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２．当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜．当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０￣（－５）（Ωｃｍ）￣（－１）降至１０￣（－１１）（Ωｃｍ）￣（－１），具有逾渗行为，这与薄膜的晶态率紧密相关．

纳米粒子的平均晶粒尺寸和晶格畸变的同时测定

本文使用积分宽度法同时确定了纳米CeO_2粒子的平均晶粒尺寸和晶格畸变率,讨论了使用X射线衍射数据同时计算纳米粒子的平均晶粒尺寸和晶格畸变的方法,以及应用Gaussian/Cauchy型方程进行数据处理的具体细节。研究结果说明,当计算纳米微晶的晶格畸变时,现有的一些简单计算方法可能使计算出来的晶格畸变值严重失实。

搅拌釜内氯化钾降温结晶的实验研究

在50 L结晶罐中,通过降温结晶的方法,提纯KCl固体。采用间歇动态法,考察了搅拌转速、降温速率、搅拌器位置、晶种加入量对KCl晶体过程的粒度分布影响。实验结果表明,以上因素均会对晶体的成核、生长产生影响。操作条件控制在270 r/min、晶种量390 g、冷却水流量0.43 m3/h、搅拌器位置C/H=0.22(C,搅拌器离底高度;H,液位高度),可以得到晶体粒径分布集中、粒径较大的KCl晶体颗粒。

硫酸镍间歇结晶过程的工艺优化

文章采用聚焦光束反射测量仪(FBRM)研究了硫酸镍间歇结晶过程晶体的成核和生长规律,考察了搅拌桨形式、降温方式、搅拌速率、晶种添加量和晶种粒度对结晶过程中结晶动力学的影响。结晶工艺条件优化后,得到了粒径大、晶型好、分布均匀的晶体产品,为硫酸镍间歇结晶过程的工艺优化和工业放大提供了依据。

高分子网络凝胶法制备纳米氧化锌的工艺控制(英文)

以乙酸锌[Zn(Ac)2]为原料,丙烯酰胺(AM)为单体,N,N’-亚甲基双丙烯酰胺(MABM)为网络剂,采用高分子网络凝胶法制备了纳米ZnO粉体,研究了其制备过程中反应物浓度、引发剂(NH4)2S2O8含量、溶液的pH值及各反应条件对纳米ZnO晶粒尺寸的影响。X射线衍射分析结果表明:纳米ZnO颗粒的平均晶粒大小随Zn2+起始浓度及引发剂含量的增加而增加,随溶液pH值的增加而减小。确定了用高分子网络凝胶法制备纳米ZnO粉体的最佳工艺参数为:反应温度80℃;反应时间2h;干燥温度100℃;干燥时间4h。

不同搅拌桨对反应结晶效果的影响

在直径为0.285 m的立式搅拌槽中,通过测定氯化钾溶液结晶的平均粒径、分布以及不同桨型的混合时间,对CBY桨、锚式桨等桨型在反应结晶过程中的效果进行了实验研究。结果表明,大直径(D/T=0.67)的下压式两叶CBY+三叶后掠桨的组合,最适用于反应结晶过程,而工业中适用于降温结晶操作的锚式桨,不能同时满足结晶与反应的要求。晶体平均粒径dm与叶端线速度v的0.15~1.76次方成反比,晶体大颗粒分数x(0.45~0.6 mm)与叶端线速度v的1.7~3.59次方成反比。