MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用

简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.

基于MEDICI仿真的ESD保护器件设计方法

文章讨论了用MEDICI作基于仿真的ESD保护电路设计方法,并以GGNMOS为例,给出了MEDICI仿真结果与实验数据的对照。结果表明此方法是一种有效仿真ESD保护电路在高温高电压大电流下特性的方法,可使ESD保护器件的设计周期缩短,成功率因此大大增加。

双应变SiGe/Si异质结CMOS的设计及其电学特性的Medici模拟(英文)

本文提出一种沟道长度为0.125μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构。在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)与异质结NMOS(HNMOS)的沟道材料,且HPMOS与HNMOS为垂直层叠结构;为了精确地模拟该器件的电学特性,修正了应变SiGe与应变Si的空穴与电子的迁移率模型;利用Medici软件对该器件的直流与交流特性,以及输入输出特性进行了模拟与分析。模拟结果表明,相对于体SiCMOS器件,该器件具有更好的电学特性,正确的逻辑功能,且具有更短的延迟时间,同时,采用垂直层叠的结构此类器件还可节省约50%的版图面积,有利于电路的进一步集成。

基于MEDICI的MOS晶体管器件模拟

本文主要讨论MEDICI在MOS晶体管性能模拟方面的实际应用,以MOS晶体管为代表,通过对其进行仿真研究,加深对相关专业基础理论知识的理解,明确理论知识在实际中的应用方向,领悟基础知识的重要性。

PMOS辐射检测传感器阈值漂移特性的Medici模拟

本文研究了PMOS辐射检测传感器的阈值电压漂移特性,文中选择三种具有不同参数的器件结构进行讨论,重点考察了器件尺寸参数对阈值漂移特性的影响,运用二维数值模拟软件MEDICI进行数值模拟和分析,模拟结果表明栅氧厚度、沟道长度和宽度以及沟道掺杂浓度对阈值电压漂移特性具有不同形式的影响。

基于MEDICI的新型高压SOIP-LDMOS的仿真优化

本文以一个利用Triple RESURF结构实现的新型高压SOI P-LDMOS器件的实例来具体说明如何利用TCAD工具MEDICI对已知的器件结构进行仿真,并根据性能需要优化器件相关参数。

AN ALGORITHM OF EDGE DETECTION IN ULTRASONEC MEDICINE IMAGING BASED ON ENTROPY OPERATOR

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Medicis宣布FDA批准Ammonul用于尿素循环障碍患者

2005年2月18日，Medicis宣布FDA批准Ammonul用于治疗尿素循环相关酶缺陷(UCD)患者发生的急性高氨血症以及相关脑病的辅助治疗。Ammonul是该类药物中唯一一个批准能与10％乙酸苯酯钠以及10％安息香酸钠联用治疗UCD的药物。FDA承认了该药治疗UCD的安全性和有效性，这对UCD患者来说是一个很好的消息。

文艺复兴时期美第奇家族艺术投资的历史分析

15-16世纪,佛罗伦萨的美第奇家族凭借其强大的政治和经济实力进行了大量的艺术投资活动,借此提高家族影响力。尽管美第奇家族进行艺术投资的动机掺杂了政治、经济和社会等多方面的考虑,但其对艺术和文艺复兴运动的发展依然具有多方影响。随着美第奇家族艺术投资在欧洲影响范围的扩大,欧洲各国统治者纷纷开始进行艺术投资,从而推动了文艺复兴的发展和人文主义思想的传播。

MEDICI·美第奇 高级定制时代

中西璧合,美韵至奇这些品物都是有灵感的,因为他们是出自以经典设计著称的、欧洲著名设计师充满灵光的大脑……这些品物都是有灵性的,因为他们是出自中国本土的、已经极其稀有的传世手工雕刻艺匠之手……这些品物都是有灵魂的,因为他们是中国古老精湛的手工雕刻技艺与欧洲皇家经典家居设计风尚融会贯通、交相辉映的结晶……

基于史密斯政策执行过程模型的国家医保药品目录准入谈判罕见病药品落地问题及路径研究

目的基于史密斯政策执行过程模型的国家医保药品目录准入谈判(以下简称“国谈”)罕见病药品落地的关键和难点,探索罕见病药品在进入国家基本医疗保险和工伤保险药品目录后政策实施过程中存在的问题并提出对策建议。方法通过文献复习和政策梳理、专家访谈、焦点小组访谈收集资料,结合史密斯政策执行过程模型的理论框架从多角度探索国谈罕见病药品政策执行情况的现状、问题以及解决方案。结果目前我国罕见病药品行业管理尚处于初级阶段;医疗服务提供方在意识、管理等方面仍存在不足;罕见病药品保障渠道有待优化,医疗保险支付机制尚不完善。结论建议进一步加强行业管理,提升罕见病用药保障;加强医疗服务提供方能力建设,取消罕见病用药考核限制;畅通罕见病用药保障渠道,完善医疗保险支付机制。

北京市医药分开和医耗联动综合改革背景下中医类医院治疗费用研究

目的研究北京市医药分开和医耗联动综合改革前后中医类医院治疗费用的变化情况。方法通过多阶段分层整群抽样,运用《卫生费用核算体系2011》,核算北京市中医类医院的治疗费用情况。结果2016—2019年,北京市中医类医院治疗费用由229.83亿元增长到309.86亿元,年均增速为7.61%,二、三级中医类医院治疗费用年均增速分别为10.26%、3.56%,二级中医类医院费用占比从58.96%增长到63.42%,二级医院门急诊、住院服务量增长均快于三级医院。二、三级医院门急诊、住院药占比均下降8个百分点以上,但门急诊中药饮片费用占比分别增长2.45、4.43个百分点,住院耗占比分别增长2.94、2.14个百分点。结论医药分开和医耗联动综合改革的实施一定程度上优化了中医类医院治疗费用的流向和结构,提升了中医类服务的技术劳务价值,但改革可能导致诊疗行为变化。应注意政策的协调性,关注改革的长期效果。

病理生理学课程思政实施路径的探索与思考

以临床医学专业病理生理学课程思政为例,采用基于长江雨课堂平台的线上线下相结合教学模式,发掘思政元素,建立思政素材库,实行多元化思政教学评价,构建多元、协同的病理生理学课程思政特色教学体系,以达成全程全方位育人、知识传授与价值引领相统一的教学目标。

“美第奇效应”视域下开放性试题的多向度阐释——以2022年文综全国乙卷第42题为例

根据高考的实际考情以及高考后各类学术刊物发表的文章来看,无论是考生,还是教师,囿于学科本位、视野边际和思维局限等,大多从历史学科单向视角对2022年文综全国乙卷第42题进行思考和阐释,陷入同质化和单向度困境不可自拔。要想走出困境,高质量解答此题以及此类开放性试题,必须运用系统论的观点,进行多向度思考和阐释,实现“破壁”与“升维”,养成跨学科思维,形成“美第奇效应”。

15-16世纪中国瓷器对美第奇陶瓷设计的影响

从丝绸之路到马可波罗,乃至利玛窦首传西学,郎世宁饮誉艺坛,中意文化交流史上始终不乏辉煌的篇章。15世纪意大利进入历史发展的黄金时代,特别是文艺复兴如火如荼,这与美第奇家族的统治及艺术收藏密切相关。美第奇家族对中国瓷器的收藏、生产、仿制,创造出区别于欧洲的美第奇陶瓷。美第奇陶瓷所承载的人文精神,让意大利区别于欧洲而成为文艺复兴的发源地。本文以博物馆实物为参考,探讨美第奇家族对华瓷的收藏与仿制,从造型与装饰角度说明美第奇瓷的融合与创新,器物所承载的人文主义对意大利文艺复兴人文主义产生重大助推作用,以证明中国瓷器对世界文化的影响与贡献。

关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果。

GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟

简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理。利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013～1×1015cm2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开路电压Voc,短路电流Isc)的影响,并对计算结果进行了分析,计算结果与相关文献给出的实验数据吻合较好。

栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响

本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。

中子辐照诱导CCD电荷转移效率降低的数值模拟与分析

运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI，分别对能量为1MeV和14MeV的中子，在注量范围为3×10^14～5×10^14cm^-2辐照下，对CCD器件电荷转移效率的变化规律进行数值模拟研究。建立了MEDICI软件模拟CCD电荷转移效率变化的器件物理模型、中子辐照模型，并对模拟结果进行了机理分析，得出中子辐照诱导CCD器件电荷转移效率降低的初步规律。

1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟

分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律。通过对SiGe HBT器件辐照效应的数值模拟计算,验证了相关辐照实验得出的规律。