Mg:Ce:Fe:LN晶体的生长及位相共轭分析

在Ce:Fe:LN中掺进不同摩尔分数(0,2%,4%,6%)的MgO首次以提拉法生长Mg:Ce:Fe:LN晶体,并对晶体进行极化、氧化和还原处理。测试晶体的吸收光谱和光损伤阈值。Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收光谱吸收边相对Ce:Fe:LN晶体发生紫移。Mg:Ce:Fe:LN晶体光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体增大,研究了Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收边移动机理和光损伤阈值增加机理。采用4波混频光路测试Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率和响应时间,Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率相对Ce:Fe:LN晶体降低,但响应速度增加。以x(Mg)2%(摩尔分数):Ce:Fe:LN晶体位相共轭镜消除信号光波的位相畸变。

Mg^(2+)对Ce:Fe:LiNbO_3晶体光折变性能的作用和影响

在Ce(0 .1wt %)∶Fe(0 .08wt %)∶LN中掺进摩尔分数为(0 .2 %,0 .4 %,0 .6 %)的MgO,采用提拉法生长Mg∶Ce∶Fe∶LN晶体.测试晶体的吸收光谱,Mg∶Ce∶Fe∶LN晶体的吸收边相对Ce∶Fe∶Li NbO3晶体发生紫移,Mg(6 %)∶Ce∶Fe∶LN晶体OH-吸收峰移到3 532 cm-1,研究OH-吸收峰移动机理.以二波耦合光路测试Mg∶Ce∶Fe∶LN晶体的指数增益系数和响应时间,发现Mg∶Ce∶Fe∶LN晶片厚度减小时指数增益系数显著增加.首次采用光爬行效应解释指数增益系数增加机理.

ICP-AES法同时测定硝酸锶晶体中十种掺杂元素

本文报道了用 ICP- AES法同时测定硝酸锶晶体中掺杂元素 Ag、Ca、Ce、Cu、Fe、L a、Mg、Mn、Na、Zn的分析方法。本方法采用基体匹配法与背景扣除法对基体干扰及光谱干扰进行校正。被测元素检出限为0 .1— 1 6 ng/ m L,合成样品的回收率为 90 %— 1 1 6 % ,相对标准偏差均小于 1 3%。本法简便、快速、准确。