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Mg在Si(220)表面吸附的第一性原理计算
被引量:
1
1
作者
苏蓉
李娜
+2 位作者
张佳佳
李晓琴
赵辉
《天津师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2019年第2期16-20,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势的方法,通过搜寻Mg原子在硅Si(220)晶面上的最佳吸附位置,计算Mg/Si(220)体系的吸附能、电子态密度、电子布居和功函数等,系统研究了Mg原子在Si(220)表面的吸附过程.结果表明:Si表面Mg原子...
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势的方法,通过搜寻Mg原子在硅Si(220)晶面上的最佳吸附位置,计算Mg/Si(220)体系的吸附能、电子态密度、电子布居和功函数等,系统研究了Mg原子在Si(220)表面的吸附过程.结果表明:Si表面Mg原子的最稳定吸附位置为Si(220)晶面的穴位,此时吸附能最低.同时,Mg/Si(220)体系中Mg原子的2p和3s轨道电子与Si原子的3s和3p轨道电子间的强相互作用使体系的电子布居和功函数发生改变.
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关键词
表面吸附
mg/
si
(
220
)
体系
第一性原理计算
下载PDF
职称材料
题名
Mg在Si(220)表面吸附的第一性原理计算
被引量:
1
1
作者
苏蓉
李娜
张佳佳
李晓琴
赵辉
机构
天津师范大学物理与材料科学学院
出处
《天津师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2019年第2期16-20,共5页
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势的方法,通过搜寻Mg原子在硅Si(220)晶面上的最佳吸附位置,计算Mg/Si(220)体系的吸附能、电子态密度、电子布居和功函数等,系统研究了Mg原子在Si(220)表面的吸附过程.结果表明:Si表面Mg原子的最稳定吸附位置为Si(220)晶面的穴位,此时吸附能最低.同时,Mg/Si(220)体系中Mg原子的2p和3s轨道电子与Si原子的3s和3p轨道电子间的强相互作用使体系的电子布居和功函数发生改变.
关键词
表面吸附
mg/
si
(
220
)
体系
第一性原理计算
Keywords
adsorption of surface
mg/
si
(
220
)system
first principles calculation
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Mg在Si(220)表面吸附的第一性原理计算
苏蓉
李娜
张佳佳
李晓琴
赵辉
《天津师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2019
1
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职称材料
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参考文献
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