Mg∶Fe∶LiNbO_3晶体的生长及光学性能研究

在Fe∶LiNbO3中掺进MgO和Fe2 O3以提拉技术生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体 对晶体进行极化和还原处理 测试晶体的吸收光谱 ,Mg∶Fe∶LiNbO3晶体吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移 测试晶体的红外光谱 ,Mg∶(5mol % )Fe∶LiNbO3晶体OH 吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的 3482cm- 1移到35 34cm- 1 采用锂空位模型阐述Mg∶Fe∶LiNbO3晶体 ,吸收边和OH- 吸收峰移动的机理 测试晶体的抗光致散射能力 Mg∶(5mol% )Fe∶LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe∶LiNbO3晶体提高一个数量级以上 测试晶体的衍射效率和响应时间

Mg^(2+)对Fe∶LiNbO_3晶体光折变响应时间的影响

在 Fe∶Li Nb O3 中掺进 3 mol%和 6mol% Mg O,生长了 Mg∶Fe∶L i Nb O3 晶体 .测试了 Mg∶Fe∶Li Nb O3 晶体抗光致散射能力、衍射效率、响应时间和光电导 .推导响应时间与光电导之间的关系 .在 Fe∶Li Nb O3 晶体中掺进 6mol%的 Mg2 + ,它的抗光致散射能力比Fe∶L i Nb O3 晶体提高一个数量级 ,响应速度比 Fe∶Li Nb O3

Mg:Ce:Fe:LiNbO_3晶体生长及其全息存储性能

在同成分LiNbO3(LN)中,掺入MgO的摩尔分数分别为0,2%,4%,6%,掺入(质量分数)0.1%CeO2和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质的Mg:Ce:Fe:LN晶体。检测了Mg:Ce:Fe:LN晶体的红外透射光谱和光损伤阈值。结果表明:6%Mg:0.1%Ce:0.08%Fe:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3532cm-1,其光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体提高2个数量级以上。用二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间。计算了光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Mg:Ce:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体和Ce:Fe:LN晶体。以4%Mg:0.1%Ce:0.08%Fe:LN晶体作为全息记录材料,实现了总存储页面为3200幅图像的存储,再现图像清晰完整。

Mg:In:Er:LiNbO_3晶体生长及波导基片光损伤的研究

在LiNbO3中掺进MgO,In2O3,Er2O3以Czochralski技术系统生长了Mg(3mol%):In(1mol%):Er(1mol%):LiNbO3,Mg(3mol%):In(2mol%):Er(1mol%):LiNbO3,Mg(3mol%):In(3mol%):Er(1mol%):LiNbO3晶体。Mg(3mol%):In(3mol%):Er(1mol%):LiNbO3晶体荧光光谱表明4I13/2→ 4I15/2(1.53μm)易实现激光振荡。采用质子交换工艺制作Mg:In:Er:LiNbO3晶体波导基片并以m线法研究Mg:In:Er:LiNbO3晶体波导基片的光损伤。发现抗光损伤能力依次为:Mg:In(3mol%):Er:LiNbO3>Mg:In(2mol%):Er:LiNbO3>Mg:In(1mol%):Er:LiNbO3>Er:LiNbO3。以锂空位模型研究Mg:In:Er:LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。

高掺MgO:LiNbO_3晶体的性能、折射率和室温倍频研究

本文报导用自控提拉法生长的高掺 MgO:LiNbO_3晶体的性能、折射率、位相匹配角和室温下1.06μm 激光辐射的倍频。

Mg:Nd:LiNbO_3晶体倍频性能的研究

以Czochralski技术首次系统生长Mg:Nd:LiNbO3晶体。测试晶体的荧光光谱,(1.0%,3.0%,5.0%,6.5%,8%)(摩尔分数,下同)Mg:Nd:LiNbO3晶体在0.888μm,1.088μm和2.171μm有最强的谱线。测试晶体抗光损伤能力,x(MgO)浓度高于5%的Mg:Nd:LiNbO3晶体抗光损伤能力比Nd:LiNbO3晶体提高2个数量级以上。Mg:Nd:LiNbO3晶体相位匹配温度随掺进MgO的浓度而改变,x(MgO)=5%时达到最大值,MgO浓度继续增加相位匹配温度下降。Mg(8%):Nd:LiNbO3晶体相位匹配温度接近室温。Mg(6.5%):Nd:LiNbO3中Mg2+的分凝系数接近于1,它有最高的倍频转换效率η=32.3%。

Mg:Fe:LiNbO_3晶体光学性能的研究

在LiNbO3中掺杂光折变敏感杂质离子Fe2+/Fe3+和抗光致散射杂质离子Mg2+,以提拉法生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体吸收光谱、红外光谱。Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移。当Mg2+浓度达到阈值浓度,Mg(6%)∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰由3482cm-1移到3529cm-1。测试晶体的位相共轭反射率和响应时间,计算光电导。Mg(6%)∶Fe∶LiNbO3晶体的响应速度和光电导比Fe∶LiNbO3晶体有较大提高。

Mg：Er：LiNbO3晶体的激光性能和550nm寿命特性研究

为了测试Mg∶Er∶LiNbO3晶体的光损伤阈值和红外光谱,采用Czochralski技术生长出优质的Mgx∶Ery∶LiNbO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08,y=0.01(摩尔分数))晶体。通过实验得出Mg(0.06)∶Er∶LiNbO3和Mg(0.08)∶Er∶LiNbO3晶体抗光损伤阈值比LiNbO3晶体提高2个数量级以上,且它们的红外光谱OH-吸收峰移到3535cm-1附近;在波长510nm^580nm范围内得到Mg∶Er∶LiNbO3晶体稳态发射谱。结果表明,Mg2+浓度增加抗光损伤能力增加,掺进摩尔分数为0.04的MgO是Mg∶Er∶LiNbO3晶体寿命最长的晶体。

Mg∶LiNbO_3及Nd∶Mg∶LiNbO_3晶体畴结构与单畴化研究

本文对Ｍｇ∶ＬｉＮｂＯ３及Ｎｄ∶Ｍｇ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的畴结构与单畴化条件进行了系统的研究；报道了主要晶面的畴结构特征；

LiNbO_3:MgO晶体的喇曼光谱研究

首次获得了L_1NbO_3:MgO晶体的喇曼光谱。与纯LiNbO_3晶体的喇曼光谱相比较,A_1(TO)模和E(TO)模的谱线数目、频率和相对强度均基本不变,线宽略有增加。这说明,LiNbO_3晶体较强的A_1(TO)和E(TO)振动模的喇曼光谱主要是由氧八面体(NbO_6)特征基团所贡献的。

Mg:Zn:LiNbO_3晶体光学性能的研究

在 L i Nb O3中参进 3 mol% Mg O和 2 mol% Zn O,生长 Mg∶ Zn∶L i Nb O3晶体 .测试晶体的吸收光谱、红外光谱倍频转换效率和相位匹配温度 .Mg( 3 mol% )∶ Zn( 2 mol% )∶ L i Nb O3晶体达到阈值浓度 .Mg∶ Zn∶ L i Nb

光波导用MgO∶LiNbO_3晶体光学均匀性的测定

介绍了用非临界位相匹配温度法，测量了光波导用ＭｇＯ∶ＬｉＮｂＯ３ 晶体光学均匀性的原理、公式和实际测量的结果。

Zn,Mg:LiNbO_3晶体的光学特性研究

为了研制出结合Zn∶L iNbO3与Mg∶L iNbO3优点的晶体,采用提拉法从熔体中生长了Zn,Mg∶L iNbO3晶体,并对它的配方和生长性能、光学均匀性、抗光折变以及倍频性能进行了研究,生长出了尺寸达40mm×70mm、双折射率梯度优于10-4/cm量级的Zn,Mg∶L iNbO3晶体,倍频得到了20m J的0.532μm的绿光输出,转换效率达到45%。该晶体是一种很有前途的非线性光学材料。

Mg：Zn：LiNbO3晶体光损伤和倍频性能的研究

以Czochralski技术生长Mg(3%)∶Zn∶(x%)∶LiNbO3(x=1,2,3)(摩尔分数)。测试晶体光损伤阈值,Mg(3%)∶Zn(3%)∶LiNbO3晶体光损伤阈值比LiNbO3晶体提高了2个数量级以上。测试晶体红外光谱Mg(3%)∶Zn(3%)∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位置由LiNbO3的3 482 cm-1移到3 532 cm-1,即晶体掺杂达到阈值浓度。采用角度匹配,测试晶体的倍频转换效率。激光功率密度很高时,晶体出现暗迹,倍频转换效率下降,暗迹是由倍频光引起,与基频光无关。氧化的晶体可以减弱暗迹。对晶体光损伤阈值的增强,OH-吸收峰的移动,暗迹产生的机理进行阐述和研究。

Mg∶Fe∶Mn∶LiNbO_3晶体拉曼光谱研究

以Czochralski提拉法生长Mg∶Fe∶Mn∶LiNbO3单晶体 ,测量室温下的拉曼光谱 ,同纯LiNbO3晶体光谱比较发现 ,Mg∶Fe∶Mn∶LiNbO3晶体振动模的对称性、分布以及相对强度几乎不改变 .

近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO_3晶体生长及其光学性能

以K2O作为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法生长近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试了晶体的紫外-可见吸收光谱、红外光谱、抗光损伤能力以及衍射效率。结果表明:随掺Mg量的增加,近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的紫外吸收边先紫移后红移,晶体的衍射效率减小,抗光损伤能力增加。OH-吸收峰出现双峰结构,给出了掺杂离子的占位模型。晶体中[Li]/[Nb]比在49.7～49.8%之间。确定了掺Mg的阈值浓度在2～3%(物质的量百分比,下同)之间。

LiNbO_3: Cr^(3+),Mg^(2+)晶体中Cr^(3+)离子的光谱精细结构,零场分裂和占位研究

采用完全对角化方法，首先计算了ＬｉＮｂＯ３：Ｃｒ３＋，Ｍｇ２＋晶体中Ｃｒ３＋（Ⅰ）离子的光谱精细结构，并重点分析了Ｃｒ３＋（Ⅰ）离子的零场分裂和Ｒ线（２Ｅ→４Ａ２跃迁）分裂．然后，根据ＬｉＮｂＯ３：Ｃｒ３＋，Ｍｇ２＋晶体的ＥＰＲ谱和吸收光谱，进一步研究了Ｃｒ３＋（Ⅰ）和Ｃｒ３＋（Ⅱ）离子的占位情况．计算结果表明：Ｃｒ３＋（Ⅱ）离子应占Ｎｂ５＋位，同时沿着Ｃ３轴向八面体中心移动０．０１３±０．００１ｎｍ，对于该占位，Ｃｒ３＋（Ⅱ）离子的零场分裂以及２Ｅ、４Ｔ２态的能量均与实验值符合；对于Ｃｒ３＋（Ⅰ）离子，存在着两种可能占位，即占Ｎｂ５＋位和Ｌｉ＋位，并且都沿着Ｃ３轴向八面体中心移动约０．０４９ｎｍ，它们的零场分裂值和２Ｅ态分裂都能与实验值相符合．

Mg:Nd:LiNbO_3晶体生长及其光学性能研究

在LiNbO3晶体原料中掺入w(Nd2O3)=0.2%和x(ZnO)=7.0%,以提拉法生长Nd:LiNbO3和Mg:Nd:LiNbO3晶体,并对晶体进行极化处理。测试了晶体的紫外可见吸收光谱、荧光光谱和红外吸收光谱。由吸收光谱确定泵浦光波长,由荧光光谱确定激光振荡波长。通过直接观察光斑畸变法测试了Mg:Nd:LiNbO3晶体的抗光损伤能力,结果表明,Mg:Nd:LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Nd:LiNbO3晶体提高2个数量级以上。测试了晶体的倍频性能,Mg:Nd:LiNbO3晶体的相位匹配温度为102°C,相应的倍频转换效率达到28%。

不同Li/Nb比Mg:In:Fe:LiNbO_3晶体的光折变性能研究

采用提拉法生长了不同L i/Nb比(L i/Nb=0.85,0.94,1.05,1.20,1.38)的Mg:In:Fe:L iNbO3(LN)单晶。测试了Mg:In:Fe:LN晶体的红外透射光谱,紫外吸收光谱,抗光致散射能力,响应时间和指数增益系数。实验结果显示:L i/Nb=0.85晶体的OH-吸收峰在3481 cm-1附近,L i/Nb=0.94、1.05、1.20的晶体的OH-吸收峰在3505 cm-1附近,而L i/Nb=1.38晶体的OH-吸收峰有三个,分别在3466 cm-1、3481 cm-1和3518 cm-1附近。随着L i/Nb比的增大,晶体的紫外吸收边发生紫移,抗光致散射能力增强,响应速度加快,指数增益系数增大。结果表明:L i/Nb=1.38的晶体是性能最为优良的光折变晶体材料。

同成份LiNbO_3晶体中MgO的有效分凝系数的测定

本文用一种简便的方法测定了MgO在同成份LiNbO_3中的有效分凝系数K_(eff)及其熔体中MgO浓度的关系。