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Influence of soaking time on nonlinear electrical behavior and dielectric properties of TiO_2-based varistor ceramics 被引量:4
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作者 孟凡明 鲁飞 +1 位作者 肖磊 孙兆奇 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2009年第6期897-901,共5页
The influence of soaking time on the nonlinear electrical behavior and dielectric properties of TiO2-based varistor ceramics was investigated. Based on single sintering process, six disk samples of (Sr, Bi, Si, Ta)-... The influence of soaking time on the nonlinear electrical behavior and dielectric properties of TiO2-based varistor ceramics was investigated. Based on single sintering process, six disk samples of (Sr, Bi, Si, Ta)-doped TiO2-based varistor ceramics were fabricated by sintering at 1 250 ℃ for 0.5-5.0 h. The samples were characterized by X-ray diffraction, voltage-current characteristics, energy spectra, metallographs, breakdown voltages, and apparent dielectric constant. It is found that the breakdown electrical field intensity at a current density of 10 mA/cma decreases from 5.5 to 4.1 V/mm first and then increases to 7.0 V/mm, the nonlinear coefficient increases from 2.39 to 2.62 first and then decreases to 2.42, and the apparent dielectric constant increases from 98 200 to 1l5 049 first and then decreases to 73 865 with the soaking time increasing from 0.5 to 5.0 h. These indicate that the optimal soaking time is 2.0-3.0 h considering both nonlinear electrical behavior and dielectric properties. 展开更多
关键词 TiO2 varistor ceramics breakdown voltage nonlinear coefficient dielectric constant soaking time
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CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)微晶玻璃的制备及介电性能
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作者 卫志洋 王晓东 +3 位作者 苏腾 陈欢乐 高峰 苗洋 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第4期1274-1283,共10页
低介电常数、低介电损耗的微晶玻璃是制造低温共烧陶瓷基板的重要材料。本文采用熔融水淬法制备了CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)(CBS)微晶玻璃,重点研究了m(CaO)/m(SiO_(2))质量比、B_(2)O_(3)含量对CBS微晶玻璃介电性能的影响。结果表明:CBS... 低介电常数、低介电损耗的微晶玻璃是制造低温共烧陶瓷基板的重要材料。本文采用熔融水淬法制备了CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)(CBS)微晶玻璃,重点研究了m(CaO)/m(SiO_(2))质量比、B_(2)O_(3)含量对CBS微晶玻璃介电性能的影响。结果表明:CBS微晶玻璃的主要晶相有Ca_(3)Si_(3)O_(9)、Ca_(2)B_(2)O_(5)、CaB_(2)O_(4)、SiO_(2)和Ca_(2)SiO_(4)。随着m(CaO)/m(SiO_(2))质量比的增加,介电常数增加,介电损耗先降低后增加;硅灰石相的增多使介电损耗从2.87×10^(-3)降到1.36×10^(-3),介电损耗随着SiO_(2)、Ca_(2)B_(2)O_(5)和CaB_(2)O_(4)含量的增加而增大。随着B_(2)O_(3)含量的增加,介电常数先增加后减少,而介电损耗则相反。当m(CaO)/m(SiO_(2))质量比为0.89、B_(2)O_(3)含量为15%(质量分数)时,在900℃烧结3 h,CBS微晶玻璃的热膨胀系数为7.16×10^(-6)℃^(-1),介电常数为5.85,介电损耗为1.37×10^(-3)(10 GHz)。 展开更多
关键词 CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2) 微晶玻璃 介电常数 介电损耗 微观结构 低温共烧
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掺杂Al_(2)O_(3)对LiNbO_(3)压电陶瓷组织和性能的影响研究
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作者 朱飞 禹建功 +1 位作者 王一强 周红梅 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期59-63,77,共6页
通过真空热压烧结法在900℃、35 MPa下保温120 min制备铌酸锂(LiNbO_(3),简称LN)压电陶瓷,研究掺杂不同含量的Al_(2)O_(3)对其压电性能的影响。通过物相、密度、微观组织、压电性能和介电性能分析发现,在0.5%~3%(摩尔分数)Al_(2)O_(3)... 通过真空热压烧结法在900℃、35 MPa下保温120 min制备铌酸锂(LiNbO_(3),简称LN)压电陶瓷,研究掺杂不同含量的Al_(2)O_(3)对其压电性能的影响。通过物相、密度、微观组织、压电性能和介电性能分析发现,在0.5%~3%(摩尔分数)Al_(2)O_(3)掺杂量范围内,所有LN压电陶瓷样品的主体衍射峰位置相同、峰形尖锐,均为类钙钛矿结构;随着Al_(2)O_(3)掺杂量的增加,LN压电陶瓷晶粒尺寸逐渐减小,气孔增大、增多,密度和压电常数d_(33)均呈先增大后减小的趋势,均在Al_(2)O_(3)掺杂量为1%时达到最大,分别为4.65 g/cm^(3)和11.3 pC/N,此压电常数相较于激光烧结法制备的LN压电陶瓷提高了88.3%。在1 MHz测试频率下,LN压电陶瓷的相对介电常数随着Al_(2)O_(3)掺杂量的增加而逐渐增大。 展开更多
关键词 压电陶瓷 铌酸锂 真空热压烧结 Al_(2)O_(3)掺杂量 压电常数 介电常数 微观组织
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Sn掺杂对Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)微波介质陶瓷性能的影响 被引量:1
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作者 屈超 方梓烜 +2 位作者 张星 张树人 唐斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1002-1006,共5页
采用传统固相反应法合成了Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)(0≤x≤0.28)陶瓷,并且研究了其微观结构与微波介电性能之间的关系。实验结果表明,锡离子的引入并不会改变其晶体结构。然而,随着锡离子掺杂量的增加,陶瓷的品质因数可以得到有效的提升。... 采用传统固相反应法合成了Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)(0≤x≤0.28)陶瓷,并且研究了其微观结构与微波介电性能之间的关系。实验结果表明,锡离子的引入并不会改变其晶体结构。然而,随着锡离子掺杂量的增加,陶瓷的品质因数可以得到有效的提升。由于高温下二氧化锡易挥发,当掺入过量锡离子后,陶瓷内部会产生大量气孔,反而降低了其品质因数。当锡离子掺杂量x=0.16,烧结温度为1375℃时,陶瓷得到了较好的介电性能:ε_(r)=88.4,Q·f=20777 GHz,τ_(f)=430.2×10^(-6)℃^(-1)。 展开更多
关键词 固相反应 微波介质陶瓷 金红石TiO_(2) 离子取代 介电常数
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BaSm_(0.2)Ti_((4+x))O_((9.3+2x))微波介质陶瓷的研究
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作者 吴伟杰 庄河辉 +2 位作者 姚金强 杨永莹 陶锋烨 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第6期771-774,共4页
该文采用固相法制备了BaSm_(0.2)Ti_((4+x))O_((9.3+2x))(x=0~0.6为摩尔分数)陶瓷,研究了不同x值对陶瓷相组成、显微结构和微波介电性能的影响。结果表明,在0≤x≤0.6时,随着x的增大,介电常数ε_(r)变化较小,品质因数与频率之积(Q×... 该文采用固相法制备了BaSm_(0.2)Ti_((4+x))O_((9.3+2x))(x=0~0.6为摩尔分数)陶瓷,研究了不同x值对陶瓷相组成、显微结构和微波介电性能的影响。结果表明,在0≤x≤0.6时,随着x的增大,介电常数ε_(r)变化较小,品质因数与频率之积(Q×f)和频率温度系数τ_(f)均随x的增大而减小。当x=0.5时,可获得介电性能优异的BaSm_(0.2)Ti_((4+x))O_((9.3+2x))陶瓷:ε_(r)=46.9,Q×f≈18237 GHz,τ_(f)≈2.2×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介电性能 Ba_(2)Ti_(9)O_(20) BaTi_(4)O_(9) 中等介电常数
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化学计量比对镓酸镁尖晶石陶瓷微波介电性能的影响
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作者 杨铭 徐鹏宇 +3 位作者 王斌 郑凯平 涂兵田 王皓 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期508-515,共8页
尖晶石型微波介质陶瓷因高品质因数和可调的谐振频率温度系数在无线通信等领域应用广泛。本文通过无压烧结制备了MgO·nGa_(2)O_(3)(n=0.975、1.00、1.08和1.17)尖晶石陶瓷,采用XRD Rietveld全谱拟合研究了化学计量比对晶体结构的影... 尖晶石型微波介质陶瓷因高品质因数和可调的谐振频率温度系数在无线通信等领域应用广泛。本文通过无压烧结制备了MgO·nGa_(2)O_(3)(n=0.975、1.00、1.08和1.17)尖晶石陶瓷,采用XRD Rietveld全谱拟合研究了化学计量比对晶体结构的影响,并结合键价理论模型探究了微波介电性能与晶体结构的关系。结果表明:MgO·nGa_(2)O_(3)陶瓷相对介电常数(ε_(r))的变化与晶格常数和离子极化率有关;品质因数(Q×f)受键强和阳离子有序度的共同影响,随n值增大从165590 GHz下降至109413 GHz;而谐振频率温度系数(τ_(f))与晶体热膨胀系数相关。制备的MgO·0.975Ga_(2)O_(3)陶瓷具有优异的微波介电性能:ε_(r)=9.69、Q×f=165590 GHz(频率14 GHz下)和τ_(f)=-7.12×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 镓酸镁尖晶石 化学计量比 晶体结构 微波介质陶瓷 介电常数 品质因数
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