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溅射功率对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
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作者 王华 燕红 +2 位作者 黄竹 许积文 杨玲 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1317-1322,共6页
以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓... 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓度,并与靶材基本吻合;不同溅射功率下Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜均具有非常好的c轴择优取向生长特性,透光区域均扩展到紫外区域,而且随溅射功率从100W增大到200W,薄膜的晶粒有所增大,结晶程度明显提高,电阻率从50Ω·cm降低到不足1Ω·cm,透光率无明显差别,约为89%,带隙宽度略有减小,光吸收边略向长波方向移动,但溅射功率达到250W以后,薄膜质量有所下降,粗糙度增大,电阻率略有回升,透光率有所降低。 展开更多
关键词 紫外透明导电薄膜mg0 2zn0 8o A1磁控溅射 溅射功率 光电性能
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Sn_(0.95)Mg_(0.05)P_2O_7的中温电性能研究
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作者 韩燕 邹影 +1 位作者 李红 王洪涛 《广州化工》 CAS 2014年第2期42-43,80,共3页
采用固相法合成了Sn0.95Mg0.05P2O7样品,采用交流阻抗电化学方法对该样品在50~250℃下的电性能进行了研究。粉末XRD结果表明,该样品为单一立方相SnP2O7结构。气体气氛对样品电导率有着显著的影响:σ(dry O2)〈σ(dry H2)〈σ... 采用固相法合成了Sn0.95Mg0.05P2O7样品,采用交流阻抗电化学方法对该样品在50~250℃下的电性能进行了研究。粉末XRD结果表明,该样品为单一立方相SnP2O7结构。气体气氛对样品电导率有着显著的影响:σ(dry O2)〈σ(dry H2)〈σ(wet O2)〈σ(wet H2)。在湿润H:气氛中,Sn0.95Mg0.05,P2O7 在200℃下,电导率达到最大值5.9×10^-2S·cm^-1。以该样品为燃料电池固体电解质,组装氢-空气燃料电池,在125℃时最大输出功率密度为7.9mW·cm,150℃时其最大输出功率密度约为12.7mw·cm^-2,175℃其最大输出功率密度为19.1mW·cm^-2。 展开更多
关键词 Sn0 95mg0 05P2o7交流阻抗 电导率 燃料电池
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溶胶-凝胶法制备SrNb_(0.05)Ti_(0.95)O_3薄膜及性能分析
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作者 常亮亮 《商洛学院学报》 2014年第2期40-44,52,共6页
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4·Nb(C2H5O)5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3(SNTO)薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是... 以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4·Nb(C2H5O)5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3(SNTO)薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析:掺杂Nb5+能使SrTiO3转化为n-半导体。 展开更多
关键词 SrNb0 05Ti0 95o3薄膜 溶胶-凝胶法 半导体
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衬底温度对PLD法生长的Mg_(0·05)Zn_(0·95)O薄膜结构和发光特性的影响 被引量:9
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作者 吴小丽 陈长乐 +3 位作者 韩立安 罗炳成 高国棉 朱建华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3735-3739,共5页
用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0·05Zn0·95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0·05Zn0·95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量... 用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0·05Zn0·95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0·05Zn0·95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg0·05Zn0·95O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理. 展开更多
关键词 mg0·05zn0·95o薄膜 PLD 衬底温度 光致发光
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紫光对外延掺锰铁酸铋薄膜物性的影响 被引量:1
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作者 彭增伟 姜庆华 +2 位作者 朱慧娟 王晋峰 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期898-902,共5页
采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)异质结上制备了外延BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并以氧化铟锡(ITO)作为上电极构架了ITO/BFMO/SRO型电容器。研究表明,BFMO薄膜为良好的外延生长,当波长为404 nm的紫光入射到电... 采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)异质结上制备了外延BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并以氧化铟锡(ITO)作为上电极构架了ITO/BFMO/SRO型电容器。研究表明,BFMO薄膜为良好的外延生长,当波长为404 nm的紫光入射到电容器表面,产生光电导,漏电流密度变大;测试电压为5 V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2。通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制。在紫光照射下,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生光生载流子的缘故。由于光辐射的作用,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电容增大。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 外延BiFe0 95Mn0 05o3薄膜 漏电流密度
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