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The microwave response of MgB2 /Al2O3 superconducting thin films
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作者 史力斌 王云飞 +8 位作者 柯于洋 张国华 罗胜 张雪强 李春光 黎红 何豫生 于增强 王福仁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第3期799-804,共6页
Microwave characteristics of MgB2/Al2O3 superconducting thin films were investigated by coplanar resonator technique. The thin films studied have different grain sizes resulting from different growth techniques. The ... Microwave characteristics of MgB2/Al2O3 superconducting thin films were investigated by coplanar resonator technique. The thin films studied have different grain sizes resulting from different growth techniques. The experimental results can be described very well by a grain-size model which combines coplanar resonator theory and Josephson junction network model. It was found that the penetration depth and surface resistance of thin films with smaller grain sizes are larger than those of thin films with larger grain sizes. 展开更多
关键词 mgb2/Al2O3 thin films surface resistance penetration depth grain-size model
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Ultraviolet photovoltaic characteristic of MgB2 thin film
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作者 赵嵩卿 周岳亮 +6 位作者 赵昆 王淑芳 陈正豪 吕惠宾 金奎娟 程波林 杨国桢 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期839-841,共3页
Fast photoelectric effects have been observed in MgB2 thin film fabricated by chemical vapour deposition. The rise time was -10 ns and the full width at half-maximum was -185ns for the photovoltaic pulse when the film... Fast photoelectric effects have been observed in MgB2 thin film fabricated by chemical vapour deposition. The rise time was -10 ns and the full width at half-maximum was -185ns for the photovoltaic pulse when the film was irradiated by a 308 nm laser pulse of 25 ns in duration. X-ray diffraction and the scanning electron microscope revealed that the film was polycrystalline with preferred c-axis orientation. We propose that nonequilibrium electron-hole pairs are excited in the grains and grain boundary regions for MgB2 film under ultraviolet laser and then the built-ln electric field near the grain boundaries separates carriers, which lead to the appearance of an instant photovoltage. 展开更多
关键词 mgb2 photovoltaic effect thin film
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MgB2超导薄膜的变温拉曼光谱研究 被引量:1
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作者 李艳丽 伍岳 +3 位作者 张新月 孔祥东 高召顺 韩立 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期3451-3455,共5页
MgB2作为迄今为止超导转变温度最高的合金超导体,由于其具有结构简单、相干长度长、晶界间不存在弱连接、上临界场很高、电-声散射时间短等特点,MgB2超导薄膜在电子学领域有着广阔的的应用前景。拉曼光谱是研究电-声子相互作用和超导能... MgB2作为迄今为止超导转变温度最高的合金超导体,由于其具有结构简单、相干长度长、晶界间不存在弱连接、上临界场很高、电-声散射时间短等特点,MgB2超导薄膜在电子学领域有着广阔的的应用前景。拉曼光谱是研究电-声子相互作用和超导能带的一种有效方法,且已广泛用于分析MgB2材料的电子、声子特征以及超导体能带结构,研究表明,样品质量、晶粒尺寸以及测试条件对MgB2拉曼峰的峰位和峰形影响很大,其中拉曼光谱随温度的变化也是一个研究重点,但目前关于MgB2变温拉曼光谱的研究,测试的温度范围相对较小,局限在83 K到室温区域或是转变温度附近。研究了大范围温度区间内MgB2薄膜的拉曼光谱变化,采用混合物理化学沉积法在(0001)SiC衬底上制备了MgB2多晶薄膜,薄膜的晶粒尺寸约为300 nm,超导转变温度为39.3 K,对其在10~293 K之间的拉曼光谱进行了测试,测量的波数范围为20~1 200 cm-1。变温拉曼光谱的测试结果显示,在高频620 cm-1附近以及低频80和110 cm-1附近存在MgB2的拉曼峰。经分析,低频区域出现的两个拉曼峰的频率与超导能隙宽度相对应,表明MgB2的双能隙特性。考虑到MgB2中四种声子模式的拉曼活性,高频620 cm-1附近的拉曼峰应是由E2g振动模所贡献的,且随着测试温度的降低,该拉曼峰的峰位未发生明显的偏移,但半高宽显著变小,从293 K时的380.7 cm-1减小到10 K时的155.7 cm-1,分析表明E2g声子与电子系统的非线性耦合所引起的非简谐效应可能是拉曼峰半高宽线性变小的主要原因。 展开更多
关键词 mgb2 薄膜 变温 拉曼光谱
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PROPERTIES OF MgB_2 FILMS FABRICATED ON COPPER CATHODES BY ELECTROCHEMICAL TECHNIQUE 被引量:1
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作者 H.Z. Yang X.G. Sun +5 位作者 W.Q. Huang M.L. Li X.M. Yu B.S. Zhang Y. Qi Q. Zhao 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第5期351-354,共4页
An electrochemical technique has been introduced and applied to fabricate superconducting MgB2 films in molten salts. MgCl2, Mg(BO2)2, NaCl, and KCl were used as electrolyte, graphite was used as the anode, and copp... An electrochemical technique has been introduced and applied to fabricate superconducting MgB2 films in molten salts. MgCl2, Mg(BO2)2, NaCl, and KCl were used as electrolyte, graphite was used as the anode, and copper was used as the cathode, respectively. X-ray diffraction (XRD) analysis was chosen to investigate the phase composition and crystallinity of the films at different electrolysis temperatures. Stan- dard four-probe technique and SQUID were applied to investigate the temperature dependence of resistance (R-T) properties and magnetic properties of the films, respectively. The results indicate that MgB2 films have been fabricated on the copper cathodes, and superconducting transition takes place close to 50 K. 展开更多
关键词 mgb2 film ELECTROCHEMISTRY Cu cathode
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高质量的干净极限与脏极限MgB2超导薄膜
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作者 庄承钢 孟胜 +6 位作者 张从尧 杨欢 贾颖 闻海虎 郗小星 冯庆荣 甘子钊 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期23-26,共4页
利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition),在0001取向的SiC和Al2O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜,样品具有高于41K的零转变温度,超导剩余电阻率ρ(42K)<0.5μΩcm,很好地吻合第一原理计算的... 利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition),在0001取向的SiC和Al2O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜,样品具有高于41K的零转变温度,超导剩余电阻率ρ(42K)<0.5μΩcm,很好地吻合第一原理计算的干净极限行为。X射线相分析图谱上没有MgO的衍射峰出现说明这种方法极大程度上避免了MgB2制备过程最易出现的"氧污染"。较高的磁电阻和低温低场条件下不存在磁通跳跃都说明了样品非常干净。借助一种改进的双加热丝装置,我们在干净MgB2样品基础上实现了可控的碳掺杂,掺碳后的样品超导临界温度下降,剩余电阻率升高,电子平均自由程由于杂质散射作用的增强而得到显著抑制,为符合脏极限的超导样品。 展开更多
关键词 mgb2薄膜 干净极限 碳掺杂
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混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜 被引量:4
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作者 姚丹 庄承钢 +3 位作者 张开成 余增强 冯庆荣 王福仁 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期357-360,共4页
用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密... 用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm^1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。 展开更多
关键词 mgb2薄膜 M-T曲线 X射线衍射图 SEM图 EDX成分分析
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电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的可行性研究 被引量:3
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作者 孔祥东 戴倩 +4 位作者 韩立 冯庆荣 初明璋 薛虹 李建国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期758-762,共5页
提出了电子束退火制备MgB2超导薄膜新工艺。在对电子束退火制备MgB2超导薄膜可行性进行理论研究的基础上,使用EBW-6型电子束热处理设备,在真空度5.0×10-3Pa、加速电压40 kV、束流2mA、束斑14.2mm、退火时间1.5 s的条件下对[B(10 nm... 提出了电子束退火制备MgB2超导薄膜新工艺。在对电子束退火制备MgB2超导薄膜可行性进行理论研究的基础上,使用EBW-6型电子束热处理设备,在真空度5.0×10-3Pa、加速电压40 kV、束流2mA、束斑14.2mm、退火时间1.5 s的条件下对[B(10 nm)/Mg(15 nm)]4/SiC夹层结构前驱膜进行了退火实验,得到了零电阻温度为30.3K、转变宽度ΔTc为0.4K、临界电流密度(5 K、0 T)为5.0×106A/cm2、表面平整的MgB2超导薄膜。证明了电子束退火制备MgB2薄膜是切实可行的。该工艺可以推广到大面积MgB2超导薄膜和MgB2线带材的制备。 展开更多
关键词 mgb2 超导薄膜 SIC衬底 电子束退火
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硼膜制备工艺、微观结构及其在硼化镁超导约瑟夫森结中的应用 被引量:3
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作者 王松 王星云 +3 位作者 周章渝 杨发顺 杨健 傅兴华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期362-368,共7页
MgB_2材料具备临界转变温度较高、相干长度大、临界电流和临界磁场高等优点,被认为有替代Nb基超导材料的潜力.研究了不同温度下以化学气相沉积法制备的硼(B)薄膜的微观结构.实验结果表明:较低温度沉积的B先驱薄膜为无定形B膜,可以与Mg... MgB_2材料具备临界转变温度较高、相干长度大、临界电流和临界磁场高等优点,被认为有替代Nb基超导材料的潜力.研究了不同温度下以化学气相沉积法制备的硼(B)薄膜的微观结构.实验结果表明:较低温度沉积的B先驱薄膜为无定形B膜,可以与Mg蒸气反应生成MgB_2超导薄膜;当沉积温度高于550?C时,所得硼薄膜为晶型薄膜;以晶型硼薄膜为先驱膜在镁蒸气中退火,不能生成硼化镁超导薄膜.利用晶型B膜的这一特点,成功制备了以晶型硼薄膜为介质层的硼化镁超导约瑟夫森结. 展开更多
关键词 无定形B膜 晶型B膜 MGB_2 约瑟夫森结
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芘掺杂对MgB_2薄膜超导性能的影响 被引量:1
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作者 张松 马军礼 +3 位作者 付尧 王旭 罗子江 邓朝勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期2055-2059,共5页
采用芘粉(C_(16)H_(10))作为掺杂物,利用化学气相沉积法,制备了不同掺杂量的MgB_2超导薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜和综合物性测量系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。结果显示,随着C_(16)H_(10)掺杂量的增加... 采用芘粉(C_(16)H_(10))作为掺杂物,利用化学气相沉积法,制备了不同掺杂量的MgB_2超导薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜和综合物性测量系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。结果显示,随着C_(16)H_(10)掺杂量的增加,晶格常数a逐渐变小,MgB_2的晶粒逐渐细化。所有的掺杂样品都表现出比纯净样品更好的载流能力。当C_(16)H_(10)掺杂量达到0.2g时,MgB_2薄膜的临界电流密度(Jc)和不可逆场表现出最佳的性能。掺杂0.2g的样品在5K,3T的Jc为1.12×10~4 A/cm^2,高于纯净样品Jc一个数量级,说明了掺杂样品的磁通钉扎能力得到了显著的提高。 展开更多
关键词 mgb2薄膜 掺杂 临界电流密度 磁通钉扎
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混合物理化学气相法(HPCVD)制备MgB_2超导薄膜技术 被引量:2
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作者 周章渝 杨发顺 +2 位作者 王松 杨健 傅兴华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期893-896,共4页
介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生... 介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响。结果表明,随着基底温度的升高,MgB2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高。 展开更多
关键词 mgb2超导薄膜 沉积温度 混合物理化学气相法(HPCVD)
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关于MgB_2超导多层膜间临界厚度的研究 被引量:1
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作者 罗子江 王继红 杨健 《物理实验》 北大核心 2011年第5期23-25,32,共4页
利用多级的阶梯状势垒近似方法,应用于MgB2作为超导体的SSeS结,对其临界厚度从基本原理入手并进行理论推导,获得超导多层膜的临界厚度公式,并对该公式展开讨论,取得一系列较有价值的结论.
关键词 mgb2 多层膜 超导 临界厚度 SSeS结
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热丝化学气相沉积法原位制备的MgB_2超导薄膜
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作者 王天生 田永君 +3 位作者 于栋利 迟振华 胡前库 罗晓光 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2000-2002,共3页
用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dcSQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响。结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成。基片温度... 用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dcSQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响。结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成。基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36K。随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高。 展开更多
关键词 mgb2薄膜 微观结构 超导电性 热丝化学气相沉积
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两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术(英文)
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作者 周章渝 杨发顺 +3 位作者 杨健 王松 邓朝勇 傅兴华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期7-9,共3页
超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(M... 超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。 展开更多
关键词 mgb2超导薄膜 布图布线 湿法刻蚀
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MgB_2薄膜金属-绝缘体转变的研究
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作者 李彦炜 孙爱民 +2 位作者 朱海滨 陈团结 艾德臻 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第1期50-53,90,共5页
采用射频磁控溅射方法,在Si\MgO衬底上制备了MgB2薄膜,通过X射线衍射图分析了不同退火温度对薄膜结构性质的影响;用直流四探针法对其阻温特性进行了研究.结果表明,由于膜中多种成分的相互渗透,造成了低温下电子的相互关联,导致薄膜的阻... 采用射频磁控溅射方法,在Si\MgO衬底上制备了MgB2薄膜,通过X射线衍射图分析了不同退火温度对薄膜结构性质的影响;用直流四探针法对其阻温特性进行了研究.结果表明,由于膜中多种成分的相互渗透,造成了低温下电子的相互关联,导致薄膜的阻温特性在175.9 K时发生了金属-绝缘转变.在Mott模型和Anderson模型下对此现象进行了解释. 展开更多
关键词 磁控溅射 mgb2薄膜 XRD Mott模型 ANDERSON模型
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先驱硼薄膜的质量对MgB_2超导薄膜的影响
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作者 劳振花 姜兆波 王殿生 《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期51-53,58,共4页
以高纯乙硼烷(B2H6)为B源,采用化学气相沉积(CVD)方法在多晶Al2O3衬底上沉积B薄膜,然后在Mg蒸气中异位退火来制备MgB2超导薄膜。通过X射线衍射和MgB2超导薄膜的电阻-温度曲线,研究了先驱硼薄膜的质量对MgB2超导薄膜的影响。
关键词 mgb2 超导薄膜 乙硼烷 化学气相沉积 纯度
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MgB_2超导薄膜半开环结构微带滤波器设计
16
作者 陆安江 雷涛 郑迎宾 《电讯技术》 北大核心 2011年第2期112-115,共4页
采用MgB2超导薄膜材料设计了一个L频段的滤波器。该滤波器采用半开环结构微带谐振腔,产生准椭圆函数响应。滤波器带宽为61 MHz,中心频率为1.75 GHz,带内波纹小于0.1 dB,回波损耗大于18 dB。针对微带滤波器设计过程中出现的中心频率偏移... 采用MgB2超导薄膜材料设计了一个L频段的滤波器。该滤波器采用半开环结构微带谐振腔,产生准椭圆函数响应。滤波器带宽为61 MHz,中心频率为1.75 GHz,带内波纹小于0.1 dB,回波损耗大于18 dB。针对微带滤波器设计过程中出现的中心频率偏移、回波损耗过大等问题提出了解决方法。 展开更多
关键词 超导微带滤波器 半开环结构 mgb2超导薄膜
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退火温度对MgB_2超导薄膜的影响
17
作者 劳振花 姜兆波 王殿生 《青岛大学学报(工程技术版)》 CAS 2007年第4期39-44,共6页
本实验是研究退火温度对MgB2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了MgB2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测... 本实验是研究退火温度对MgB2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了MgB2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法。结果表明,退火温度对MgB2薄膜的超导特性、晶体结构和相纯、表面形貌有影响。退火温度高,生成的MgB2晶粒较大,晶形好,正常态电阻也增大,杂相越少。 展开更多
关键词 mgb2超导薄膜 退火温度 转变温度 晶体结构 表面形貌 相纯
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退火时间对MgB_2超导薄膜的影响
18
作者 劳振花 王殿生 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期27-29,共3页
在多晶A l2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱B薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火时间条件下制备了MgB2超导薄膜。通过电阻-温度曲线测量、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法,研究了退火时间对MgB2薄膜的超导特性、晶体... 在多晶A l2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱B薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火时间条件下制备了MgB2超导薄膜。通过电阻-温度曲线测量、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法,研究了退火时间对MgB2薄膜的超导特性、晶体结构、表面形貌的影响。 展开更多
关键词 mgb2超导薄膜 退火时间 转变温度 晶体结构 表面形貌
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MgB_2超导多层膜的制备方案
19
作者 罗子江 杨健 王继红 《物理实验》 2007年第4期13-15,共3页
简要叙述了MgB2的发展和制备历史,通过对不同衬底材料上MgB2的反应情况的总结概括以及对不同衬底材料和MgB2的晶体结构和晶格常量的比较,提出一种MgB2超导多层膜的制备方案.
关键词 超导 mgb2多层膜 衬底材料
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MgB_2超导薄膜正常态电阻特性研究
20
作者 劳振花 王殿生 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期509-511,共3页
研究了MgB2超导薄膜正常态电阻的影响因素,探讨了与之相应的超导电性机制。MgB2超导薄膜样品采用两步异位退火的Mg扩散方法制备,通过电阻-温度曲线测量、扫描电子显微镜形貌观测和光学金相显微镜观察等方法研究了所制备薄膜的基本特性... 研究了MgB2超导薄膜正常态电阻的影响因素,探讨了与之相应的超导电性机制。MgB2超导薄膜样品采用两步异位退火的Mg扩散方法制备,通过电阻-温度曲线测量、扫描电子显微镜形貌观测和光学金相显微镜观察等方法研究了所制备薄膜的基本特性。实验结果表明,先驱硼薄膜的纯度严重影响着所生成的MgB2超导薄膜的转变温度,退火温度越高,影响越大;退火温度高的样品,正常态电阻大;退火时间长的样品正常态电阻大。 展开更多
关键词 mgb2 超导薄膜 正常态电阻
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