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Ultraviolet photovoltaic characteristic of MgB2 thin film
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作者 赵嵩卿 周岳亮 +6 位作者 赵昆 王淑芳 陈正豪 吕惠宾 金奎娟 程波林 杨国桢 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期839-841,共3页
Fast photoelectric effects have been observed in MgB2 thin film fabricated by chemical vapour deposition. The rise time was -10 ns and the full width at half-maximum was -185ns for the photovoltaic pulse when the film... Fast photoelectric effects have been observed in MgB2 thin film fabricated by chemical vapour deposition. The rise time was -10 ns and the full width at half-maximum was -185ns for the photovoltaic pulse when the film was irradiated by a 308 nm laser pulse of 25 ns in duration. X-ray diffraction and the scanning electron microscope revealed that the film was polycrystalline with preferred c-axis orientation. We propose that nonequilibrium electron-hole pairs are excited in the grains and grain boundary regions for MgB2 film under ultraviolet laser and then the built-ln electric field near the grain boundaries separates carriers, which lead to the appearance of an instant photovoltage. 展开更多
关键词 mgb2 photovoltaic effect thin film
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The microwave response of MgB2 /Al2O3 superconducting thin films
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作者 史力斌 王云飞 +8 位作者 柯于洋 张国华 罗胜 张雪强 李春光 黎红 何豫生 于增强 王福仁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第3期799-804,共6页
Microwave characteristics of MgB2/Al2O3 superconducting thin films were investigated by coplanar resonator technique. The thin films studied have different grain sizes resulting from different growth techniques. The ... Microwave characteristics of MgB2/Al2O3 superconducting thin films were investigated by coplanar resonator technique. The thin films studied have different grain sizes resulting from different growth techniques. The experimental results can be described very well by a grain-size model which combines coplanar resonator theory and Josephson junction network model. It was found that the penetration depth and surface resistance of thin films with smaller grain sizes are larger than those of thin films with larger grain sizes. 展开更多
关键词 mgb2/Al2O3 thin films surface resistance penetration depth grain-size model
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混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜 被引量:4
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作者 姚丹 庄承钢 +3 位作者 张开成 余增强 冯庆荣 王福仁 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期357-360,共4页
用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密... 用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm^1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。 展开更多
关键词 mgb2薄膜 M-T曲线 X射线衍射图 SEM图 EDX成分分析
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电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的可行性研究 被引量:3
4
作者 孔祥东 戴倩 +4 位作者 韩立 冯庆荣 初明璋 薛虹 李建国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期758-762,共5页
提出了电子束退火制备MgB2超导薄膜新工艺。在对电子束退火制备MgB2超导薄膜可行性进行理论研究的基础上,使用EBW-6型电子束热处理设备,在真空度5.0×10-3Pa、加速电压40 kV、束流2mA、束斑14.2mm、退火时间1.5 s的条件下对[B(10 nm... 提出了电子束退火制备MgB2超导薄膜新工艺。在对电子束退火制备MgB2超导薄膜可行性进行理论研究的基础上,使用EBW-6型电子束热处理设备,在真空度5.0×10-3Pa、加速电压40 kV、束流2mA、束斑14.2mm、退火时间1.5 s的条件下对[B(10 nm)/Mg(15 nm)]4/SiC夹层结构前驱膜进行了退火实验,得到了零电阻温度为30.3K、转变宽度ΔTc为0.4K、临界电流密度(5 K、0 T)为5.0×106A/cm2、表面平整的MgB2超导薄膜。证明了电子束退火制备MgB2薄膜是切实可行的。该工艺可以推广到大面积MgB2超导薄膜和MgB2线带材的制备。 展开更多
关键词 mgb2 超导薄膜 SIC衬底 电子束退火
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芘掺杂对MgB_2薄膜超导性能的影响 被引量:1
5
作者 张松 马军礼 +3 位作者 付尧 王旭 罗子江 邓朝勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期2055-2059,共5页
采用芘粉(C_(16)H_(10))作为掺杂物,利用化学气相沉积法,制备了不同掺杂量的MgB_2超导薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜和综合物性测量系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。结果显示,随着C_(16)H_(10)掺杂量的增加... 采用芘粉(C_(16)H_(10))作为掺杂物,利用化学气相沉积法,制备了不同掺杂量的MgB_2超导薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜和综合物性测量系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。结果显示,随着C_(16)H_(10)掺杂量的增加,晶格常数a逐渐变小,MgB_2的晶粒逐渐细化。所有的掺杂样品都表现出比纯净样品更好的载流能力。当C_(16)H_(10)掺杂量达到0.2g时,MgB_2薄膜的临界电流密度(Jc)和不可逆场表现出最佳的性能。掺杂0.2g的样品在5K,3T的Jc为1.12×10~4 A/cm^2,高于纯净样品Jc一个数量级,说明了掺杂样品的磁通钉扎能力得到了显著的提高。 展开更多
关键词 mgb2薄膜 掺杂 临界电流密度 磁通钉扎
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混合物理化学气相法(HPCVD)制备MgB_2超导薄膜技术 被引量:2
6
作者 周章渝 杨发顺 +2 位作者 王松 杨健 傅兴华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期893-896,共4页
介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生... 介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响。结果表明,随着基底温度的升高,MgB2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高。 展开更多
关键词 mgb2超导薄膜 沉积温度 混合物理化学气相法(HPCVD)
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MgB_2薄膜金属-绝缘体转变的研究
7
作者 李彦炜 孙爱民 +2 位作者 朱海滨 陈团结 艾德臻 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第1期50-53,90,共5页
采用射频磁控溅射方法,在Si\MgO衬底上制备了MgB2薄膜,通过X射线衍射图分析了不同退火温度对薄膜结构性质的影响;用直流四探针法对其阻温特性进行了研究.结果表明,由于膜中多种成分的相互渗透,造成了低温下电子的相互关联,导致薄膜的阻... 采用射频磁控溅射方法,在Si\MgO衬底上制备了MgB2薄膜,通过X射线衍射图分析了不同退火温度对薄膜结构性质的影响;用直流四探针法对其阻温特性进行了研究.结果表明,由于膜中多种成分的相互渗透,造成了低温下电子的相互关联,导致薄膜的阻温特性在175.9 K时发生了金属-绝缘转变.在Mott模型和Anderson模型下对此现象进行了解释. 展开更多
关键词 磁控溅射 mgb2薄膜 XRD Mott模型 ANDERSON模型
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先驱硼薄膜的质量对MgB_2超导薄膜的影响
8
作者 劳振花 姜兆波 王殿生 《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期51-53,58,共4页
以高纯乙硼烷(B2H6)为B源,采用化学气相沉积(CVD)方法在多晶Al2O3衬底上沉积B薄膜,然后在Mg蒸气中异位退火来制备MgB2超导薄膜。通过X射线衍射和MgB2超导薄膜的电阻-温度曲线,研究了先驱硼薄膜的质量对MgB2超导薄膜的影响。
关键词 mgb2 超导薄膜 乙硼烷 化学气相沉积 纯度
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退火温度对MgB_2超导薄膜的影响
9
作者 劳振花 姜兆波 王殿生 《青岛大学学报(工程技术版)》 CAS 2007年第4期39-44,共6页
本实验是研究退火温度对MgB2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了MgB2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测... 本实验是研究退火温度对MgB2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了MgB2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法。结果表明,退火温度对MgB2薄膜的超导特性、晶体结构和相纯、表面形貌有影响。退火温度高,生成的MgB2晶粒较大,晶形好,正常态电阻也增大,杂相越少。 展开更多
关键词 mgb2超导薄膜 退火温度 转变温度 晶体结构 表面形貌 相纯
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退火时间对MgB_2超导薄膜的影响
10
作者 劳振花 王殿生 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期27-29,共3页
在多晶A l2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱B薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火时间条件下制备了MgB2超导薄膜。通过电阻-温度曲线测量、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法,研究了退火时间对MgB2薄膜的超导特性、晶体... 在多晶A l2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱B薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火时间条件下制备了MgB2超导薄膜。通过电阻-温度曲线测量、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法,研究了退火时间对MgB2薄膜的超导特性、晶体结构、表面形貌的影响。 展开更多
关键词 mgb2超导薄膜 退火时间 转变温度 晶体结构 表面形貌
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MgB_2超导薄膜正常态电阻特性研究
11
作者 劳振花 王殿生 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期509-511,共3页
研究了MgB2超导薄膜正常态电阻的影响因素,探讨了与之相应的超导电性机制。MgB2超导薄膜样品采用两步异位退火的Mg扩散方法制备,通过电阻-温度曲线测量、扫描电子显微镜形貌观测和光学金相显微镜观察等方法研究了所制备薄膜的基本特性... 研究了MgB2超导薄膜正常态电阻的影响因素,探讨了与之相应的超导电性机制。MgB2超导薄膜样品采用两步异位退火的Mg扩散方法制备,通过电阻-温度曲线测量、扫描电子显微镜形貌观测和光学金相显微镜观察等方法研究了所制备薄膜的基本特性。实验结果表明,先驱硼薄膜的纯度严重影响着所生成的MgB2超导薄膜的转变温度,退火温度越高,影响越大;退火温度高的样品,正常态电阻大;退火时间长的样品正常态电阻大。 展开更多
关键词 mgb2 超导薄膜 正常态电阻
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MgB_2超导膜制备技术 被引量:1
12
作者 任荣君 李长生 +1 位作者 陈自新 罗平辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期92-95,共4页
介绍了自 MgB_2超导电性被发现以来,用于制备 MgB_2薄膜/厚膜的各种基片、主要生长方法以及退火工艺,简单概述了薄膜制作超导隧道结方面的研究状况。
关键词 超导电性 二硼化镁 薄膜 厚膜 隧道结
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脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB_2薄膜的研究 被引量:1
13
作者 任国利 张撷秋 +2 位作者 聂瑞娟 王守证 王福仁 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期710-714,共5页
采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影... 采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为200℃,退火时间5min时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度退火温度曲线。在退火温度为670℃、720℃时,得到了最高的临界转变温度Tc=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有c轴取向。同时比较了在200℃下沉积,在670℃下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在670℃下退火5min的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。 展开更多
关键词 mgb2 超导薄膜 脉冲激光沉积 原位后退火
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MgB_2超导薄膜的化学气相沉积 被引量:1
14
作者 迟振华 王天生 +5 位作者 漆汉宏 于栋利 何巨龙 刘世民 田永君 李东春 《物理测试》 CAS 2003年第4期3-5,共3页
探索了采用化学气相沉积法,在LaAlO3单晶基片上原位制备了MgB2超导薄膜。X射线衍射(XRD) 分析表明薄膜的相纯度不理想,扫描电子显微镜(SEM)观察表明薄膜的表面比较粗糙,用标准四引线法测得 薄膜的起始转变温度(Tc onset)为30K,零电阻温... 探索了采用化学气相沉积法,在LaAlO3单晶基片上原位制备了MgB2超导薄膜。X射线衍射(XRD) 分析表明薄膜的相纯度不理想,扫描电子显微镜(SEM)观察表明薄膜的表面比较粗糙,用标准四引线法测得 薄膜的起始转变温度(Tc onset)为30K,零电阻温度(Tc0)为18K。 展开更多
关键词 二硼化镁 超导薄膜 化学气相沉积 原位反应 XRD SEM 起始转变温度
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MgB_2薄膜磁通钉扎的各向异性
15
作者 吕慧 张延显 杨祥鹏 《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期450-453,共4页
测量了不同温度下,外场分别平行于样品ab面和平行于c轴两种情况下的M-H磁滞回线和I-V特性曲线,从磁测量和传输测量计算出临界电流密度和钉扎力密度。同时测量了两个方向上的磁弛豫,并由此估算了它的有效钉扎势。通过比较这两个方向上的... 测量了不同温度下,外场分别平行于样品ab面和平行于c轴两种情况下的M-H磁滞回线和I-V特性曲线,从磁测量和传输测量计算出临界电流密度和钉扎力密度。同时测量了两个方向上的磁弛豫,并由此估算了它的有效钉扎势。通过比较这两个方向上的静态和动态特性,我们发现在高度c-轴取向MgB2薄膜中,钉扎力的各向异性主要来自于超导体固有的各向异性,其主要的钉扎中心是各向同性的正常态点缺陷。 展开更多
关键词 mgb2薄膜 超导薄膜各向异性 磁通钉扎
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基于FIB/HPCVD的MgB;超导微桥制备
16
作者 张新月 李艳丽 +1 位作者 孔祥东 韩立 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第12期1100-1107,共8页
超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)Si... 超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)SiC衬底上制备出尺寸约1μm×1μm的微桥结构,然后采用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法,在带有微桥结构的SiC衬底上生长厚度约20 nm的MgB;薄膜,从而得到MgB;超导微桥。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,微桥处的薄膜致密,晶粒沿垂直于衬底表面的c轴方向生长;原子力显微镜(AFM)分析薄膜的粗糙度约为0.8 nm;电阻-温度(R-T)测试结果表明,MgB;微桥的上超导转变温度约为40.43 K;由电流-电压(I-V)测试结果计算得到MgB;超导微桥的临界电流密度约为1.2×10^(7)A/cm^(2)。该工作对基于超导微桥结构的超导热电子混频器等超导电子学器件的制备具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 聚焦离子束(FIB) 混合物理化学气相沉积(HPCVD) MGB 薄膜 超导微桥 超导热电子混频器
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电化学方法进行MgB_2超导薄膜的制备
17
作者 杨祥鹏 王建波 孙远航 《化工时刊》 CAS 2006年第1期4-5,32,共3页
自MgB2的超导电性被发现之后,一些科研小组就尝试合成MgB2样品线材、带材和薄膜。我们尝试用电沉积方法在衬底上生长MgB2薄膜。电沉积法虽然所需设备投资少、工艺简单,但影响因素却相当复杂,薄膜性能不仅决定于电流、电压、温度、溶剂... 自MgB2的超导电性被发现之后,一些科研小组就尝试合成MgB2样品线材、带材和薄膜。我们尝试用电沉积方法在衬底上生长MgB2薄膜。电沉积法虽然所需设备投资少、工艺简单,但影响因素却相当复杂,薄膜性能不仅决定于电流、电压、温度、溶剂、溶液的pH值及其浓度、还受到溶液的离子浓度、电极的表面状态等因素影响。我们尝试用三电极系统在硼酸和乙酸镁的溶液中沉积MgB2,在实验中不断摸索和总结,不断改变实验条件和参数。并对沉积后的样品退火后作EDAX、SEM等检测分析。 展开更多
关键词 超导 mgb2 薄膜 电化学
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MgB_2超导体的相图及其对薄膜制备的指导作用
18
作者 汪怀蓉 李良荣 +2 位作者 张荣芬 李绪诚 虞苏青 《贵州大学学报(自然科学版)》 2012年第3期47-50,共4页
MgB2适合于制备约瑟夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景。制备高质量的MgB2薄膜至关重要,应用Mg-B/Mg-B-O体系的相图指导MgB2薄膜生长意义重大。总结MgB2相体系及相关系,详细对比分析Mg-B/Mg-B-O体系的热力学相图,总结分析富氧区... MgB2适合于制备约瑟夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景。制备高质量的MgB2薄膜至关重要,应用Mg-B/Mg-B-O体系的相图指导MgB2薄膜生长意义重大。总结MgB2相体系及相关系,详细对比分析Mg-B/Mg-B-O体系的热力学相图,总结分析富氧区杂项MgO的生成机理及其对MgB2薄膜质量和性能的影响,研究分析有氧体系下Mg-B/Mg-B-O热力学相图对MgB2薄膜材料制备生长的指导意义,探讨HPCVD环境下采用原位生长技术制备MgB2超导薄膜时热力学相图的指导作用及相关制备工艺。 展开更多
关键词 mgb2超导体 相图 薄膜制备
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MgB2超薄膜的制备和性质研究 被引量:2
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作者 孙玄 黄煦 +1 位作者 王亚洲 冯庆荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期635-644,共10页
利用混合物理化学气相沉积法在6H-SiC(001)衬底上制备干净的MgB2超导超薄膜.在本底气体压强、载气氢气流量等条件一定的情况下,改变B2H6流量及沉积时间,制备得到不同厚度的系列MgB2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ(42K... 利用混合物理化学气相沉积法在6H-SiC(001)衬底上制备干净的MgB2超导超薄膜.在本底气体压强、载气氢气流量等条件一定的情况下,改变B2H6流量及沉积时间,制备得到不同厚度的系列MgB2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ(42K)、上临界磁场Hc2等与膜厚的关系.该系列超薄膜沿c轴外延生长,随膜厚度的变小,Tc(0)降低,ρ(42K)升高.膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式.对于厚度为7.5nm的MgB2超薄膜,Tc(0)=32.8K,ρ(42K)=118μΩcm,是迄今为止所观测到的厚度为7.5nm的MgB2超薄膜最高的Tc值;对于厚度为10nm的MgB2膜,Tc(0)=35.5K,ρ(42K)=17.7μΩcm,上临界磁场μ0Hc2估算为12T左右,零磁场、4K时的临界电流密度Jc=1.0×107A/cm2,是迄今为止10nm厚MgB2超薄膜的最高Jc值,且其表面连接性良好,均方根粗糙度为0.731nm.这预示MgB2超薄膜在超导纳米器件上具有广阔的应用前景. 展开更多
关键词 mgb2超薄膜 薄膜生长 氢气流量 混合物理化学气相沉积
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多层膜外退火方法制备MgB_2超导薄膜 被引量:7
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作者 余增强 吴克 +2 位作者 马小柏 聂瑞娟 王福仁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期512-517,共6页
报道了利用电子束蒸发的Mg/B多层膜作为前驱体,然后退火制备MgB2薄膜的工作.实验中发现,采用翻转膜面的退火处理方式可以有效地避免降温过程中Mg蒸气在薄膜表面形成的颗粒凝结,由此稳定地实现了面积为10mm×10mm,均匀、平整的超导... 报道了利用电子束蒸发的Mg/B多层膜作为前驱体,然后退火制备MgB2薄膜的工作.实验中发现,采用翻转膜面的退火处理方式可以有效地避免降温过程中Mg蒸气在薄膜表面形成的颗粒凝结,由此稳定地实现了面积为10mm×10mm,均匀、平整的超导薄膜的制备,Tc达35K,转变宽度为0·8K,在5μm×5μm的区域内薄膜的平均粗糙度小于10nm.为了便于后续器件制作过程中的微加工工艺,研究了膜厚小于1000时薄膜的成相规律,发现当样品厚度减薄后,Tc会有明显降低.通过调整前驱薄膜中的不同分层厚度,仍可实现转变温度达30K以上、厚度约600的MgB2薄膜,在20K时的临界电流密度为2·4×106A/cm2. 展开更多
关键词 mgb2薄膜 外退火 超导成相 表面形貌
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