关于MgF_2氧化问题的Rietveld全谱拟合研究

用Rietveld全谱拟合方法研究了MgF2 在大气中随着温度的升高转变为MgO的过程 ,确定了其转变条件、精化了转变前后的相关参数。结果表明 :纯MgF2 在大气中于 80 0℃左右开始向MgO转变 ,Ag加MgF2 与单纯MgF2 在促成MgO的生成方面无异 ,MgF2 在 70 0℃左右存在一个异常膨胀区 ,MgF2

Au-MgF_2复合纳米颗粒薄膜的制备和微结构

用射频磁控共溅射法制备了Au体积分数分别为 6 %、1 5 %、2 5 %、4 0 %、5 0 %和 6 0 %的Au MgF2 复合纳米颗粒薄膜。用X射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱对薄膜的微结构和组分进行了测试分析 ,分析结果表明 :制备的Au MgF2 复合纳米颗粒薄膜由fcc Au晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,当Au体积百分含量由 1 5 %增至 6 0 %时 ,其平均晶粒尺寸由 5 1nm增大到 2 1 2nm ,晶格常数由 0 39984nm增大到 0 4 0 74 3nm ;随Au体积百分含量由 6 %增至5 0 % ,其颗粒平均粒径则由 9 8nm增至 2 1 4nm。名义组分为vol.6 0 %Au MgF2 样品中Au的体积百分含量约为 6 2 6 % ,与设计值基本一致。

真空紫外Al/MgF_2反射镜

采用三步热舟蒸发制作法研制了真空紫外Al/MgF2反射镜,研究了改善制备工艺有效提升反射率的方法。在两层Al/MgF2反射镜制备过程中,第一步在室温石英基板上快速蒸发厚约70nm的铝膜;第二步在铝膜表面迅速蒸发厚约10nm的MgF2;第三步先对基板加热到一定温度后,再在Al＋MgF2的表面上蒸发15~20nm厚的MgF2。通过调整基板温度（室温、100℃、200℃和300℃）,研究了基板温度对Al/MgF2反射率的影响。真空紫外反射率计测试结果表明：第二步蒸镀MgF2之后增加基板温度有利于提高反射镜的反射率;MgF2薄膜的厚度对反射镜的反射率起到一定的调制作用,MgF2厚为26.7nm的反射镜在122nm处的反射率达85%。在实验室环境下存放1个月和5个月后,反射镜的反射率没有变化。研究结果为真空紫外光学系统需求的高性能光学元件的研制提供了技术基础。

Co^(2+)离子在MgF_2和ZnF_2晶体中的各向异性g因子的理论研究

利用基于基团模型的 3d7离子在斜方对称中的高阶微扰公式计算了MgF2 和ZnF2 晶体中Co2 + 杂质中心的各向异性g因子 gx,gy 和gz.在计算中 ,考虑了共价效应 ,组态相互作用和斜方晶体场的贡献 ;而且与此相关的参量可由所研究的晶体的光谱和结构数据得到 .计算结果与实验符合较好 .

Ag-MgF_2纳米金属陶瓷薄膜的光吸收特性

测量了真空热蒸发沉积法制备的Ag MgF2 纳米金属陶瓷薄膜在近紫外到可见光区的吸收光谱、光学常数和介电函数 ,观察到在 42 7nm处有明显的表面等离子激元共振吸收峰。消光系数与介电函数的虚部谱形类似。

MgF_2薄膜对荧光薄膜紫外响应灵敏度的增强特性研究

在光敏面上镀制荧光薄膜将紫外光转变为可见光，是提高CCD和CMOS图像传感器紫外响应灵敏度的一种有效方法。针对荧光薄膜入射界面的散射和反射损耗降低荧光发光强度的分析，研究在荧光薄膜上镀制增透膜和阻隔膜的灵敏度增强特性。采用真空热阻蒸发的镀膜方法分别制备了单层Lumogen荧光薄膜和MgF2/Lumogen复合膜。利用原子力显微镜，紫外可见近红外分光光度计，荧光光谱仪对两种样品的表面粗糙度，漫反射和透射光谱以及荧光发光光谱分别进行对比测试分析。结果表明：M g F2保护层降低了表面粗糙度，减小了入射界面的漫反射损耗，对500～700 nm的可见波段具有明显增透作用，也增强了Lumogen薄膜对紫外波段受激发射的荧光强度；同时，MgF2薄膜的抗损伤及水汽隔离性能对荧光薄膜紫外响应能力具有保护作用，为延长紫外CCD薄膜及器件的工作寿命提供了有效手段。

硅太阳电池用MgF2/ZnS双层减反射薄膜的制备及表征

采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/ZnS双层减反射薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征。研究表明:衬底温度为200℃时薄膜附着力、结晶态良好;蒸发速率影响薄膜的表面形态;MgF2/ZnS厚度为110 nm/35 nm时具有最佳减反射效果。

BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu^(2+)的MgF_2表面包覆(英文)

采用溶胶-凝胶法对蓝色荧光粉BaMgAl10O17∶Eu2+(BAM)进行表面包膜处理,获得了表面均匀包覆MgF2膜层的BAM荧光粉。并用SEM、XRD和IR手段对其表面形貌、晶格结构性能进行了表征;用EDS对BAM粉体的表面元素进行了定性分析;用荧光光谱测试对荧光粉的发光性能进行了研究。结果表明,在BAM粉体表面均匀包覆MgF2层后,BAM的晶格结构,发光性能没有改变,初始亮度较未包覆的荧光粉有所降低,经过相同条件的热处理后,包覆MgF2荧光粉的亮度热衰减程度明显低于未包覆的荧光粉,且色坐标偏移现象不明显。

BaMgAl_(10)O_(17):Eu^(2+)蓝色荧光粉表面包覆MgF_2的性能

采用机械研磨包覆法对BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)粉体进行表面包膜处理,获得了表面均匀包覆MgF2膜层的BAM荧光粉。并用SEM、XRD和IR手段对其表面形貌、晶格结构性能进行了表征;用EDS对BAM粉体的表面元素进行了定性分析;用荧光光谱测试对荧光粉的发光性能进行了研究。结果表明,在BAM粉体表面均匀包覆MgF2层后,BAM的晶格结构、发光性能没有改变,初始亮度较未包覆的荧光粉有所降低,经过相同条件的热处理后,包覆MgF2荧光粉的亮度热衰减程度明显低于未包覆的荧光粉,且没有发生明显的色坐标偏移现象。

退火温度对Ag-MgF_2颗粒膜结构和内应力的影响

报道用电子薄膜应力分布测试仪测量退火温度对Ag -MgF2 复合颗粒薄膜内应力的影响 ,结果表明 ,退火温度在 40 0℃ ,薄膜平均应力最小 ,应力分布比较均匀。XRD分析表明 ,Ag -MgF2 复合颗粒薄膜的内应力主要来自Ag晶粒的生长过程 ,当Ag的晶格常数接近块体时 (40 0℃温度退火 6 0分钟 ) ,Ag-MgF2 薄膜内应力最小。

Ni掺杂MgF_2电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了过渡金属Ni不同比例(16.67%,12.5%,8.33%,6.25%)掺杂的MgF_2晶体的几何结构、电子结构和光学性质.通过对比发现,由于Ni原子的掺入,体系的禁带宽度减小且能带中出现中间杂质带.另外,介电函数虚部以及吸收光谱图中均出现双峰结构,结合前人的计算给出了详细的物理机制.上述现象,揭示了Ni掺杂MgF_2体系在光学元器件方面的潜在应用.

Au-MgF_2复合薄膜非规则微结构的多重分形表征

研究不同体积分数Au-MgF_2复合薄膜的非规则微结构,采用局部消除异常法获得薄膜的多重分形谱,结果显示：随着Au体积分数的增加,表征薄膜分布不均匀性的分形谱宽△α从1．4845减小到0．1308,表明薄膜中Au颗粒的分布越来越均匀。当Au体积分数6．0%和13．8%时,△f厂为负值,而当Au体积分数为38．2%和62．6%时,△f为正值,说明随着体积分数的增加,薄膜中Au颗粒的尺寸分布由小尺寸Au颗粒为主导分布,向大尺寸Au颗粒为主导分布的过渡。

MgF_2对低温烧结75氧化铝陶瓷性能的影响

采用复合烧结助剂MgO-CaO-ZnO-SiO2-MgF2降低氧化铝陶瓷烧结温度并保持优良的力学性能,着重研究了MgF2对材料烧结性能、力学性能和显微结构的影响。结果表明:MgF2与MgO-CaO-ZnO-SiO2助烧剂相作用进一步促进了氧化铝陶瓷烧结。当添加剂MgF2为2%(质量分数)时,氧化铝复相陶瓷样品在1270～1330℃抗折强度达165 MPa,体积密度为3.18g/cm3。

Cr/MgF_2氟化催化剂活性物种的研究

用混合法制备了Cr/MgF2 氟化催化剂 ,并以CH2 Cl2 氟化合成CH2 F2 为模型反应 ,评价了催化剂经活化、强制失活、空气焙烧再生和HF氟化四个过程的活性 .实验结果发现 ,积炭会抑制催化剂的活性 ,而催化剂活性的降低可能主要是由于Cr的氟化物种减少所致 .XRD结果表明 ,Cr/MgF2 催化剂可能存在具有较高催化活性的CrOxFy.由XPS结果可推断 ,新鲜催化剂的主要活性物种可能是CrOxFy 和Cr(OH) xFy,后者不稳定 ,易转化为晶体的Cr2 O3 和无定形的CrF3 ;再生催化剂可能只含有CrOxFy.表面原子浓度比表明 ,MgF2 以非化学计量的MgFx(x <2 )缺陷结构存在 .这种缺陷结构可能提高了活性物种的活性 .

基底温度对Ag-MgF_2金属陶瓷薄膜内应力的影响

用电子薄膜应力分布测试仪测量了基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响。结果表明:基底温度在300℃～400℃范围内,20.4mm选区内的薄膜平均应力最小,应力分布比较均匀,应力为张应力。XRD分析表明:当基底温度在300℃～400℃范围内,Ag-MgF2薄膜中的Ag和MgF2组分的晶格常数接近块体值,说明通过改变基底温度可以降低薄膜内应力。

有效介质理论在Ag-MgF_2复合纳米颗粒薄膜中的应用

将描述弥散体系行为的Maxwell Garnett理论与Bruggeman理论应用于Ag MgF2 复合纳米颗粒薄膜 ,分别计算出该复合体系在 2 5 0nm～ 830nm波段范围内的光学常数n、k随波长λ的变化 ,并与实验结果进行比较。发现较之普遍采用的Maxwell Garnett理论 ,由Bruggeman理论计算出的n λ、k λ曲线的峰位、峰宽及峰位随Ag组分质量百分率的位移都与实验结果更为接近。

Cu-MgF_2纳米金属陶瓷薄膜的微结构及吸收光谱特性研究

对用蒸发技术制备的Cu -MgF2 纳米金属陶瓷薄膜微结构及吸收光谱特性进行了研究。微结构分析表明薄膜由fcc -Cu纳米晶粒镶嵌于主要呈非晶态的MgF2 基体中所组成 ,晶粒的平均粒度约为 1 4～ 1 6nm。Cu -MgF2 纳米金属陶瓷薄膜在 2 0 0～ 80 0nm波段内的吸收光谱表明 :随着波长增加 ,吸收减小 ;Cu纳米晶粒的表面等离子共振吸收峰出现于 560nm处 ;短波长区呈现较强的Cu的带间跃迁吸收。用三维弥散系统的Maxwell-Garnett理论对Cu -MgF2 复合体系的实验吸收光谱特性作出了解释。

Si基片上射频磁控溅射MgF_2薄膜的光学常数研究

用射频磁控溅射技术在室温Si基片上制备了厚度分别为25.0nm和60.7nm的MgF2薄膜样品,并用反射式椭偏光谱技术对薄膜的光学常数进行了测试分析。250～830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明:随着膜厚增加,MgF2薄膜的光学常数n、k的变化范围减小,平均值增大;MgF2薄膜样品的吸收曲线k在波长λ为270nm和360nm处均出现由通过辐射产生的F心引起的吸收峰。

用模拟退火法确定MgF_2薄膜折射率和厚度

研究了确定单层MgF2薄膜的物理厚度及其在深紫外/真空紫外波段折射率的方法。首先,利用钼舟热蒸发工艺在B270基底上制备了单层MgF2薄膜。然后,依据MgF2单层膜在不同入射角下的反射光谱,采用模拟退火方法确定了MgF2薄膜在170～260nm波段的折射率和物理厚度,并与由椭圆偏振法确定的薄膜参数进行了比较。实验显示,采用模拟退火和椭圆偏振两种方法确定的MgF2薄膜厚度分别为248.5nm和249.5nm,偏差为0.4%;而用上述两种方法在240～260nm波段确定的单层MgF2薄膜的折射率偏差均小于0.003。得到的结果证实了依据不同入射角下的反射光谱,用模拟退火方法确定MgF2薄膜厚度和折射率的可靠性。

MgF_2基催化剂合成CH_2F_2的研究

用混合法制备了一系列含Cr3+和过渡金属助剂的MgF2 基催化剂。考察了助剂对CrF3/MgF2 催化剂氟化CH2 Cl2 的催化性能 ,结果表明 ,在Cr3+/MgF2 中添加一定的Co2 +和Ni2 +能提高催化剂稳定性 ,延长使用寿命 ;Zn2 +能提高CH2 F2 的选择性 ;Fe3+和Cu2 +对Cr3+/MgF2 的活性有抑制作用。讨论了配料比、空速和温度等反应条件对催化剂性能的影响。