氟化镁单晶体与多晶体成膜后薄膜耐磨性分析

分析了氟化镁单晶体与多晶体成膜过程的行为 ,得出了二者不同的聚集方式是造成薄膜耐磨性差异的原因这一结论。给出了改善单晶氟化镁耐磨性的最佳退火条件 :35 0℃退火 2h。