MgIn_(2)S_(4)复合金属硫系化物三元半导体的制备及光催化降解酸性湖蓝A的应用

以硫代乙酰胺(TAA)为硫源,采用简单的一步水热法合成MgIn_(2)S_(4)复合金属硫系化物三元半导体光催化剂,并利用X射线粉末衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行表征。进行光催化降解酸性湖蓝A实验,探讨了MgIn_(2)S_(4)量对样品催化性能的影响。结果表明:MgIn_(2)S_(4)的光生电子更易迁移,使复合催化剂的降解能力增强,表现出更优越的光催化性能。通过响应面优化法得出MgIn_(2)S_(4)样品最优量,并且降解30min后,降解率达到99.8%,达到较高的利用率。

TiO_(2)/MgIn_(2)S_(4)异质结光电极对316L不锈钢的光电化学阴极保护性能的影响研究

本文首先通过水热法制备了TiO_(2)纳米片光电极,进一步通过二次水热在TiO_(2)纳米片制备了MgIn_(2)S_(4)纳米花,通过控制MgIn_(2)S_(4)水热反应的温度制备了系列TiO_(2)/MgIn_(2)S_(4)-X异质结光电极,同时研究了异质结光电极对316L不锈钢的光电化学阴极保护性能。实验结果表明,随着水热温度的提升TiO_(2)/MgIn_(2)S_(4)-X异质结对316L不锈钢的光电化学阴极保护性能不断提升,在水热温度为200℃时,TiO_(2)/MgIn_(2)S_(4)-200的光电化学阴极保护性能最佳。