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电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜
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作者 何海英 偰正才 +2 位作者 罗怡韵 夏远凤 牛憨笨 《光电子技术》 CAS 2015年第1期70-72,共3页
采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜。薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14~92.05%,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大。霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控... 采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜。薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14~92.05%,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大。霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59cm2 V-1s-1。 展开更多
关键词 mgsno薄膜 电子束蒸发 电学特性 光学特性
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