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溅射功率对MgZnO薄膜晶体管性能的影响
被引量:
1
1
作者
岳廷峰
高晓红
+2 位作者
刘建文
付钰
孟冰
《吉林建筑大学学报》
CAS
2021年第1期79-83,共5页
本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微...
本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微镜(AFM)和描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌进行探测.实验结果表明,不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管的性能有影响,当Mg靶溅射功率为3 W时,器件电学性能以及薄膜质量最佳,电流开关比为1.54×10^(7),阈值电压为24 V,亚阈值摆幅为1.1 V/decade,界面缺陷态密度为3.82×10^(12) cm^(-2)·eV^(-1),所占的的原子百分比(at.%)分别为1.54,MgZnO薄膜的均方根粗糙度(RMS)为1.168 nm,粗糙度数值最低.
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关键词
mgzno
薄膜晶体管
溅射功率
Mg掺杂量
下载PDF
职称材料
MgZnO薄膜晶体管在紫外探测中的特性研究
被引量:
1
2
作者
吴昀卓
高晓红
+4 位作者
秦大双
曾一明
张耕严
岳廷峰
刘建文
《电脑知识与技术》
2020年第6期252-254,共3页
室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.1...
室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.16A/W、7.74A/W.光暗电流比在101~104之间。通过紫外光分度计测试出薄膜在可见光区域透过率达到90%以上,光学带隙为3.28eV。
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关键词
mgzno
薄膜晶体管
mgzno
薄膜
MSM结构
响应度
光暗电流比
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职称材料
题名
溅射功率对MgZnO薄膜晶体管性能的影响
被引量:
1
1
作者
岳廷峰
高晓红
刘建文
付钰
孟冰
机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
出处
《吉林建筑大学学报》
CAS
2021年第1期79-83,共5页
文摘
本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微镜(AFM)和描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌进行探测.实验结果表明,不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管的性能有影响,当Mg靶溅射功率为3 W时,器件电学性能以及薄膜质量最佳,电流开关比为1.54×10^(7),阈值电压为24 V,亚阈值摆幅为1.1 V/decade,界面缺陷态密度为3.82×10^(12) cm^(-2)·eV^(-1),所占的的原子百分比(at.%)分别为1.54,MgZnO薄膜的均方根粗糙度(RMS)为1.168 nm,粗糙度数值最低.
关键词
mgzno
薄膜晶体管
溅射功率
Mg掺杂量
Keywords
mgzno thin film transistor
sputtering power
Mg doping amount
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
MgZnO薄膜晶体管在紫外探测中的特性研究
被引量:
1
2
作者
吴昀卓
高晓红
秦大双
曾一明
张耕严
岳廷峰
刘建文
机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
出处
《电脑知识与技术》
2020年第6期252-254,共3页
基金
大学生创新创业训练计划项目(201910191059)。
文摘
室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.16A/W、7.74A/W.光暗电流比在101~104之间。通过紫外光分度计测试出薄膜在可见光区域透过率达到90%以上,光学带隙为3.28eV。
关键词
mgzno
薄膜晶体管
mgzno
薄膜
MSM结构
响应度
光暗电流比
Keywords
mgzno thin film transistor
mgzno
thin
film
MSM structure
responsivity
light-dark current ratio
分类号
G642 [文化科学—高等教育学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射功率对MgZnO薄膜晶体管性能的影响
岳廷峰
高晓红
刘建文
付钰
孟冰
《吉林建筑大学学报》
CAS
2021
1
下载PDF
职称材料
2
MgZnO薄膜晶体管在紫外探测中的特性研究
吴昀卓
高晓红
秦大双
曾一明
张耕严
岳廷峰
刘建文
《电脑知识与技术》
2020
1
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职称材料
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