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Twinning behaviors of Mg-Sn alloy with basal or prismatic Mg_(2)Sn
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作者 Rui-hao FU Yang-jie WAN +6 位作者 Xun-fei XIONG Dong-di YIN Man-ping LIU Bin JIANG Zi-rong ZHOU Yu-yang GAO Ying ZENG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期2800-2813,共14页
The Mg-Sn alloys,with basal or prismatic Mg_(2)Sn laths,were employed to reveal the effect of precipitate orientation on twinning behavior quantitatively.The Mg-5wt.%Sn alloys with basal or prismatic Mg_(2)Sn were com... The Mg-Sn alloys,with basal or prismatic Mg_(2)Sn laths,were employed to reveal the effect of precipitate orientation on twinning behavior quantitatively.The Mg-5wt.%Sn alloys with basal or prismatic Mg_(2)Sn were compressed to study the twinning behaviors.Subsequently,an Orowan strengthening model was developed to quantitatively investigate the critical resolved shear stress(CRSS)increment of precipitates on twinning.The results revealed that the prismatic precipitates hindered the transfer and growth of tensile twins more effectively compared with the basal precipitates.The decreased proportion of tensile twins containing prismatic Mg_(2)Sn might be attributed to a larger CRSS increment for tensile twins compared with that for basal precipitates.The obvious decreased twinning transfer in the alloy with prismatic Mg_(2)Sn could be due to its higher geometrically necessary dislocation and enhanced CRSS of tensile twins.Notably,the prismatic precipitates have a better hindering effect on tensile twins during compression. 展开更多
关键词 mgsn alloy orientation regulation twinning behavior mg_(2)sn lath Orowan strengthening
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Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷的制备与表征
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作者 何梦慈 王元凯 娄本浊 《化工技术与开发》 CAS 2024年第5期1-5,72,共6页
本研究分别用微量Zn^(2+)与Sn^(4+)取代Mg_(2)+与Ti^(4+),通过固相反应法制备了Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷,并采用阿基米德法、XRD、SEM、EDS及网络分析仪等手段,分析了材料的基本物性和介电特性。基本物性分析结果表明,烧... 本研究分别用微量Zn^(2+)与Sn^(4+)取代Mg_(2)+与Ti^(4+),通过固相反应法制备了Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)微波介电陶瓷,并采用阿基米德法、XRD、SEM、EDS及网络分析仪等手段,分析了材料的基本物性和介电特性。基本物性分析结果表明,烧结温度、Zn掺杂量x、Sn掺杂量y等因素对Mg_(2)TiO_(4)的晶体结构无明显影响,烧结致密性随烧结温度的升高呈先增大后减小的趋势,其中在1300℃下烧结所得的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_(4),烧结致密性最佳,达到98%。微波介电特性分析结果表明,Zn-Sn共掺杂Mg_(2)TiO_(4)的介电常数εr与品质因数Q×f值,均随烧结温度的升高而呈先增大后减小的趋势,且其谐振频率温度系数τf具有较好的稳定性,其中在1300℃下烧结所得的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O4,εr≈15.55,Q×f≈319690GHz,此时τf≈-52.06×10^(-6)·℃^(-1)。与前人的研究结果比较后可知,本研究制备的(Zn_(0.05)Mg_(0.95))2(Sn_(0.05)Ti_(0.95))O_(4)不仅将烧结温度大幅下降至1300℃,还能将品质因子提升至319690GHz,使其微波介电性能得到有效改善。 展开更多
关键词 微波介电陶瓷 mg_(2)TiO_(4) Zn-sn共掺杂 固相反应法 微波介电特性
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Mg_(85)Ni_(15)减反层对玻璃衬底上VO_(2)薄膜光电性能的影响
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作者 王坤 王麒雯 +1 位作者 刘初蕾 康朝阳 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期577-582,共6页
采用脉冲激光沉积技术,在非晶玻璃衬底上生长单斜晶相的二氧化钒(M-VO_(2))薄膜,并研究了Mg_(85)Ni_(15)减反层对M-VO_(2)薄膜性能的影响。实验结果表明:在非晶玻璃衬底上制备的M-VO_(2)薄膜具有单一取向且纯度较高,并具有良好的光电热... 采用脉冲激光沉积技术,在非晶玻璃衬底上生长单斜晶相的二氧化钒(M-VO_(2))薄膜,并研究了Mg_(85)Ni_(15)减反层对M-VO_(2)薄膜性能的影响。实验结果表明:在非晶玻璃衬底上制备的M-VO_(2)薄膜具有单一取向且纯度较高,并具有良好的光电热致转变性能。Mg_(85)Ni_(15)作为减反层,在没有特别降低电学性能的基础上,提高了薄膜的可见光透过率和太阳能调节率。通过对减反层厚度的优化发现:在减反层厚度为60 nm时,相变温度最低,且热滞宽度最窄为6℃。此工作的开展有利于推进VO_(2)薄膜在智能窗方面的应用。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 VO_(2) 薄膜 mg_(85)Ni_(15) 减反层 光电性能
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含金属Mg相的Mg_(2)(Sn,Si)薄膜的微观结构与热电性能
4
作者 冉丽阳 宋贵宏 +4 位作者 陈雨 杨爽 胡方 吴玉胜 尤俊华 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期6215-6223,共9页
利用高真空磁控溅射设备,采用Mg-Sn-Si合金靶材和纯Mg靶进行顺序沉积,在表面含有500 nm厚氧化硅的单晶Si(100)衬底上制备了不同Mg含量的Mg-Sn-Si薄膜。沉积Mg-Sn-Si薄膜的相组成、化学成分、表面和横截面形貌和热电性能被系统的测量、... 利用高真空磁控溅射设备,采用Mg-Sn-Si合金靶材和纯Mg靶进行顺序沉积,在表面含有500 nm厚氧化硅的单晶Si(100)衬底上制备了不同Mg含量的Mg-Sn-Si薄膜。沉积Mg-Sn-Si薄膜的相组成、化学成分、表面和横截面形貌和热电性能被系统的测量、观察和分析。结果表明,制备的Mg-Sn-Si薄膜由Mg_(2)(Sn,Si)固溶体和金属Mg相组成。随着金属Mg相含量的增多,沉积薄膜载流子浓度升高,迁移率降低。沉积薄膜的电导率随着金属Mg相含量的增多而增大,而Seebeck系数降低。沉积薄膜的金属Mg相含量增加,虽然电导率增加,但因Seebeck系数急剧下降,最终导致功率因子下降。在所研究的金属Mg含量范围内,Mg_(2)(Sn,Si)固溶体薄膜含有部分金属Mg相,对提高复合薄膜的功率因子是不利的。 展开更多
关键词 热电材料 mg_(2)(sn Si)/mg复合薄膜 SEEBECK系数 载流子浓度 迁移率 功率因子
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SnS_2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究 被引量:5
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作者 李兵 史成武 +1 位作者 李丽丽 王岩 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期826-828,856,共4页
文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池。用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗粒形貌,用SEM对SnS2薄膜进行了表征,测量了SnS2、SnS薄膜的UV-Vis、UV-Vis-NIR吸收性能。结果表明,所制备的SnS2、SnS... 文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池。用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗粒形貌,用SEM对SnS2薄膜进行了表征,测量了SnS2、SnS薄膜的UV-Vis、UV-Vis-NIR吸收性能。结果表明,所制备的SnS2、SnS颗粒分别呈球形和片状结构且结晶性良好,SnS2薄膜的直接带隙为2.6 eV、间接带隙为2.2 eV,SnS薄膜的直接带隙为1.2 eV,间接带隙为1.0 eV,得到的SnS2/SnS薄膜太阳能电池的短路电流密度为1.1μA/cm2,开路电压为25 mV。 展开更多
关键词 水热法 snS2 snS浸涂法 薄膜太阳能电池
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Sn_2S_3薄膜制备及结构与光学特性 被引量:6
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作者 卢建丽 李健 +1 位作者 白海平 杨晶 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期130-134,共5页
采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜。研究不同Sn和S配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响。结果显示:采用Sn∶S为1∶1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米... 采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜。研究不同Sn和S配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响。结果显示:采用Sn∶S为1∶1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米多晶薄膜。薄膜表面致密较平整,颗粒分布均匀,平均晶粒尺寸为60.37nm。Sn2S3薄膜的直接光学带隙约为2.0eV。 展开更多
关键词 sn2S3 薄膜 真空蒸发 结构和光学特性
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SnS_2纳米薄膜的制备及结构和光学特性 被引量:3
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作者 杨晶 李健 +1 位作者 白海平 卢建丽 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期83-86,128,共5页
采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备纳米SnS2薄膜。研究不同Sn和S配比及不同热处理条件对薄膜性能的影响。实验给出采用Sn∶S=1∶1.5摩尔比混合粉末制备的薄膜,经T=430℃,t=40min氮气保护热处理可获得性能良好的SnS2纳米多晶薄膜。薄膜... 采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备纳米SnS2薄膜。研究不同Sn和S配比及不同热处理条件对薄膜性能的影响。实验给出采用Sn∶S=1∶1.5摩尔比混合粉末制备的薄膜,经T=430℃,t=40min氮气保护热处理可获得性能良好的SnS2纳米多晶薄膜。薄膜呈n型、表面结构较致密,平均晶粒尺寸为77nm,直接光学带隙约为2.02eV。 展开更多
关键词 真空热蒸发 热处理 snS2纳米薄膜 微结构 光学特性
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空气中旋涂热解快速制备高化学计量比SnS_2薄膜 被引量:2
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作者 张正国 王凯 +2 位作者 吴珊珊 孙治安 龚波林 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第9期1846-1850,1857,共6页
为快速制备高化学计量比的SnS_2薄膜,介绍了一种简单的旋涂热解法,以Sn Cl4·5H2O和硫脲分别为Sn源和S源,在空气中及热解温度分别为200℃、260℃和320℃时制备了系列SnS_2薄膜,这是首次使用旋涂热解法制备SnS_2薄膜的尝试。采用EDS... 为快速制备高化学计量比的SnS_2薄膜,介绍了一种简单的旋涂热解法,以Sn Cl4·5H2O和硫脲分别为Sn源和S源,在空气中及热解温度分别为200℃、260℃和320℃时制备了系列SnS_2薄膜,这是首次使用旋涂热解法制备SnS_2薄膜的尝试。采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis等手段研究了热解温度对SnS_2薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响,在热解温度为260℃且仅需热解2 min条件下,获得了Sn/S原子比为1/1.98的高化学计量比SnS_2薄膜,该薄膜直接禁带宽度为2.50 e V,非常适合作为太阳能电池窗口层。 展开更多
关键词 snS2薄膜 旋涂热解 化学计量比 拉曼光谱 光学吸收
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Sn掺杂In_3O_2半导体薄膜的制备及其性能研究 被引量:1
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作者 顾锦华 龙路 +2 位作者 陆轴 张腾 钟志有 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2015年第2期68-73,共6页
采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其结构... 采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时,In3O2:Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优值因子(7.9×104Ω-1·m-1),其光电性能最好.同时采用Tauc公式计算了样品的光学带隙,结果表明:光学带隙随着生长速率的增大而单调减小. 展开更多
关键词 sn掺杂In3O2 半导体薄膜 光学性能
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Cu_2SnS_3薄膜的制备及性能研究 被引量:2
10
作者 杜金会 于振瑞 +2 位作者 张加友 王妍妍 李正群 《光电子技术》 CAS 2004年第3期151-155,158,共6页
采用 LBL(layer- by- layer)法制备了 Cu2 Sn S3 薄膜。即首先采用电化学方法在 Sn O2 衬底上制备 Sn S薄膜 ,然后又在其上用化学沉积法制备 Cu S薄膜 ,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的 Cu2 Sn S3 薄膜。探讨了薄膜的制备机理、... 采用 LBL(layer- by- layer)法制备了 Cu2 Sn S3 薄膜。即首先采用电化学方法在 Sn O2 衬底上制备 Sn S薄膜 ,然后又在其上用化学沉积法制备 Cu S薄膜 ,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的 Cu2 Sn S3 薄膜。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性。制备的薄膜为多晶(Cu2 Sn S3 ) 72 z(三斜或假单斜晶系 )结构 ,其直接光学带隙约为 1 .0 5 e V。 展开更多
关键词 Cu2snS3薄膜 LBL(1ayer-by-layer)法 结构特性 光学特性
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Cu/Sn比率对Cu_2SnSe_3薄膜若干物理性质的影响 被引量:1
11
作者 张伟 陈顺礼 汪渊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期630-634,共5页
利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87~2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果... 利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87~2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有(111)择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67~4.62mΩ.cm。 展开更多
关键词 Cu2snSe3薄膜 Cu/sn比率 硒化 物理性质
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Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究
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作者 陈建彪 常乐 +2 位作者 赵雲 李燕 王成伟 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第2期50-54,共5页
采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研... 采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×10^(17) cm^(-3),迁移率高达18.19 cm^2·V^(-1)·S^(-1),可用于薄膜太阳能电池的光吸收层. 展开更多
关键词 Cu2sn(S Se)3薄膜 溶液法 硒化温度
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SnO_2底层形貌对Pt/SnO_2薄膜电催化氧化甲醇性能的影响
13
作者 周颖华 蒋梅兰 +1 位作者 吕瑞芳 牛振江 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期13-16,6-7,共4页
通过加入不同的有机添加剂,以电沉积-热氧化法制备了3种不同形貌的多孔SnO2薄膜,再电沉积Pt,制备得到不同形貌的多孔Pt/SnO2薄膜。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和循环伏安(CV)法分析了薄膜的形貌、结构和电催化氧化甲醇的活性。... 通过加入不同的有机添加剂,以电沉积-热氧化法制备了3种不同形貌的多孔SnO2薄膜,再电沉积Pt,制备得到不同形貌的多孔Pt/SnO2薄膜。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和循环伏安(CV)法分析了薄膜的形貌、结构和电催化氧化甲醇的活性。结果表明,不同形貌的多孔Pt/SnO2薄膜具有不同的电催化性能:SnO2镀液中添加聚乙二醇辛基苯基醚(OP,1.0 mL/L)和苯甲醛(25 mg/L),制得的SnO2薄膜呈一定规则排列的长条状,经氧化和电沉积Pt后的多孔Pt/SnO2薄膜具有良好的电催化氧化甲醇的活性及耐CO的性能。 展开更多
关键词 PT snO2薄膜 sn电沉积 Pt电沉积 304不锈钢 电催化氧化 活性
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Mg_(8)Sn_(4-x)M_(x)结构稳定性与弹性常数的第一性原理计算 被引量:1
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作者 邢旭 尹成斌 +1 位作者 马贝贝 王远 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第2期151-156,共6页
利用基于密度泛函理论的CASTEP软件构建Mg_(8)Sn_(4-x)M_(x)(M=Al、Cu;x=0、1或2)晶体结构模型,采用第一性原理计算其晶格常数、结构稳定性和弹性常数,并分析不同量的M原子固溶于Mg_(2)Sn后体系的电子特性、弹性性能和本征硬度.计算结... 利用基于密度泛函理论的CASTEP软件构建Mg_(8)Sn_(4-x)M_(x)(M=Al、Cu;x=0、1或2)晶体结构模型,采用第一性原理计算其晶格常数、结构稳定性和弹性常数,并分析不同量的M原子固溶于Mg_(2)Sn后体系的电子特性、弹性性能和本征硬度.计算结果表明,M原子能自发固溶于Mg_(2)Sn相,且所得Mg_(8)Sn_(4-x)M_(x)(x=1或2)晶体结构均可稳定存在;当2个M原子固溶于Mg_(2)Sn时,使其晶体结构由立方晶系转变为四方晶系.态密度分析表明,M原子固溶后体系原子存在明显轨道杂化现象,表现出较强的共价键,增加M原子固溶量不会改变各原子对态密度的贡献规律,但会提高该原子对电子对态密度的贡献度.弹性性能和本征硬度分析表明:Mg_(2)Sn中固溶M原子后,体系力学性能仍稳定,增加M原子固溶量,体系硬度逐渐降低,韧塑性不断提高,即M原子固溶量增加能提升体系的韧塑性. 展开更多
关键词 mg_(2)sn 第一性原理 电子结构 弹性常数 本征硬度
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退火温度和退火时间对不同衬底上Mg_(2)Si薄膜结构的影响
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作者 廖杨芳 谢泉 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期644-650,共7页
以Mg_(2)Si烧结靶为靶材,采用磁控溅射法在Si、石英和Al_(2)O_(3)衬底上先沉积一层Mg_(2)Si非晶薄膜,再进行退火处理,研究了衬底类型、退火温度及退火时间对Mg_(2)Si多晶薄膜结构的影响。结果表明:Si、石英、Al_(2)O_(3)三种衬底上Mg_(2... 以Mg_(2)Si烧结靶为靶材,采用磁控溅射法在Si、石英和Al_(2)O_(3)衬底上先沉积一层Mg_(2)Si非晶薄膜,再进行退火处理,研究了衬底类型、退火温度及退火时间对Mg_(2)Si多晶薄膜结构的影响。结果表明:Si、石英、Al_(2)O_(3)三种衬底上Mg_(2)Si薄膜的最优退火温度和退火时间均为350◦C和1 h。Al_(2)O_(3)衬底上的Mg_(2)Si薄膜结晶质量最佳,Si衬底上的薄膜次之,石英衬底上的薄膜结晶质量最不理想,分析表明这种差异主要源于衬底与薄膜之间的热失配不同。 展开更多
关键词 材料 薄膜 mg_(2)Si 退火温度 退火时间 衬底
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退火温度对蓝宝石衬底上Mg_(2)Si薄膜质量和光学性质的影响
16
作者 廖杨芳 谢泉 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期492-499,共8页
采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜,研究了退火温度(375~475℃)对薄膜晶体结构、表面形貌、拉曼光谱和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,当退火温度为400 ℃时Mg_(2)Si(220)衍射峰强度最强,样品结晶质... 采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜,研究了退火温度(375~475℃)对薄膜晶体结构、表面形貌、拉曼光谱和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,当退火温度为400 ℃时Mg_(2)Si(220)衍射峰强度最强,样品结晶质量最好,未见明显可观测的MgO相。扫描电镜(SEM)结果表明,所有样品表面均呈现清晰可见的规则六边形,且退火温度对形貌影响较小。拉曼光谱结果显示所有样品均呈现出Mg_(2)Si薄膜的特征峰(256 cm^(-1)附近的F_(2g)振动模),同时出现345 cm^(-1)附近的F_(1u)(LO)声子模,表明生成样品均为结晶良好的Mg_(2)Si薄膜。对薄膜光学性质的研究结果表明,随着退火温度升高,样品光学带隙先增大后减小。 展开更多
关键词 材料 薄膜 mg_(2)Si 退火温度 蓝宝石衬底 光学带隙
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溅射功率和溅射时间对Mg_(2)Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响
17
作者 廖杨芳 谢泉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第9期1675-1680,共6页
采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg_(2)Si纳米晶薄膜,研究了Mg_(2)Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg_(2)Si薄膜的结构和电阻率的影响。结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W... 采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg_(2)Si纳米晶薄膜,研究了Mg_(2)Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg_(2)Si薄膜的结构和电阻率的影响。结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg。随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰。所有样品均呈现出Mg_(2)Si晶体的特征拉曼峰,即256 cm^(-1)附近的F2g模及347 cm^(-1)附近的F1u(LO)模。随着溅射功率增加,样品的电阻率减小;随着溅射时间增加,样品的电阻率先减小后增大,溅射时间为40 min时,样品的电阻率最小。 展开更多
关键词 mg_(2)Si 薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 溅射时间 电阻率
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分层溅射法制备晶向可控的Mg_(2)Si薄膜
18
作者 廖杨芳 谢泉 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第1期38-43,共6页
采用分层溅射法在石英衬底上制备了结晶良好的Mg_(2)Si多晶薄膜。当Si膜的溅射时间均为25 min、Mg膜的溅射时间为18~22 min、退火温度为375℃时,随着膜厚增加,Mg_(2)Si薄膜的织构由(311)向(220)转变;退火温度为400℃时,薄膜的最强衍射... 采用分层溅射法在石英衬底上制备了结晶良好的Mg_(2)Si多晶薄膜。当Si膜的溅射时间均为25 min、Mg膜的溅射时间为18~22 min、退火温度为375℃时,随着膜厚增加,Mg_(2)Si薄膜的织构由(311)向(220)转变;退火温度为400℃时,薄膜的最强衍射峰均为Mg_(2)Si(220)。所有样品均在256 cm^(-1)附近出现了较强的拉曼散射特征峰,在347 cm^(-1)附近出现了较弱的拉曼散射特征峰,这两个峰分别属于Mg_(2)Si的F_(2g)和F_(1u)(LO)声子模。在石英衬底上,改变溅射条件和退火温度,可实现Mg_(2)Si薄膜的晶向可控制备。 展开更多
关键词 mg_(2)Si 薄膜 分层溅射 晶向可控 石英衬底
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Si(111)衬底上Mg_(2)Si薄膜的XRD和拉曼光谱研究
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作者 廖杨芳 谢泉 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期376-381,共6页
采用磁控溅射方法在Si(111)衬底上分别沉积不同厚度的Mg膜,然后低真空退火处理得到结晶良好的Mg_(2)Si薄膜。一定条件下,Mg膜的最优沉积厚度为2300 nm,对应的Mg_(2)Si(220)衍射峰最强。所有样品均出现256 cm^(-1)附近的拉曼散射峰,该峰... 采用磁控溅射方法在Si(111)衬底上分别沉积不同厚度的Mg膜,然后低真空退火处理得到结晶良好的Mg_(2)Si薄膜。一定条件下,Mg膜的最优沉积厚度为2300 nm,对应的Mg_(2)Si(220)衍射峰最强。所有样品均出现256 cm^(-1)附近的拉曼散射峰,该峰归因于Mg_(2)Si的F_(2g)振动模,且该振动模的积分强度随膜厚增加先增加后减小,硅衬底上2300 nm Mg膜退火后的Mg_(2)Si样品的拉曼积分强度最强。 展开更多
关键词 mg_(2)Si 薄膜 硅衬底 X射线衍射 扫描电子显微镜 拉曼
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电沉积Sn对In_2O_3薄膜透光和导电性能的影响
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作者 戴学诚 尹航 +3 位作者 宫震 马柯鑫 李瑞武 王艳雪 《辽宁科技大学学报》 CAS 2019年第1期1-4,共4页
室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In_2O_3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In_2O_3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合薄膜的微观结构和光电性能。结果表明:电压为2 V时,制备的S... 室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In_2O_3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In_2O_3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合薄膜的微观结构和光电性能。结果表明:电压为2 V时,制备的Sn/In_2O_3薄膜光电性能最佳,透光率为92.86%,电阻率0.19 mΩ·cm。氧化退火后,3 V电压制备的Sn/In_2O_3复合薄膜电阻率增大,透光率得到明显改善。 展开更多
关键词 In2O3薄膜 sn/In2O3复合薄膜 电沉积 透光率 电阻率
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