无稀土永磁MnAl纳米带太赫兹磁导率的微磁学模拟

无稀土永磁材料MnAl具有很高的磁晶各向异性能,是一类成本低、永磁性能优异的材料。基于微磁学模拟的方法,从理论上验证了是否可以在MnAl合金上获得显著的太赫兹(THz)磁导率。研究结果表明,自发磁化状态下MnAl合金纳米带阵列的磁响应主要集中于微波频段,只可以获得一个宽化的磁谱,主峰位于45GHz。然而,若通过控制材料的剩余磁化状态,使其剩磁比(M_(r)/M_(s))为1,则可以在0.1675THz获得一个显著的磁谱。此外,研究还表明通过改变纳米带阵列的几何尺寸,可对它的THz磁谱进行调控。与通过超材料来获得THz磁谱相比,本工作展示了一个新颖的方法。