超微型Micro-LED投影显示光学引擎设计

随着微米级像素尺寸的微型自发光二极管(Micro-LED,μLED)的出现和发展,采用μLED作为光源和像源的超微型投影光学引擎成为了可能,其极大简化了传统投影显示光学引擎的结构。本文提出了一种基于μLED的超微型投影光学引擎,基于现有3.302 mm(0.13 in)的μLED显示芯片设计了高像质的微型投影镜头。针对μLED的光分布特性,优化μLED发散角度与微投影镜头的光瞳匹配,有效提升了μLED微投影光学系统的光能利用率。结果表明,所设计的μLED微投影显示光学引擎体积仅有18.35 mm^(3),投影镜头中心视场的MTF值在截止频率处超过0.57。该μLED微投影显示光学引擎较好地实现了系统体积与成像像质的均衡,未来在AR/VR等近眼显示设备上具有广泛的应用前景。

极性相反结构的micro-LED和OLED混合集成显示器件的驱动

本文提出一种由OLED和micro-LED反向并联组成的AC全彩显示器件。该器件由二者按相反极性结构并联而成,能改善传统器件不同颜色子像素之间的亮度和光效不均匀等问题,兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命等优点。同时,本文提出了一种与之适配的反向并联显示器件专用驱动方案。新型显示器件能够改善传统单一元素显示器件的亮度和光效不均匀性,显示方案的提出能够解决传统驱动方案不适配AC显示器件反向并联结构的驱动问题。

Micro-LED显示的发展与技术研究

Micro-LED是新时代LED领域发展的必然趋势,同时也是未来全球显示设备领域发展的重要内容之一,因此,未来需对Micro-LED显示的发展和技术的研究予以重视。文章主要针对Micro-LED显示的发展现状和技术进行分析,并对Micro-LED显示的未来发展加以阐述和探讨。

Micro-LED显示驱动IC技术的应用研究

在电子信息化进程的持续推进下,Micro-LED显示技术应运而生,该技术具备较多优势,包括功耗低、分辨率高、微型化和响应速度快等,已被广泛应用于可见光通信、医疗探测、空间显示等领域。驱动IC在Micro-LED显示技术中处于重要地位,对Micro-LED的发展意义重大。基于此,文章分析Micro-LED的显示原理和结构,阐述其技术优势,并对Micro-LED显示技术中驱动IC的应用进行了研究,以供参考。

基于Micro-LED全彩色微显示器制造技术研究进展

Micro-LED作为新一代显示技术,具有高亮度、低能耗、长寿命、自发光等优点,但其低效率全彩色显示等技术瓶颈限制了其产业化的进程和普及率的上升。全彩色显示是micro-LED商业化的关键技术,但随着LED芯片的高度集成化和微小化,将巨量的RGB三色芯片转移到同一衬底上实现全彩色显示的方法很大程度上造成了高成本和低成品率。因此,亟需发现更为简便和高效的全彩色显示方法。本文就micro-LED微显示器的制作技术及其实现全彩色显示的方法进行综述,重点介绍了量子点颜色转换层法、RGB直接排列法、特殊结构法和光学透镜法,最后探讨了micro-LED微显示器的技术挑战及发展趋势。

氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展

现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展,显示是实现信息交换和智能化的关键环节。在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,得到学术界与产业界的广泛关注。Micro-LED显示技术是一种新自发光显示技术,具有对比度高、响应快、色域宽、功耗低及寿命长等优点,可以满足高级显示应用的个性化需求。然而目前在Micro-LED显示商业化进程中,依然存在一些技术瓶颈尚未解决。应用于Micro-LED晶圆的外延技术需考虑衬底选择、波长均匀性及缺陷控制等方面因素;Micro-LED器件的效率衰减问题目前依然没有有效的解决途径;此外利用颜色转换媒介实现单片Micro-LED全彩显示技术尚未成熟。本文从以上3个问题点出发,分别综述了Micro-LED显示目前存在的技术问题及研究现状。

Micro-LED显示的发展现状与技术挑战

Micro-LED技术被认为是消费电子领域下一个世代的显示技术。尽管市场上已经有很多公司推出了基于Micro-LED显示技术的样机以及应用示范,然而Micro-LED显示技术远没有达到成熟的程度。本文从Micro-LED显示技术的历史、定义及技术挑战进行了综述,重点总结了Micro-LED在工程领域的技术挑战,最后对Micro-LED技术的未来发展方向进行了探讨。Micro-LED在芯片、巨量转移、全彩化等方面仍存在技术挑战,但其所展现出的高分辨、快响应、低能耗、长寿命等突出特点,能满足超小和超大显示的需求,如虚拟/增强显示和电子广告牌,展现出巨大的应用潜力,已经在学术界和工业界引起了广泛研究。

Micro-LED显示光学性能研究

Micro-LED由于优异的显示特性已经成为目前技术的热点。由于其为芯片直显技术,芯片的光学性能决定了显示屏幕大部分的光学性能。Micro-LED灯板的封胶材料厚度对光学影响大,450μm胶厚时比裸晶灯板色温降低了2 800 K。因Micro-LED显示为LED芯片直显发光,红光芯片本身发光角度比蓝绿光芯片小,再加上芯片表面封胶后经过一系列的折反射,红光折射率比蓝绿光小,蓝绿光出光视角进一步放大,导致色温偏差。

Micro-LED显示及其驱动技术的研究进展

微米发光二极管(Micro-LED)显示是一项新颖并有着广泛应用前景的技术,在显示技术中占有重要地位。MicroLED拥有亮度高、功耗低、寿命长、响应时间短和稳定性高等优点。可以应用于虚拟现实(Virtual Reality,VR)、增强现实(Augmented Reality,AR)、手机等微小型显示器,也可应用于家用电视、会议墙等中大型显示器,在显示领域具有较好的发展潜力。虽然Micro-LED显示应用前景广阔,但其技术尚不成熟,驱动技术面临生产成本高、资源分散等问题,限制了其产业化进程。本文回顾了自2000年以来Micro-LED显示技术的发展历程和研究成果,分析了阵列制备和倒装芯片集成技术,重点研究了Micro-LED显示驱动技术。Micro-LED显示驱动技术分为无源驱动和有源驱动方式,主要介绍了无源驱动的电路原理,有源驱动的互补金属氧化物半导体驱动技术、薄膜晶体管驱动技术以及有源像素驱动电路。

基于量子点膜色转换的Micro LED全彩显示像素点仿真研究

从仿真角度出发,分析设计了基于量子点膜色转换方案像素点的整体结构模型,首先构建了蓝光Micro LED(micro light‑emitting diode,Micro LED)结构模型,研究了表面粗化和二维光栅两种提升Micro LED光提取效率(light extraction efficiency,LEE)的表面微结构;然后分别分析了有无该结构的蓝光Micro LED与侧壁挡光介质结合组成蓝色子像素点的LEE和光强分布随侧壁倾角变化的趋势;接着优化了量子点膜的模型参数,并分析了有无表面微结构的蓝光Micro LED对红绿子像素点光转换效率和光强分布的影响;最后对上述不同结构全彩像素点整体的色偏性能做了对比研究。仿真结果表明,具备表面粗化蓝光Micro LED和侧壁反射型挡光介质的像素点在0°~50°倾角下均可获得较大的正面LEE和低于0.02的色偏,相比其他结构更适合于量子点膜色转换方案。

Micro-LED显示光学模型研究

液晶面板LCD显示因技术成熟、性价比高目前仍占显示行业主导地位,Micro-LED由于其优秀显示特性已经成为目前技术的热点。对比研究了LCD和Micro-LED从LED芯片到面板的光学数据,并建立了两种显示的光学模型。光学模型计算的亮度和色坐标数据与产品实测值接近。由于没有CF膜、偏光片等耗损光能并吸收多变的器件存在,Micro-LED比LCD从光源入光到显示屏出光的色坐标改变幅度小很多,而且亮度能高10倍,色彩饱和度高。Micro-LED在颜色显示和亮度方面性能比LCD优异。

Mini-LED显示与Micro-LED显示浅析

液晶面板LCD显示因技术成熟、性价比高目前仍占显示行业主导地位.Micro-LED由于其优秀显示特性已经成为目前技术的热点,Mini-LED则是其过渡产品.对比了LCD、OLED、Mini-LED和Micro-LED显示特性.Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可变性等方面性能优异.而Mini-LED结合8K及QD技术将达到OLED画质,并且可靠性和成本占优势.

单片集成发光与探测的micro-LED阵列及显示与可见光通信应用

GaN基micro-LED阵列作为新兴的光源技术,已被证明可以在光通信及显示等领域发挥重要作用。如果阵列中的micro-LED能够探测毗邻区域像素的发光性能,将有望形成单片集成发光探测的多功能micro-LED阵列,从而推进未来物联网技术中满足小型化、低功耗需求的光子集成芯片的发展。文章通过实验验证了InGaN/GaN多量子阱结构可以在不同偏压下实现发光和探测的双重功能,从而证明了micro-LED阵列单片集成发光和实时探测的可行性,并进一步将其应用于高稳定性可见光通信以及显示阵列坏点实时检测中,拓宽了micro-LED阵列集成发光探测多功能的潜在应用领域。

反向混合并联Micro LED/OLED显示器件的驱动IC控制

提出一种集成蓝光微发光二极管(Micro LED)和红绿光有机发光二极管(OLED),具有特殊子像素排列的新型无源驱动全彩显示器件.该器件无需巨量转移就可实现全彩化显示,且较传统全彩OLED及Micro LED,器件效率更高,寿命更长.另外,将蓝色与绿色子像素反向并联,可以减少电极走线,提高器件像素密度.针对该器件的特殊结构,设计一套全新的驱动方案,具体以现场可编程逻辑门阵列FPGA作为主控制器,利用驱动芯片提供稳定的电流点亮LED,实现器件的全彩显示.通过仿真测试进一步验证了该器件良好工作的可行性.

硅基Micro-LED微显示技术研究

硅基Micro-LED微显示技术是将自发光的LED器件与成熟的CMOS硅片结合在一起的技术,是下一代主流显示技术的热点发展方向。本文设计了一种用于Micro-LED微显示的有源驱动电路,并在该电路的基础上,结合晶圆级金金键合、深硅刻蚀、氮化镓ICP刻蚀、金属IBE刻蚀等工艺技术,制作出了硅基Micro-LED微显示器件,并能成功点亮和显示图像。其有望在AR/VR等领域实现产业运用的价值。

Micro-LED显示驱动技术

Micro-LED技术是近几十年来随着电子信息化进程加快而发展的显示技术,它凭借微型化、功耗低、响应速度快和分辨率高等独特之处,成熟运用在空间显示、医疗探测和可见光通信等领域。若要实现基于Micro-LED的实用显示系统,驱动技术至关重要。首先介绍了Micro-LED显示原理及结构,随后对Micro-LED的显示驱动技术进行对比分析。

新型玻璃基Micro-LED曲面弯折拼接显示技术研究

随着Micro-LED技术的高速发展,玻璃基拼接显示技术逐渐成为面板厂需要解决的重要课题,直接决定了在大尺寸商业显示甚至家用电视产品方面的产品力。目前从公开技术上来讲,京东方选择了侧边引线技术作为其玻璃基产品主要的无缝拼接解决方案,不过该方案需要双面制程,工艺相对较为复杂。针对此,京东方进一步公开了一种全新的曲面弯折拼接技术。该技术围绕中性层概念进行膜层结构模拟和匹配,成功地将显示基板上非显示区域通过曲面弯折的方式折叠到显示区背面,边框宽度仅为150μm,和现有量产技术持平。但由于背板制程只需要单面工艺,成本可以得到有效降低,为京东方在拼接显示技术方面提供了又一种可行方案。

液晶偏振体光栅及其在增强现实波导显示中的应用

液晶偏振体光栅是一种基于几何相位的布拉格光栅,具有偏振选择性强、衍射效率高、衍射角大以及制备工艺简单等优点,在增强现实系统中具有潜在的应用前景。本文详细介绍了液晶偏振体光栅的工作原理和光学特性,并对其近年来的研究进展进行了总结。重点讨论了液晶偏振体光栅在解决增强现实波导显示中各种关键性问题的研究,展望了其在增强现实波导显示中的应用前景。最后,总结了目前液晶偏振体光栅应用于波导显示领域存在的问题和发展趋势。

Micro-LED显示中的巨量转移技术

Micro-LED显示以其优异的性能成为了VR/AR应用的首选显示技术,而巨量转移技术作为Micro-LED显示中的关键技术,成为了近年迅速发展的技术之一。本文首先从产业和技术的两个角度对巨量转移技术进行了介绍,然后通过专利文献分析的方法,对该技术的发展状况、申请来源地及目标地的区域分布状况以及重要申请人等进行了统计和分析,最后梳理了巨量转移技术的主要技术路线。

Micro-LED显示及驱动IC技术

Micro-LED作为微小间距显示的典型代表,是目前显示技术的研究热点,具有自发光、高效率、低功耗、高集成度以及高稳定性等诸多优点,且体积小、灵活性高、易于拆解与合并,能够应用于现有从小尺寸到大尺寸的任何显示应用场合中。市场上很多公司推出了Micro-LED显示的样机及应用示范,但目前的Micro-LED显示技术还有较大的发展空间。本文从Micro-LED显示技术的发展历程出发,总结了Micro-LED显示技术的发展概况及面临的技术挑战,如巨量转移、全彩化等,阐述了显示原理及显示驱动框架,最后结合集创的Micro-LED驱动IC说明了目前的最新研究技术,并对MicroLED的应用及发展进行了思考与展望。