基于三维异构集成技术的X波段4通道收发模组

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计了一款适用于相控阵天线系统的三维堆叠4通道T/R模组。模组由3层功能芯片堆叠而成,3层功能芯片之间采用贯穿硅通孔(TSV)和球栅阵列实现电气互连;模组集成了6位数控移相、6位数控衰减、串转并、负压偏置和电源调制等功能,最终尺寸为12 mm×12 mm×3.8 mm。测试结果表明,在X波段内,模组的饱和发射输出功率为30 dBm,单通道发射增益可达27 dB,接收通道增益为23 dB,噪声系数小于1.65 dB。该模组性能优异,集成度高,适合批量生产。

大通道METRx下单侧入路双侧椎管减压术治疗退行性腰椎管狭窄症患者的效果

目的:观察大通道椎间盘镜手术系统(METRx)下单侧入路双侧椎管减压术治疗退行性腰椎管狭窄症患者的效果。方法:选取2020年1月至2023年2月该院收治的130例退行性腰椎管狭窄症患者进行前瞻性研究,按随机数字表法将其分为对照组(n=65)和观察组(n=65)。对照组采用椎间孔镜下双侧入路双侧减压术治疗,观察组采用大通道METRx下单侧入路双侧椎管减压术治疗,比较两组围术期相关指标水平,手术前后腰椎功能[Oswestry功能障碍指数(ODI)]评分、疼痛程度[视觉模拟评分法(VAS)]评分、应激反应指标[去甲肾上腺素(NE)、多巴胺(DA)、5-羟色胺(5-HT)、P物质(SP)]水平和并发症发生率。结果:观察组术中出血量、透视次数均少于对照组,手术时间、住院时间均短于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);术后3个月,两组ODI、VAS评分均低于术前,且观察组低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);术后1周,两组NE、DA、5-HT、SP水平均低于术前,且观察组低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);两组术后并发症发生率比较,差异无统计学意义(P>0.05)。结论:大通道METRx下单侧入路双侧椎管减压术治疗退行性腰椎管狭窄症患者可降低围术期指标水平、应激反应指标水平、ODI评分和VAS评分,其效果优于椎间孔镜下双侧入路双侧减压术治疗。

低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术

微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术。为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100μm以内。基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术。通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度。

高密度互连(HDI)印制电路板技术现状及发展前景

随着电子设备向轻薄短小、高性能、多功能的方向发展以及电子组装技术的进步,用于电子元器件互连的印制电路板产品从通孔插装技术(THT)阶段全面走上了表面安装技术(SMT)阶段,走向了芯片级封装(CSP)阶段,并正逐步走向系统级封装(SIP)阶段。一个以导通孔微小化和导线精细化等为主导的新一代HDI板产品已经在PCB业界筹划、建立和发展起来了,并将成为下一代印制电路板的主流。本文对HDI板定义,特点,关键技术,应用以及目前发展状况进行了综述。

导电膏互连电镀通孔的仿真研究

基于导电膏填塞微孔的方法,设计了2种印制电路板导电膏互连层间电镀通孔的结构,并对其进行信号完整性仿真。考察了层间粘结半固片所填塞导电膏的预固化条件对层间导通与半固化片层粘结效果的影响。应用网络分析仪测试塞孔互连结构的信号完整性,并与仿真结果进行对比。采用回流焊测试的方法评定印制电路板塞孔互连结构的可靠性。实验结果表明直线型塞孔互连结构具有最好的信号完整性,能较好地实现电信号的可靠传输。

应用于MEMS封装的TSV工艺研究

开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。

超选择性眼动脉溶栓治疗视网膜中央动脉栓塞临床研究

目的探讨超选择性眼动脉(OA)溶栓治疗视网膜中央动脉阻塞(CRAO)的疗效及安全性。方法回顾性选择我院30例视网膜中央动脉阻塞患者作为研究对象,根据治疗方法分为超选择性OA溶栓组10例、静脉溶栓组10例和常规药物治疗组10例,比较分析各组治疗的效果。结果超选择性OA溶栓组总有效率显著高于对照组(P<0.05),差异有统计学意义。结论早期应用超选择性OA溶栓治疗可以一定程度提高CRAO患者的治疗效果,较其他治疗方法更有效。

脉冲电镀在微盲孔填孔上的应用

电子产品的轻薄短小的发展趋势要求印制线路板的布线密度越来越高,这就使得板上的孔(包括通孔、埋孔和盲孔)径必须越来越小。在导通盲孔上直接叠孔的结构是实现最高布线密度的有效方法之一。作者通过水平脉冲电镀进行了微盲孔填孔电镀实验,在最佳的工艺条件下,在厚径比达到1.4:1的情况下仍然获得了良好的填孔效果,并对影响微盲孔填孔能力的一些因素进行了初步的探讨。

PCB微盲孔电镀铜填平影响因素研究

为满足含微盲孔的高密度互连印制电路板高可靠性的要求,提出了微盲孔电镀铜填平的互连工艺技术。通过对微盲孔电镀铜填平工艺影响因素的分析,主要研究了电镀铜添加剂对微盲孔电镀铜填平的影响,运用了正交试验的分析方法,得到了各添加剂的最佳浓度范围,并验证了其可行性,从而使微盲孔获得了很好的填充效果。

CO_2激光钻挠性板盲孔工艺参数的优化

选用有胶双面挠性板,通过减铜棕化工艺对板面进行处理。并运用正交试验法对影响盲孔质量的激光能量、光束直径、脉冲宽度和脉冲次数等因素进行优化,用L9(34)的正交表安排4因素3水平的试验。以盲孔真圆度和上下孔径之比作为试验指标,优化出了不同指标下的最佳参数值。并通过极差分析法得出影响盲孔质量的参数主次。通过应用被优化得到的两组参数进行再次试验后得到,当激光能量为14.2 mj,光束直径为2.2 mm,脉冲宽度为2 s时,脉冲次数为3时所得盲孔品质最优。

信息处理微系统的发展现状与未来展望

受中美国际关系的影响,一段时间内,集成电路工艺制程可能难以突破;同时,先进半导体工艺将带来高昂的集成电路开发成本,已经不适应于军用信息处理领域的发展需求.信息处理微系统可在微纳尺度集成各种成熟技术,通过系统优化设计,一定程度摆脱半导体工艺及器件代差的制约与跟仿,提高质量水平的前提下大幅缩短研制周期,解决装备的自主可控和研制效率问题.本文调研了信息处理微系统技术的国内外研究现状,提炼并总结了该技术的特点,从互连接口与协议、封装技术以及质量控制等方面分析了面临的挑战;从设计、工艺、测试和可靠性四个方面对信息处理微系统的研究趋势进行了展望,并提出了发展建议.

HDI刚挠结合板微埋盲孔研究进展

随着电子产品的小型化、轻量化、薄型化的发展,PCB更多的开始选用微埋盲孔结构。本文概述了国内外HDI刚挠结合板微埋盲孔制作的最新研究成果,主要包括微埋盲孔钻孔工艺、去钻污工艺以及孔金属化研究等。重点介绍了激光钻孔技术、微孔填铜技术的发展及应用,并提出了今后的研究方向。

射频微系统冷却技术综述

雷达、电子战等射频电子装备向高集成度和大功率方向发展,有力牵引了射频微系统技术的进步,同时给冷却设计带来三大挑战:高面热流度、热堆叠和高体热流密度。冷却技术成为制约射频微系统应用的关键瓶颈之一。文中综述了国内外当前射频微系统冷却技术的发展现状,传统的远程散热架构因界面多与传热路径远已难以为继,高集成度的近结冷却技术显著提升芯片散热能力;以有源相控阵雷达为例,提出了射频微系统冷却的三代技术路线,指出了射频微系统热设计的主要发展方向。

改善PCB高密度基板封装质量的研究

高密度基板上的微孔质量对封装微电子器件十分重要,由于孔密度大,孔径又小,目前普遍采用激光打孔。针对基板的组成材料以及激光加工中主要参数对微孔加工的影响进行分析研究。通过不同材料粘结力和改变激光的功率、脉宽等措施,改善基板电子元器件封装的质量。

总线式原油盘库数据采集子系统的设计

目前胜利油田滨南采油厂原油盘库系统的自动化程度较低。为大力提高其自动化水平,本文根据该采油厂各联合站分散采集、集中监视的特点,设计了基于RS-485总线和主从单片机结构的数据采集子系统方案。由位于监控室的主单片机作为中枢,通过RS-485总线采集各从单片机收集到的原油参数并通过串口上传到上位机中。利用上位机软件配合Proteus软件和Keil软件对整个子系统进行了仿真和测试,从而验证了其可行性。

MEMS开关供电线及过孔对微带贴片天线性能的影响

采用数值分析研究了微电子机械系统(MEMS)开关直流供电线及接地过孔对微带贴片天线性能的影响。研究表明,当MEMS开关应用于天线辐射部分时,MEMS开关的直流供电线和接地过孔对天线的匹配频带有较大影响,而且金属过孔的影响较直流供电线的影响更大。因此若采用金属条等效MEMS开关研究可重构天线时,应适当调整微带贴片天线的电尺寸,以求仿真结果更加逼近实测结果。

采用盲孔填充技术制备金属微电极阵列

针对目前MEMS工艺里由于微电铸铸层内应力导致的金属微结构与基底容易脱离的问题和不足,提出一种借助盲孔填充技术制备微电极阵列的方法。选择KMPR作为胶模材料,首先通过UV-LIGA工艺制备出180μm厚的阵列孔缝胶模结构,然后在胶模表面溅射Cu种子层,优化电铸工艺参数:电铸前采用真空润湿的方法排出孔缝内气泡,电铸液中加速剂与抑制剂浓度分别为4×10^(-6)mol/L和24×10^(-6)mol/L,电流密度为1 A/dm^2,在孔缝内电铸铜,并在胶模表面电铸出铜基底,最后获得了高180μm,线宽200μm的两种柱状金属微电极阵列。试验结果表明,盲孔填充技术是一种低成本、安全的制作金属微电极阵列的方法。

GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节,通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连。在通孔刻蚀工艺中,微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响。微掩模将阻碍GaAs刻蚀,形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等,造成后续背面金属接触不良、粘附不牢,进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数,最终影响器件性能及可靠性。分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理,通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题,从而提高了器件性能及可靠性。

目标测量技术在弹道导弹防御雷达中的应用

弹道导弹防御中雷达目标识别的基础是目标特性、参数的测量,目标识别要求雷达以尽可能高的精度和分辨力测量尽可能多的目标特性参数。文中从技术发展的角度,分析了窄带雷达测量、宽带雷达测量、距离多普勒成像测量、相位距离测量、微多普勒测量等弹道导弹防御雷达目标测量技术。最后,对其发展进行了讨论。

微孔沉镀铜前处理研究

对微孔金属化前处理进行了深入的研究。利用正交实验确定了等离子清洗的最佳条件,利用全面实验研究了等离子清洗,超声波清洗,PI调整等在微孔沉镀铜方面的应用,并通过重复性实验证明了以上实验结论的可靠性,从而实现了在公司现有条件下微孔金属化的目标。