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浸没式ArF光刻最新进展
被引量:
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作者
李艳秋
《电子工业专用设备》
2006年第3期27-35,共9页
简单概述了浸没式ArF的发展历史、特点和面临的科学技术问题,在跟踪报道国内外最新研究进展的同时,介绍前沿光刻技术的研发特点和研究手段,强调协同设计研究的重要地位,并揭示浸没式ArF光刻不是干式ArF光刻的简单移置和延续。
关键词
浸没式ARF光刻
下一代光刻
PROLITH
microcruiser
分辨率增强
下载PDF
职称材料
题名
浸没式ArF光刻最新进展
被引量:
3
1
作者
李艳秋
机构
中国科学院的电工研究所
出处
《电子工业专用设备》
2006年第3期27-35,共9页
基金
国家863项目
973项目(No.2003CB716204.)的资助
文摘
简单概述了浸没式ArF的发展历史、特点和面临的科学技术问题,在跟踪报道国内外最新研究进展的同时,介绍前沿光刻技术的研发特点和研究手段,强调协同设计研究的重要地位,并揭示浸没式ArF光刻不是干式ArF光刻的简单移置和延续。
关键词
浸没式ARF光刻
下一代光刻
PROLITH
microcruiser
分辨率增强
Keywords
Immersion ArF Lithography
Next Generation Lithography (NGL)
PROLITH
microcruiser
Resolution Enhancement Technology (RET)
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
浸没式ArF光刻最新进展
李艳秋
《电子工业专用设备》
2006
3
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