Preparation of Silica–Alumina Hollow Spheres with a Single Surface Hole by Co-axial Microchannel

Si/Al composite hollow spheres with a surface hole were prepared with the co-axial microchannel in a one-step method. It is easy to use the technique for size control and continuous operation. At Si/Al ratio between 4 and 5, a hole forms on the surface, due to the fast gelation process and high viscosity of the sol. Scanning electron microscopy, nitrogen adsorption–desorption isotherms, and mercury intrusion method are used to characterize the samples. The hole size is 40–150 μm and the particle size is 450–600 μm. The size can be adjusted by the flow rate of the oil phase.

通道辅助显微镜下Key-hole技术治疗椎管内髓外硬膜下肿瘤

目的探讨通道Key-hole技术在原发椎管内髓外硬膜下肿瘤切除中的可行性和安全性。方法回顾性分析宁夏医科大学总医院心脑血管病医院神经外科2018年3月至2019年11月就诊的31例采用通道辅助显微镜下切除的椎管内髓外硬膜下肿瘤手术患者临床资料。结果 31例患者椎管内肿瘤均全部切除,病理结果显示神经鞘瘤21例、脊膜瘤8例、皮样囊肿1例、肠源性囊肿1例,其中位于颈椎8例、胸椎17例、腰椎6例。术后1例患者症状加重,其他明显好转;5例术区积液;2例感染。术后5 d视觉疼痛模拟(VAS)评分为(2.4±0.3)分。术后1个月JOA评分平均提高至6.3分,随访3~15个月,无脊柱不稳或脊柱畸形发生。结论通道辅助显微镜下Key-hole技术进行椎管内髓外硬膜下肿瘤切除,创伤小、恢复快、不影响脊柱稳定性,手术安全可靠,值得在临床推广应用。

考虑布线-通孔的陶瓷封装基板嵌入式微流道设计

芯片热流密度持续增加对封装散热提出了新的挑战,液冷微流道散热技术是解决封装热控制问题的重要研究方向.针对陶瓷封装高功耗芯片散热需求,本文提出在陶瓷基板上嵌入微流道,以缩短芯片与热沉距离,降低热阻,同时减小热控系统体积,实现热控、电气互连与结构的集成.嵌入式微流道结构设计的关键是如何考虑基板上的密集布线和通孔,避免布线、通孔和微流道的相互干涉.考虑布线和通孔的微流道结构,提出了微流道-布线-通孔的陶瓷基板一体化工艺方法.测试结果表明,微流道层位置的影响大于结构参数影响,微流道入口主流道汇流层与散热层应设计在同一结构层.设计的微流道陶瓷基板满足功耗100 W的芯片散热要求.

基于Box-Behnken设计模型优化微通道板蚀刻工艺

以利于实际生产优化蚀刻微通道板为出发点,探究了酸液浓度、搅拌速度、反应温度对微通道板通孔率的影响,采取Box-Behnken设计响应曲面法探究了单因素及双因素间的相互作用对通孔率的影响。对各拟合模型方差和决定系数分析可知,二次多项式模型拟合显著性最好,说明试验设计所得的回归方程具有可行性。单因素中酸液浓度、搅拌速度、反应温度均对通孔率有显著影响,各因素对通孔率影响大小为:反应温度>酸液浓度>搅拌速度;双因素中酸液浓度与搅拌速度的交互作用显著且对通孔率影响最大。模型结合实际分析得出微通道板的最优蚀刻条件为:酸液浓度0.43 mol/L,搅拌转速648 r/min,反应温度36.6℃,在此条件下,微通道板的通孔率为100%。优选的微通道板蚀刻工艺可以有效提升通孔率,工艺稳定可行,为微通道蚀刻技术在实际应用中的推广和发展提供有力支持。

温度对Si-MCP电化学腐蚀过程中空穴输运的影响

在电化学腐蚀硅微通道这一工艺过程中,温度是其中一个很重要的影响因素。通过研究温度对电化学腐蚀硅微通道过程中空穴输运的影响,加深对电化学腐蚀硅微通道这一过程的认识。利用电化学光照辅助阳极氧化法以n型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,得到硅微通道阵列在不同温度条件下的I-V特性扫描曲线、孔道的形貌以及孔道的深度;根据晶体中的散射机制的相关原理,研究了温度与载流子迁移率和扩散系数之间的关系;根据实验,得到了暗电流与温度的关系。最后通过对上述实验结果的分析,得出温度越低由空穴输运产生的空穴电流密度就越低,同时暗电流的值也越低,在较低温度下通过电化学腐蚀法制备的硅微通道结构形貌较好。

用于下一代信号和通流能力提升的微槽孔加工研究

随着科学技术的发展,PCB板设计向着小型化及高密度的方向发展,在PCB板上往往会使用较多的大功耗器件。然而由于空间限制,大功耗器件无法有效的自然散热,而引起诸多可靠性问题。相应的,PCB中也需要形成低电压大电流的电路,以使电路的载流可以满足电路板所需要的最大电流量,保证电路运行的不稳定。为了兼顾电路的载流能力和电子产品的小型化,可以减小过孔的尺寸,以降低电路板的面积,并保证电路的载流能力。然而,过孔的尺寸越小,相对应的通孔的制作和电镀难度越大,过孔越不易制作,且过孔的寄生电容和寄生电感均会影响电路板的性能。根据行业的发展方向,以及系统级芯片和现场可编程逻辑门阵列(FPGA)型技术的发展路线,就会试图在印制电路板通孔上加大垂直通流,以确保大功率信号传输。这种发展方向有利于将其推向高性能发展的前沿。紧随其后,垂直通流的增加,势必会产生散热问题,于是便有了通过开设微槽孔提升通流能力和散热能力。