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The Use of an Electron Microchannel as a Self-Extracting and Focusing Plasma Cathode Electron Gun
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作者 S.CORNISH J.KHACHAN 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期138-142,共5页
A new and simple type of electron gun is presented.Unlike conventional electron guns,which require a heated filament or extractor,accelerator and focusing electrodes,this gun uses the collimated electron microchannels... A new and simple type of electron gun is presented.Unlike conventional electron guns,which require a heated filament or extractor,accelerator and focusing electrodes,this gun uses the collimated electron microchannels of an inertial electrostatic confinement(IEC) discharge to achieve the same outcome.A cylindrical cathode is placed coaxially within a cylindrical anode to create the discharge.Collimated beams of electrons and fast neutrals emerge along the axis of the cylindrical cathode.This geometry isolates one of the microchannels that emerge in a negatively biased IEC grid.The internal operating pressure range of the gun is 35-190 m Torr.A small aperture separates the gun from the main vacuum chamber in order to achieve a pressure differential.The chamber was operated at pressures of 4-12 m Torr.The measured current produced by the gun was 0.1-3 m A(0.2-14 m A corrected measurement) for discharge currents of 1-45 m A and discharge voltages of 0.5-12 k V.The collimated electron beam emerges from the aperture into the vacuum chamber.The performance of the gun is unaffected by the pressure differential between the vacuum chamber and the gun.This allows the aperture to be removed and the chamber pressure to be equal to the gun pressure if required. 展开更多
关键词 electron beam electron gun plasma gun neutral gun hollow cathode electron beam microchannel IEC inertial electrostatic confinement
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EUV波段电光成像系统分辨率的实验研究 被引量:1
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作者 薛玲玲 陈波 李玉民 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期529-531,共3页
基于微通道板 (MicrochannelPlate ,MCP)探测器件设计一套成像系统 ,用于对极紫外 (ExtremeUl traviolet,EUV)波段的光进行成像。结果在 13,17 1,19 5和 30 4nm处获得了一个宽度为 3mm的狭缝的像 ,其相应的空间分辨率分别为 85 ,12 0 ,... 基于微通道板 (MicrochannelPlate ,MCP)探测器件设计一套成像系统 ,用于对极紫外 (ExtremeUl traviolet,EUV)波段的光进行成像。结果在 13,17 1,19 5和 30 4nm处获得了一个宽度为 3mm的狭缝的像 ,其相应的空间分辨率分别为 85 ,12 0 ,182和 4 95 μm ,最佳为 85 μm ,对应波长 13nm ,而且波长越短 ,分辨率越高 ,图像的亮度也越高。 展开更多
关键词 微通道板 极紫外波段光电成像系统 分辨率 探测器件 激光等离子体
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Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术 被引量:2
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作者 向嵘 王国政 +5 位作者 陈立 高延军 王新 李野 端木庆铎 田景全 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期729-733,共5页
Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6~10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/... Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6~10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性。 展开更多
关键词 硅基体 二维通道电子倍增器 微孔列阵 感应耦合等离子体 光电化学刻蚀
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激光加工的石英微通道用于细胞操纵的研究
4
作者 杨子义 秦水介 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第2期176-178,共3页
介绍了一种在石英晶体里面运用调Q纳秒级Nd:YAG激光器进行等离子体诱导加工制作微米通道的新方法,利用光镊技术在微米通道中成功实现细胞的操纵。对微米通道管壁厚度因素对光镊俘获的影响进行了分析和研究,基于此研究可以在生物医学领... 介绍了一种在石英晶体里面运用调Q纳秒级Nd:YAG激光器进行等离子体诱导加工制作微米通道的新方法,利用光镊技术在微米通道中成功实现细胞的操纵。对微米通道管壁厚度因素对光镊俘获的影响进行了分析和研究,基于此研究可以在生物医学领域找到新的运用。 展开更多
关键词 光镊 微米通道 等离子体诱导加工 厚度
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30.4nm光电成像系统分辨率的初步实验研究
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作者 薛玲玲 陈波 +1 位作者 石晓光 薛国俊 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期501-504,共4页
本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统,用于对波长为30.4 nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像.结果获得了一宽度为3 mm的狭缝的像,实验测得490μm的成像系统的空间分辨率,并分析了影响系统分辨... 本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统,用于对波长为30.4 nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像.结果获得了一宽度为3 mm的狭缝的像,实验测得490μm的成像系统的空间分辨率,并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施. 展开更多
关键词 微通道板 MCP 探测器 光电成像系统 分辨率 激光等离子体 单色仪
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纳秒脉冲驱动下铝基微沟道等离子体放电特性研究 被引量:3
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作者 麻晓琴 周璇 +2 位作者 王耀功 杨静远 张小宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期759-766,共8页
本文设计制作了基于铝基衬底的微沟道阵列器件,并研究了纳秒脉冲微沟道等离子体放电特性。通过调控纳秒脉冲输出波形,获得了脉冲参数对微沟道等离子体放电特性的影响规律。结果表明,相比于传统的正弦波驱动,纳秒脉冲微沟道等离子体放电... 本文设计制作了基于铝基衬底的微沟道阵列器件,并研究了纳秒脉冲微沟道等离子体放电特性。通过调控纳秒脉冲输出波形,获得了脉冲参数对微沟道等离子体放电特性的影响规律。结果表明,相比于传统的正弦波驱动,纳秒脉冲微沟道等离子体放电更集中,耦合效应更明显,且等离子体特性更易于调控。当改变脉冲参数时,6%左右的波形过冲电压会造成微沟道等离子体放电强度~30%的改变。另外,脉冲上升沿时间越短,放电强度越高,当上升沿时间由152 ns缩短至32 ns时,放电强度可提升~30%。 展开更多
关键词 微沟道器件 微沟道等离子体 双极性脉冲 等离子体传输
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介质阻挡放电微等离子体分解二氧化碳研究 被引量:1
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作者 王小西 李笑艳 王保伟 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期1343-1350,共8页
二氧化碳既是主要的温室气体之一,也是包含碳和氧的资源,把相对惰性的CO_(2)转化为易于利用的CO是其利用的方法之一。采用介质阻挡微等离子体反应器通过单变量和正交实验探究了反应器参数(放电区长度、放电间距、介质厚度)和工艺参数(... 二氧化碳既是主要的温室气体之一,也是包含碳和氧的资源,把相对惰性的CO_(2)转化为易于利用的CO是其利用的方法之一。采用介质阻挡微等离子体反应器通过单变量和正交实验探究了反应器参数(放电区长度、放电间距、介质厚度)和工艺参数(输入功率、放电频率和停留时间)对CO_(2)分解为CO的转化率和能量效率的影响规律。研究结果表明,影响CO_(2)转化率的大小顺序依次为:放电间距>放电长度>输入功率≈停留时间>介质厚度>放电频率;输入功率60.0 W、放电频率9.0 kHz和停留时间1.5 s、放电区长度60 mm、放电间距0.5 m、介质厚度1.6 mm时,CO_(2)的转化率为10.6%,能量效率为4.1%。 展开更多
关键词 二氧化碳 微通道 一氧化碳 介质阻挡放电 等离子体 分解
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PECVD喷淋板上微通道结构对射流均匀性的影响性分析
8
作者 刘万锁 岳向吉 蔺增 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期222-233,共12页
喷淋板微通道结构对等离子体增强化学气相沉积镀膜工艺成膜均匀性具有重要影响,目前缺少对不同微通道差异性的研究。通过采用滑移边界修正的连续流计算方法,获得克努森数为0.009~0.01的微通道流动特性结果,计算结果与其他微通道试验与... 喷淋板微通道结构对等离子体增强化学气相沉积镀膜工艺成膜均匀性具有重要影响,目前缺少对不同微通道差异性的研究。通过采用滑移边界修正的连续流计算方法,获得克努森数为0.009~0.01的微通道流动特性结果,计算结果与其他微通道试验与计算结果具有一致性。结果表明,等径型与收缩型微通道几何尺寸对均匀性影响较小,出口射流所形成的涡流会降低均匀性,扩张型微通道提高出口扩散性,其射流均匀性明显优于前两者。通过提出均匀性量化方法,研究等径型、收缩型和扩张型三种具有代表性的微通道结构,进一步完善了喷淋板及稀薄环境微通道研究的不足。 展开更多
关键词 微通道 射流均匀性 均匀性量化 扩张腔 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
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微通道低温等离子体VOCs治理技术与反应器研究进展
9
作者 朱骁 《山东化工》 CAS 2023年第8期247-250,共4页
低温等离子体技术通过放电产生活性物质与高能电子降解大气量、低浓度挥发性有机物,对于高浓度非点源有机废气治理需要结合具有散热与火焰淬熄功能的微通道技术。目前对微通道技术在精细化工领域的研究较充分,但微通道应用于等离子体技... 低温等离子体技术通过放电产生活性物质与高能电子降解大气量、低浓度挥发性有机物,对于高浓度非点源有机废气治理需要结合具有散热与火焰淬熄功能的微通道技术。目前对微通道技术在精细化工领域的研究较充分,但微通道应用于等离子体技术的研究较少。本工作总结了微通道低温等离子体放电技术的研究进展,明确介质阻挡放电、辉光放电等放电类型与微通道构型结合更具适配性;阐述了火焰淬熄功能在微通道反应器中的重要作用;介绍了多种微通道等离子体反应器治理VOCs的实际应用,其中环流式反应器构型设计更有利于提高治理效率;概述了微型数控机床等技术加工精密微通道反应器的应用,可实现反应器压力降、放电稳定性与电子能量密度要求;展望了未来微通道低温等离子体技术的发展方向。 展开更多
关键词 低温等离子体 微通道 火焰淬熄 介质阻挡放电
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微通道板测试用铯离子源离化效率研究
10
作者 王叶萍 钱芸生 +2 位作者 郎怡政 王自衡 孔祥宇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期11-18,共8页
为研究铯离子作为入射源轰击微通道板性能测试技术,采用铯离子束产生器作为实验装置,分析整个铯离子束产生过程,进而研究铯原子轰击离化丝(钽,脱出功为4.12 eV)而产生的铯等离子体的离化效率的影响因素.从物理过程分析出离化效率受离化... 为研究铯离子作为入射源轰击微通道板性能测试技术,采用铯离子束产生器作为实验装置,分析整个铯离子束产生过程,进而研究铯原子轰击离化丝(钽,脱出功为4.12 eV)而产生的铯等离子体的离化效率的影响因素.从物理过程分析出离化效率受离化环境温度、离化丝功率、聚焦电压等因素的影响,结合沙哈-朗缪尔(Saha-Langmuir)方程,分析出出射离子电流可作为离化效率的实际表征量.实验通过改变离化环境温度、离化丝功率等因素,采用运放反馈电流法测量离子电流的大小.实验结果表明通过控制离化环境温度可维持输入铯原子数的稳定,铯离子的离化效率受离化环境温度和离化丝功率影响较大.当其他工作条件不变,离化丝功率Q c为2.818 W时,离化效率达到最大;当离化环境温度T c为110℃时,离化过程稳定且最充分,输出离子电流最大达到25 nA左右.实验结果与理论模型分析结果具有较好的一致性.通过对这些因素的控制可稳定调节铯离子束入射强度的大小. 展开更多
关键词 光电成像器件 微通道板 性能测试 离化效率 铯离子入射源 等离子体
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19.5nm波段光电成像系统分辨率的实验研究
11
作者 薛玲玲 陈波 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期17-19,共3页
基于微通道板 (MCP)探测器件设计一套成像系统 ,用于对波长为 19.5 nm的极紫外 (EUV)光进行成像。结果获得了宽度为 3mm的狭缝的像 ,实验测得 175 μm的成像系统的空间分辨率。并分析了影响系统分辨率的因素及为提高系统分辨率所应采取... 基于微通道板 (MCP)探测器件设计一套成像系统 ,用于对波长为 19.5 nm的极紫外 (EUV)光进行成像。结果获得了宽度为 3mm的狭缝的像 ,实验测得 175 μm的成像系统的空间分辨率。并分析了影响系统分辨率的因素及为提高系统分辨率所应采取的措施。 展开更多
关键词 光电成像系统 极紫外 EUV 分辨率 激光等离子体 单色仪 微通道板 MCP
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