高能聚焦质子束无掩模刻写方法研究初步

在中国科学院上海应用物理研究所的扫描质子微探针装置上,研制了图形化扫描器,同时研究了适合质子束刻写的光刻胶制备、显影、定影技术。在此基础上,开展高能聚焦质子束无掩模刻写实验,在厚度约11μm的PMMA光刻胶上刻写出高纵横比的任意图案,取得了初步质子刻写结果,为进一步开展质子纳米束刻写奠定基础。