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8毫米硅连续波崩越二极管
1
作者
张文兴
陈水生
金立荣
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第3期268-273,共6页
叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400~800mW连续输出功率,效率5%~10%,结温200~250℃。
关键词
固态功率器件
崩越二极管
漂移
cad
下载PDF
职称材料
题名
8毫米硅连续波崩越二极管
1
作者
张文兴
陈水生
金立荣
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第3期268-273,共6页
文摘
叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400~800mW连续输出功率,效率5%~10%,结温200~250℃。
关键词
固态功率器件
崩越二极管
漂移
cad
Keywords
millimeter wave
,
solid state power device
,
impatt
,
ddr
,
cad
分类号
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
8毫米硅连续波崩越二极管
张文兴
陈水生
金立荣
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
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