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8毫米硅连续波崩越二极管
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作者 张文兴 陈水生 金立荣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期268-273,共6页
叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400~800mW连续输出功率,效率5%~10%,结温200~250℃。
关键词 固态功率器件 崩越二极管 漂移 cad
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