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C掺杂Mn3Ge的电子结构和磁性 被引量:2
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作者 张雪颖 冯琳 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2019年第6期742-748,共7页
采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGe Cx的晶体结构进行几何优化,发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化,发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大,其中Mn3Ge C0. ... 采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGe Cx的晶体结构进行几何优化,发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化,发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大,其中Mn3Ge C0. 4总磁矩接近零,可以实现完全的磁性补偿.研究Mn3Ge C0. 4多层膜的磁性,给出总磁矩接近零的Mn3Ge C0. 4多层膜结构,为Mn3Ge的实际应用提供参考. 展开更多
关键词 HEUSLER合金 mn3ge C掺杂 磁性
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低磁场条件下Mn5(Ge_(3-x)Sb_x)(x=0、0.1、0.2、3)合金磁热效应研究 被引量:1
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作者 陆兵 王贵 +5 位作者 陈明 李保卫 黄焦宏 金培育 刘金荣 徐来自 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1509-1510,1513,共3页
用真空高频悬浮炉在高纯氩气保护下制备了Mn5(Ge3-xSbx)(x=0、0.1、0.2、3)合金系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(ΔTad-T),结果表明,用元素Sb替代Mn5Ge3合金中的Ge原子,不能增强合... 用真空高频悬浮炉在高纯氩气保护下制备了Mn5(Ge3-xSbx)(x=0、0.1、0.2、3)合金系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(ΔTad-T),结果表明,用元素Sb替代Mn5Ge3合金中的Ge原子,不能增强合金的磁热效应,但对合金的居里温度有一定影响。 展开更多
关键词 金属功能材料 磁热效应 磁致冷材料 Mn5Ge3型合金 低磁场 合金 效应研究 热效应曲线 氩气保护 测量方法 磁热效应 居里温度 悬浮炉
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分子场理论在Mn_5Ge_3中的应用
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作者 松林 杨巍 《内蒙古师范大学学报(教育科学版)》 2002年第5期12-14,共3页
依据中子衍射法得到铁磁性的Mn5Ge3 的磁结构 ,利用外斯的分子场理论 ,计算了在i,k位Mn原子之间的交换作用系数Jik。
关键词 分子场理论 应用 Mn5Ge3 化合物 交换作用系数 热磁曲线 锰锗金属间化合物
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Si掺杂对Mn_3Zn_(0.6)Ge_(0.4)N的负热膨胀和磁性能的影响
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作者 李少鹏 谭杰 +3 位作者 赵玉强 王维 黄荣进 李来风 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期521-525,共5页
为了探究Si元素对反钙钛矿材料Mn3Zn0.6Ge0.4N的负热膨胀和磁性能的影响,利用放电等离子体烧结法制备了一系列Si掺杂的Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN(x=0,0.1,0.15,0.2)材料。材料的结构通过多晶粉末X射线衍射进行了表征,测试结果表明实验成功的... 为了探究Si元素对反钙钛矿材料Mn3Zn0.6Ge0.4N的负热膨胀和磁性能的影响,利用放电等离子体烧结法制备了一系列Si掺杂的Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN(x=0,0.1,0.15,0.2)材料。材料的结构通过多晶粉末X射线衍射进行了表征,测试结果表明实验成功的制备了Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN化合物(空间群Pm-3 m)。接着,对Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN进行了热膨胀性能测试,发现随着Si掺杂量的增加,样品的负热膨胀温区的起始温度向低温移动,而负热膨胀温区的宽度不变。Mn3Zn0.6SixGe0.4-xN的磁性能由物理性能测试系统(PPMS)进行了测试,结果表明,掺杂Si元素之后,在370 K附近的顺磁-反铁磁转变完全消失,这与掺杂Si元素之后,负热膨胀起始温度迅速向低温移动的现象一致,证明负热膨胀现象与磁转变的紧密联系。另外,Si掺杂使Mn3Zn0.6Ge0.4N在低温阶段出现自旋玻璃态现象,同时激发了样品的低温铁磁性。 展开更多
关键词 Mn3Zn0.6Ge0. 4N Si掺杂 放电等离子体烧结 负热膨胀性能 磁性能
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Mn_5 Ge_(3-x)R_x系列合金在低磁场下的磁热效应
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作者 洪波 徐来自 任慧平 《上海金属》 CAS 2005年第1期18-20,共3页
在对Mn5Ge3合金研究的基础上 ,以Si,Sb元素取代Mn5Ge3合金中的部分Ge元素 ,形成Mn5Ge3-xSix ,Mn5Ge3-xSbx 系列合金。利用X射线粉末衍射技术确定其结构 ,并在 1 3T的磁场下直接测量其磁热效应。结果表明 ,随着Sb元素含量的增加 ,Mn5Ge3... 在对Mn5Ge3合金研究的基础上 ,以Si,Sb元素取代Mn5Ge3合金中的部分Ge元素 ,形成Mn5Ge3-xSix ,Mn5Ge3-xSbx 系列合金。利用X射线粉末衍射技术确定其结构 ,并在 1 3T的磁场下直接测量其磁热效应。结果表明 ,随着Sb元素含量的增加 ,Mn5Ge3-xSbx合金的居里温度升高 ,少量的Sb元素对合金的磁热效应影响较小 ;随着Si元素含量的增加 ,Mn5Ge3-xSix 合金的居里温度降低 ,磁热效应发生明显的衰减。 展开更多
关键词 Mn5Ge3-xRx系列合金 低磁场 磁热效应 居里温度
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Growth of Mn_5Ge_3 ultrathin film on Ge(111)
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作者 陈立军 王德勇 +3 位作者 詹清峰 何为 李庆安 成昭华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第10期3902-3906,共5页
The growth of Mn5Ge3 ultrathin films with different thicknesses, prepared by solid phase epitaxy, is studied. The results of scanning tunnelling microscopy and low energy electron diffraction studies show that the fil... The growth of Mn5Ge3 ultrathin films with different thicknesses, prepared by solid phase epitaxy, is studied. The results of scanning tunnelling microscopy and low energy electron diffraction studies show that the film can be formed and it is terminated with a (√3 × √3) R30° surface reconstruction when the thickness of Mn exceeds 3 monolayers. The magnetic properties show that the Curie temperature is about 300 K and the T^2-dependent behaviour is observed to remain up to 220 K. 展开更多
关键词 Mn5Ge3 magnetic semiconductors scanning tunnelling microscopy solid phase epitaxy
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