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脉冲激光沉积MnF2薄膜的电化学性能 被引量:1
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作者 崔艳华 薛明喆 +6 位作者 胡可 李达 汪小琳 苏伟 刘效疆 孟凡明 傅正文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期145-150,共6页
采用脉冲激光沉积法在不锈钢基片上制备了纳米结构的MnF2薄膜.充放电测试显示该薄膜在2μA/cm2的放电电流下,前50次循环具有350~530mAh/g的可逆容量.在循环伏安测试中得到了0.5和1.0V的可逆氧化还原峰,分别代表了MnF2在充放电时的可逆反... 采用脉冲激光沉积法在不锈钢基片上制备了纳米结构的MnF2薄膜.充放电测试显示该薄膜在2μA/cm2的放电电流下,前50次循环具有350~530mAh/g的可逆容量.在循环伏安测试中得到了0.5和1.0V的可逆氧化还原峰,分别代表了MnF2在充放电时的可逆反应.薄膜的晶体结构和形貌采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,充放电后薄膜的组成与结构通过高分辨电子显微镜和选区电子衍射来表征.实验结果揭示了纳米结构MnF2薄膜与Li的电化学反应机理,LiF在首次放电后形成的纳米粒子在过渡金属Mn颗粒的驱动下,可以发生可逆的分解和形成.MnF2薄膜较小的极化和较高的容量使其可用作锂离子电池阳极材料. 展开更多
关键词 mnf2 薄膜 脉冲激光沉积 锂离子电池
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MnF_2纳米晶的合成及表征
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作者 李新新 马辉 +1 位作者 李永良 刘金英 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期573-575,共3页
室温下成功地合成了MnF2纳米晶.它的X-射线衍射图(XRD)中所有的衍射峰均指标化为金红石结构的MnF2,晶胞参数为a=0.485 7 nm,c=0.330 9 nm.从扫描电镜图中可以看到,所制备MnF2纳米晶的形貌是球形颗粒,尺寸大约在20 nm左右.它的吸收光谱... 室温下成功地合成了MnF2纳米晶.它的X-射线衍射图(XRD)中所有的衍射峰均指标化为金红石结构的MnF2,晶胞参数为a=0.485 7 nm,c=0.330 9 nm.从扫描电镜图中可以看到,所制备MnF2纳米晶的形貌是球形颗粒,尺寸大约在20 nm左右.它的吸收光谱显示出Mn2+的d-d跃迁的特征吸收.磁性质表征显示在70.0 K处MnF2纳米晶从反铁磁性转变为顺磁性,在2 K温度下,表现出线性磁行为. 展开更多
关键词 mnf2 纳米晶 磁性质
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MnF_2∶Yb^(3+),Er^(3+)的溶剂热合成及其上转换发光性能
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作者 赵丰华 侯婷婷 +1 位作者 王立开 李志坚 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期162-164,共3页
以NH4F为氟源采用溶剂热法制备了MnF_2∶Yb^(3+),Er^(3+)纳米晶,考察了样品在980nm激发光源作用下,氟源用量及表面活性剂对所制备样品结构、形貌、粒径及发光性能的影响。X射线衍射结果表明,制备的样品属于四方晶系;扫描电镜和荧光光谱... 以NH4F为氟源采用溶剂热法制备了MnF_2∶Yb^(3+),Er^(3+)纳米晶,考察了样品在980nm激发光源作用下,氟源用量及表面活性剂对所制备样品结构、形貌、粒径及发光性能的影响。X射线衍射结果表明,制备的样品属于四方晶系;扫描电镜和荧光光谱结果表明,n(Re^(3+))∶n(F-)=1∶10及5%聚醚酰亚胺的乙二醇溶液为表面活性剂条件下制备的样品颗粒呈截角八面体状,粒径均匀,其上转换发光强度最大。 展开更多
关键词 上转换发光 溶剂热法 mnf2∶Yb3+ ER3+
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MnF_2制备工艺的研究与改进
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作者 董平安 薛从顺 李习 《中国锰业》 2015年第2期26-29,共4页
通过对Mn F2传统工艺的研究,开发出以菱锰矿浸出液、氟化铵为主要原料制备Mn F2的方法,解决了传统工艺制备Mn F2杂质含量较高,品质难以控制,操作危险等难题。所制取的Mn F2产品中多数杂质离子含量均低于0.005%,产品质量远优于国内市场... 通过对Mn F2传统工艺的研究,开发出以菱锰矿浸出液、氟化铵为主要原料制备Mn F2的方法,解决了传统工艺制备Mn F2杂质含量较高,品质难以控制,操作危险等难题。所制取的Mn F2产品中多数杂质离子含量均低于0.005%,产品质量远优于国内市场现有产品。 展开更多
关键词 菱锰矿浸出液 氟化铵 mnf2 杂质含量
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氮化铝薄膜及其掺锰的光致发光 被引量:2
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作者 赵彦立 钟国柱 +1 位作者 范希武 李长华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1999年第4期372-374,共3页
用射频磁控反应溅射的方法,以 Al及 Al+ Mn F2 为靶材,石英玻璃为衬底,在不同的射频功率下,制备了 Al N 多晶态和非晶态两类薄膜。发现非晶态薄膜吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动20nm 。对于非晶态薄膜,通过喇... 用射频磁控反应溅射的方法,以 Al及 Al+ Mn F2 为靶材,石英玻璃为衬底,在不同的射频功率下,制备了 Al N 多晶态和非晶态两类薄膜。发现非晶态薄膜吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动20nm 。对于非晶态薄膜,通过喇曼光谱的分析,得到了 Al N 薄膜的特征声子能量的信息。首次用金属 Al和块状 Mn F2 共溅射的方法,制备了 Al N: Mn F2 薄膜,在退火后的多晶态样品中,测得了 Mn 的特征光致发光。 展开更多
关键词 氮化铝 氟化锰 溅射 薄膜 光致发光
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