MnO2掺杂的MmNi3.2Al0.2Mn0.6Co1.0对NaBH4氧化的电催化性能

通过测试线性扫描伏安曲线研究了MnNi3.2Al0.2Mn0.6Co1.0（Mm为混合稀土）经KOH处理和MnO2掺杂对催化NaBH4电氧化性能的影响．发现NaBH4在经KOH处理后的合金上峰电流达到50mA／cm^2．若再进行MnO2掺杂，其电催化活性会进一步提高，当掺杂MnO2的质量分数为10％时，MmNi3.2Al0.2Mn0.6Co1.0对NaBH4电氧化的峰电位和峰电流密度分别为-0．45V和126mA／cm2，峰电流密度为只经过KOH处理的合金的2．5倍，是未经过任何处理的合金的9倍．

MnO_2掺杂对NiZn铁氧体磁性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了MnO2掺杂Ni0.88Zn0.12Fe1.98O4铁氧体材料。实验发现,较高的烧结温度有助于NiZn铁氧体磁导率的提高,但过高和过低烧结温度都不利于材料品质因数的提高,从降低损耗的角度考虑,最佳烧结温度为1220℃。当NiZn铁氧体中MnO2掺杂量为1.5%时,铁氧体晶粒生长均匀,平均晶粒尺寸适中,能获得最高的品质因数,过低或过高的掺杂量都不利于损耗的降低。铁氧体饱和磁感应强度随MnO2掺杂量的增多先上升,后下降,但总体的变化程度都不大。而矫顽力则随掺杂量的增多持续下降。相关的影响机制在文中作了详细的讨论。

MnO_2掺杂NiFe_2O_4的初期烧结动力学特征

借助热膨胀仪,采用恒升温速率法研究了升温速率和添加剂MnO_2对镍铁尖晶石的初期烧结行为影响。结果表明,较低的升温速率可以使样品获得较大的线收缩,添加MnO_2,可以降低样品的开始形成烧结颈温度,加快镍铁尖晶石的致密化过程。添加MnO_2后各体系的初期烧结均由晶界扩散机制转变成了体积扩散机制,烧结过程的表观活化能均大幅下降,其中添加1.0%(质量分数)MnO_2的体系下降最为明显,从未添加时的813.9kJ/mol降到了441.9kJ/mol。

MnO_2掺杂对BiFeO_3-PbTiO_3-Bi(Zn_(1/2)Ti_(1/2))O_3-PbZrO_3陶瓷组织与性能的影响

采用固相烧结法制备MnO2掺杂的BiFeO3-PbTiO3-Bi（Zn1/2Ti1/2）O3-PbZrO3（BF-PT-BZT-PZ）压电陶瓷,研究了不同MnO2掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量的MnO2掺杂,不仅能使晶粒长大,提高晶界强度,而且可以改善材料的介电压电性能。当MnO2掺杂量为0.1mol%时,880℃（5h）烧结的陶瓷样品性能参数为：d33=97pC/N,kp=0.29,kt=0.37,εr=390,tanδ~0.02。

MnO_2掺杂Bi(Mg_(1/2)Ti_(1/2))O_3-0.38PbTiO_3陶瓷的介电压电性能研究

研究了不同MnO2含量掺杂对Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-0.38PbTiO3压电陶瓷结构和介电压电性能的影响。随着MnO2掺杂量增加,试样的三方相结构特征越来越明显,压电性能明显下降,居里温度附近介电常数εm明显降低;同时,当测试温度大于100℃后,MnO2掺杂试样介电损耗整体明显降低,说明适量的MnO2掺杂能提高BMT-0.38PT陶瓷在高温下的性能稳定性。

MnO_2掺杂对Sr_(1.95)Ca_(0.05)NaNb_5O_(15)无铅压电陶瓷微观结构及电学性能的影响

采用固相反应法制备了MnO2掺杂Sr1.95Ca0.05NaNb5O15+ywt%MnO2(SCNNM)无铅压电陶瓷。研究了MnO2掺杂对SCNNM陶瓷显微结构及电学性能的影响。结果表明:当y≤0.7时,SCNNM陶瓷为单一的四方钨青铜结构,当y≥1.0时有第二相生成;少量MnO2掺杂能有效降低烧结温度,促进晶粒长大,显著提高SCNNM陶瓷的介电、压电性能,降低矫顽场和居里温度,当y>0.7时,陶瓷烧结恶化,性能降低。当y=0.5时,SCNNM陶瓷具有较好的介电、压电和铁电性能:介电系数εr=2123,介电损耗tanδ=0.038,平面伸缩振动机电耦合系数Kp=13.4%,厚度伸缩振动机电耦合系数Kt=36.5%,矫顽场Ec=12.68 kV/cm,剩余极化强度Pr=4.76μC/cm2,压电系数d33=190 pC/N,机械品质引因数Qm=1455,居里温度Tc=260oC。

MnCO_3/MnO_2共掺杂对(Ba,La,Ca)TiO_3基陶瓷材料介电性能的影响

采用水热法制备了Ba0.7La0.2Ca0.1TiO3陶瓷材料,研究了MnCO3/MnO2共掺杂对陶瓷材料介电性能的影响及相关的影响规律。随着nMnCO3/nMnO2的增加,材料的介电常数开始增大随后减小,而介电损耗先减小再增大后开始波动,击穿场强先增大后减小。当nMnCO3/nMnO2为3∶1时介电常数最大,得到了介电常数(εr)为4661,介质损耗(tanδ)为0.0165,击穿场强(Eb)为12.58kV/mm,绝缘电阻(R)为3.7×1013Ω的高介电低损耗陶瓷粉体材料。最后探讨了MnCO3/MnO2共掺杂改性的有关机理。

可充碱锰电池MnO_2正极添加剂的研究进展

结合近年来可充碱锰(RAM)电池的发展,综述了碱性MnO2正极材料方面的掺杂改性研究;简要介绍了Bi、Ti和Pb等掺杂的MnO2正极的电化学性能及掺杂机理;展望了RAM电池的发展前景。

MnO_2和Co_2Y联合添加对Ni-Zn铁氧体磁损耗的影响

采用传统陶瓷工艺制备了MnO2和Co2Y联合添加的Ni0.8Zn0.2Fe2O4铁氧体材料,研究了材料的结构与功耗。结果表明,随着MnO2添加量的增多,Ni-Zn铁氧体的损耗经历增大-减小-增大的变化,最佳添加量为1.2wt%。进一步研究表明,与不添加MnO2的材料相比,最佳添加时铁氧体的磁滞损耗系数与涡流损耗系数都减小,但剩余损耗系数有所增大。

MnO2对(Zr0.8Sn0.2)Ti1+δO4+2δ微波介质陶瓷的结构与介电性能的影响

研究掺杂0-0.2wt.%Mn O2的(Zr0.8Sn0.2)Ti1+δO4+2δ(δ=-0.2-0.2)微波介质陶瓷(ZST)的结构和介电性能。固相法制备陶瓷粉料,采用XRD和SEM手段分析陶瓷的晶相和显微结构,并用平行板谐振器法测试样品的微波介电性能。结果表明,未掺杂Mn O2的(Zr0.8Sn0.2)Ti1+δO4+2δ(δ≠0)存在第二相,且(Zr0.8Sn0.2)Ti1.2O4.8陶瓷的微波介电性能最差;掺杂0.2wt.%Mn O2极大地改善了(Zr0.8Sn0.2)Ti1.2O4.8陶瓷的介电性能,Q×f从25.40 THz升高至43.63 THz,频率温度系数从39.0 ppm/℃降至16.8 ppm/℃。

二氧化锰掺杂氧化碲粉体的制备及微观结构表征研究

用球磨法与液相沉淀法两种方法分别制备了MnO_2掺杂TeO_2超细粉体,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线激发发射光谱(XEL)对样品的物相组成、形貌等微观结构和发光性能进行了测试表征。结果表明,通过增加球磨混合时间和改变球磨介质,用球磨法可制得3～4μm的TcO_2粉体。相比球磨法,用液相沉淀法可制得更加均匀和细小的超细粉体,所得粉体的平均颗粒尺寸约为1μm,其发光强度更高。