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铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
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作者 彭长涛 陈诺夫 +1 位作者 张富强 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期494-498,共5页
采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射... 采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 . 展开更多
关键词 铁磁/半导体异质结 mnsb/Si 物理气相沉积 mnsb X射线衍射分析
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变速生长的MnSb/Sb共晶相间距选择 被引量:4
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作者 潘冶 孙国雄 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期85-88,共4页
用自制的具有可靠变速特性的定向凝固装置,研究了MnSb/Sb共晶在阶跃增、减速抽拉的变速生长条件下,相间距的变化行为和调节机制。结果表明,当共晶试样以小变速比增速或减速时,相间距λ在一过渡区内逐渐变化,λ对抽拉速度V... 用自制的具有可靠变速特性的定向凝固装置,研究了MnSb/Sb共晶在阶跃增、减速抽拉的变速生长条件下,相间距的变化行为和调节机制。结果表明,当共晶试样以小变速比增速或减速时,相间距λ在一过渡区内逐渐变化,λ对抽拉速度V呈滞后响应,分别通过不同位置处的分叉、分枝或终结机制调节,相间距选择进程基本是对称的。以大变速比增速生长时,相间距骤然减小,λ对V的响应无滞后,而减速时λ逐渐增大,λ对V呈滞后式响应。间距细化是同一位置上的分叉和分枝,逐渐粗化仍以终结为主,增、减速时的相间距选择进程是非对称的。 展开更多
关键词 相间距选择 变速生长 定向凝固 mnsb/Sb 共晶
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MnSb/Sb共晶复合材料与凝固界面稳定性 被引量:4
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作者 潘冶 孙国雄 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期359-363,共5页
用 Bridgman 法制备了 Mn Sb/ Sb 棒状共晶复合材料, 得出其组织标度律和平界面生长条件. 基于棒状共晶界面前沿的成分过冷和曲面过冷, 估算了 Mn Sb/ Sb 棒状共晶平界面生长临界速度, 与实验结果吻合较好.... 用 Bridgman 法制备了 Mn Sb/ Sb 棒状共晶复合材料, 得出其组织标度律和平界面生长条件. 基于棒状共晶界面前沿的成分过冷和曲面过冷, 估算了 Mn Sb/ Sb 棒状共晶平界面生长临界速度, 与实验结果吻合较好. 揭示了目前沿用的成分过冷( C S) 展开更多
关键词 复合材料 界面稳定性 棒状共晶 定向凝固 mnsb
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MnSb/Sb共晶复合材料的凝固特性
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作者 潘冶 孙国雄 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1995年第5期97-102,共6页
用Bridgman法研究了MnSb/Sb共晶的凝固特性.结果表明,MnSb/Sb共晶在温度梯度GL=96~123℃/cm,生长速度v=0.2~25μm/s条件下,呈nf/nf规则生长,v>1μm/s时具有完全纤维状自... 用Bridgman法研究了MnSb/Sb共晶的凝固特性.结果表明,MnSb/Sb共晶在温度梯度GL=96~123℃/cm,生长速度v=0.2~25μm/s条件下,呈nf/nf规则生长,v>1μm/s时具有完全纤维状自生复合材料的组织特征,而低速生长(v≤1μm/s)时出现棒-片共晶演化.建立了相间距λ和v关系的标度律,GL对该标度律无甚影响.文中对棒状共晶的体积生长动力学和棒-片形态演化进行了分析. 展开更多
关键词 凝固 复合材料 mnsb 共晶
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MnSb系压电陶瓷材料sol-gel法合成工艺研究
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作者 孙华君 刘晓芳 陈文 《山东理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第1期24-27,共4页
采用sol gel工艺制备了钙钛矿结构的锆钛酸铅压电陶瓷材料 (PZT) ,用先驱体合成法制得了PMS、PZN ,然后以制得的PZT作为基料 ,与PMS、PZN一起合成PMZN压电陶瓷 ,探讨了PZT制备工艺对材料结构和性能的影响 .结果表明 :sol gel法合成PZT... 采用sol gel工艺制备了钙钛矿结构的锆钛酸铅压电陶瓷材料 (PZT) ,用先驱体合成法制得了PMS、PZN ,然后以制得的PZT作为基料 ,与PMS、PZN一起合成PMZN压电陶瓷 ,探讨了PZT制备工艺对材料结构和性能的影响 .结果表明 :sol gel法合成PZT粉制备的PMZN系压电陶瓷材料具有机电耦合系数高 ,介质损耗小 ,介电常数与机械品质因数适中等特点 ;sol gel工艺降低了材料的烧结温度 ,改善了材料的介电与压电性能 ,提高了谐振频率 . 展开更多
关键词 mnsb系压电陶瓷材料 SOL-GEL法 合成工艺 钙钛矿结构 锆钛酸铅压电陶瓷材料 先驱体合成法 压电性能
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由纳米棒和纳米叶组成的铁磁性的MnSb薄膜(英文)
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作者 戴瑞烜 陈诺夫 +2 位作者 张兴旺 彭长涛 吴金良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期661-664,共4页
提供了一种利用物理蒸发沉积技术在单晶硅上生长纳米尺度的MnSb薄膜的方法.X射线衍射分析表明薄膜的主要成分是MnSb合金.场发射扫描电镜观察到薄膜是由纳米尺寸的棒状物和叶状物组成.纳米棒的平均直径为20nm,长度在几百纳米范围内.纳米... 提供了一种利用物理蒸发沉积技术在单晶硅上生长纳米尺度的MnSb薄膜的方法.X射线衍射分析表明薄膜的主要成分是MnSb合金.场发射扫描电镜观察到薄膜是由纳米尺寸的棒状物和叶状物组成.纳米棒的平均直径为20nm,长度在几百纳米范围内.纳米叶的厚度大约为20nm,宽度为100nm左右.用可变梯度磁力计测量了薄膜的磁滞回线,结果显示薄膜有很强的几何各向异性. 展开更多
关键词 铁磁性 mnsb 纳米棒和纳米叶 物理气相沉积
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Study on the Polarization Effect by Ce Doping in MnSb Alloy
7
《Wuhan University Journal of Natural Sciences》 CAS 1996年第2期184-186,共3页
Using discrete variational X. method within the local-density-functional theory and cluster models, the electronic structure and magnetic property or MnSh(Ce) are investigated.It is round that Sb5p state is much pola... Using discrete variational X. method within the local-density-functional theory and cluster models, the electronic structure and magnetic property or MnSh(Ce) are investigated.It is round that Sb5p state is much polarized by Ce doping.The spin moment of Sb changes from -0.06 V,in MnSh to -0.32μb, in MnSh(Ce).The interaction between Mn and doped Ce is small compared with that between Sb and Ce in MnSh(Ce).The influence to the magneto-optical Property of MnSh by the doped Ce is discussed. It is expected that the Sb-5p polarization caused by Ce will make MnSh(Ce)a promising magneto-optical material. 展开更多
关键词 discrete variational method cluster model CE mnsb POLARIZATION
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棒状共晶界面成分分布及对平界面生长的影响 被引量:4
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作者 潘冶 孙国雄 《铸造》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期315-317,共3页
用定向凝固法揭示了MnSb/Sb棒状共晶 (纤维复合材料 )平界面生长条件。基于成分过冷理论 ,推导了棒状共晶组元耦合扩散边界层内浓度梯度要求的GL/V条件。并从二元共晶界面不稳定性的类型和溶质分布形式的角度 。
关键词 复合材料 棒状共晶 平界面生长 mnsb/Sb
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棒状共晶的凝固模型 被引量:6
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作者 潘冶 孙国雄 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期120-126,共7页
基于定向凝固胞晶与Saffman-Taylor指的相似性,给出了棒状共晶凝固模型,得到表述的相间距选择规律,并用MnSb/Sb共晶生长实验证实了模型的有效性。发现nf/nfMnSb/Sb和f/nfMnBi/Bi,Si... 基于定向凝固胞晶与Saffman-Taylor指的相似性,给出了棒状共晶凝固模型,得到表述的相间距选择规律,并用MnSb/Sb共晶生长实验证实了模型的有效性。发现nf/nfMnSb/Sb和f/nfMnBi/Bi,Si/Al棒状共晶有非常接近的耦合参数σ_eff,结构特征上表现为相间距选择的相似性。 展开更多
关键词 棒状共晶 耦合模型 凝固模型 金属
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用原子团模型研究MuSb(Pt)的电子结构和磁学性质
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作者 张龙 金准智 +3 位作者 乔豪学 邹宪武 操武俊 黄良安 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1995年第5期599-604,共6页
使用原子团嵌入模型和自洽场自旋极化离散变分(DV)Xa方法,对MnSb的电子结构和自旋磁矩进行了计算,并研究了Pt掺杂对MnSb电子结构与磁性的影响,讨论了MnSbPt中Kerr偏转角显著增大的原因.
关键词 mnsb 电子结构 原子团模型 磁学性质
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生长在GaAs和兰宝石基片上的铁磁薄膜Mn1—xSb
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作者 未休 《电子材料快报》 1995年第11期11-11,共1页
关键词 GAAS 兰宝石基片 铁磁薄膜 mnsb
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掺铈的锰锑合金电子结构计算
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作者 张龙 金准智 +3 位作者 邹宪武 操武俊 黄良安 苏海松 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1996年第3期347-350,共4页
利用原子团模型和DV-xa方法,计算了掺铈的锰锑合金的电子结构和自旋磁矩,首次确定了掺铈合金中锰、锑和铈各原子之间的电荷转移,并与未掺杂的锰锑合金的计算结果进行了比较,结果表明掺铈合金中铈原子有部分电荷转移到锑原子上,讨论了掺... 利用原子团模型和DV-xa方法,计算了掺铈的锰锑合金的电子结构和自旋磁矩,首次确定了掺铈合金中锰、锑和铈各原子之间的电荷转移,并与未掺杂的锰锑合金的计算结果进行了比较,结果表明掺铈合金中铈原子有部分电荷转移到锑原子上,讨论了掺铈合金中铈原子的4f轨道的特性,发现铈原子4f轨道有很强的局域性。在Fermi面附近,铈原子的4f轨道与锑原子的5P轨道、锰原子的3d轨道有相互作用,但铈原子与锑原子之间的作用更强。 展开更多
关键词 原子团模型 电子结构 锰锑合金 掺杂
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