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铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
1
作者
彭长涛
陈诺夫
+1 位作者
张富强
林兰英
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期494-498,共5页
采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射...
采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 .
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关键词
铁磁/半导体异质结
mnsb
/Si
物理气
相
沉积
mnsb相
X射线衍射分析
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职称材料
题名
铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
1
作者
彭长涛
陈诺夫
张富强
林兰英
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期494-498,共5页
文摘
采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 .
关键词
铁磁/半导体异质结
mnsb
/Si
物理气
相
沉积
mnsb相
X射线衍射分析
Keywords
ferromagnet/semiconductor heterostructure
physical vapor deposition
mnsb
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
彭长涛
陈诺夫
张富强
林兰英
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
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