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MnSi_(1.7)半导体薄膜材料研究进展 被引量:1
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作者 赵伟 侯清润 +1 位作者 陈宜保 何元金 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期539-546,共8页
本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备... 本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂,可以获得p型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV.K-1。 展开更多
关键词 mnsi1.7半导体薄膜 温差发电 综述 红外探测器 掺杂 纳米尺寸
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