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MnSi_(1.7)半导体薄膜材料研究进展
被引量:
1
1
作者
赵伟
侯清润
+1 位作者
陈宜保
何元金
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期539-546,共8页
本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备...
本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂,可以获得p型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV.K-1。
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关键词
mnsi1.7半导体薄膜
温差发电
综述
红外探测器
掺杂
纳米尺寸
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职称材料
题名
MnSi_(1.7)半导体薄膜材料研究进展
被引量:
1
1
作者
赵伟
侯清润
陈宜保
何元金
机构
清华大学物理系
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期539-546,共8页
文摘
本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂,可以获得p型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV.K-1。
关键词
mnsi1.7半导体薄膜
温差发电
综述
红外探测器
掺杂
纳米尺寸
Keywords
mnsi
1.7
semiconducting film, Thermoelectric, Review, Infrared detector, Doping, Nano-seale
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
TM304.2 [电气工程—电机]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MnSi_(1.7)半导体薄膜材料研究进展
赵伟
侯清润
陈宜保
何元金
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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