期刊文献+
共找到13篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
The relationship between slip behavior and dislocation arrangement for large-size Mo-3Nb single crystal at room temperature 被引量:1
1
作者 Benqi Jiao Qinyang Zhao +5 位作者 Yongqing Zhao Laiping Li Zhongwu Hu Xuanqiao Gao Wen Zhang Jianfeng Li 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第33期208-213,共6页
The slip behavior and mechanism of large-size Mo-3Nb single crystal have been investigated and disclosed comprehensively at room temperature by quasi-static compression with various strains.With the increase of deform... The slip behavior and mechanism of large-size Mo-3Nb single crystal have been investigated and disclosed comprehensively at room temperature by quasi-static compression with various strains.With the increase of deformation,the slip traces change from shallow non-uniform slip lines to dense and uniform slip bands.Different slip traces in the same deformation condition were observed,suggesting that the slip traces in the single crystal are controlled by different types and arrangement mechanisms of mobile dislocation.To clarify the relationship between slip behavior and dislocation arrangement,TEM and AFM analyses were performed.Significant discrepancy between the mobility of screw segments and edge segments caused by double cross-slip multiplication mechanism is the reason why different slip features were witnessed.During the whole slip deformation process,screw dislocations play a dominant role and they are inclined to form wall-substructures by interaction and entanglement.With the development of dislocation accumulation,the entangled dislocation walls evolve into dislocation cells with higher stability. 展开更多
关键词 mo-3nb single crystal Slip behavior DISLOCATION CROSS-SLIP Substructure evolution mechanism
原文传递
Ta^(5+)、Nb^(5+)掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光电性质研究进展
2
作者 王超 赛青林 齐红基 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期219-227,共9页
β-Ga_(2)O_(3)作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备β-Ga_(2)O_(3)单晶及如何通过掺杂五族离子实现对β-Ga_(2)O_(3)单晶电学性质及光学性... β-Ga_(2)O_(3)作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备β-Ga_(2)O_(3)单晶及如何通过掺杂五族离子实现对β-Ga_(2)O_(3)单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究,对β-Ga_(2)O_(3)单晶的制备方法、Ta5+与Nb5+掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的电学性质及光学性质进行了综述。 展开更多
关键词 材料 β-Ga_(2)O_(3)单晶 制备方法 光学性质 电学性质
下载PDF
Li_(2)ZrO_(3)原位包覆提升LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_(2)三元材料电化学性能研究 被引量:2
3
作者 张家祥 田小龙 李西安 《电源技术》 CAS 北大核心 2023年第7期861-865,共5页
高镍三元LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_(2)(NCM60)因其具有较高的放电比容量以及能量密度,是一种非常有发展潜力的锂离子电池正极材料。然而由于较为严重的结构/界面恶化现象(如微裂纹,界面副反应等),NCM60材料的电化学性能及循环寿命... 高镍三元LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_(2)(NCM60)因其具有较高的放电比容量以及能量密度,是一种非常有发展潜力的锂离子电池正极材料。然而由于较为严重的结构/界面恶化现象(如微裂纹,界面副反应等),NCM60材料的电化学性能及循环寿命受到严重的限制。采用单晶化策略,成功合成出了微米级单晶NCM60正极材料;并以Ni_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)(OH)_(2)前驱体为基体,采用预包覆和共锂化的方法,在单晶正极材料NCM60表面均匀包覆Li_(2)ZrO_(3)快离子导体层。一方面,表面均匀包覆Li_(2)ZrO_(3)层改善了材料充放电过程中锂离子的扩散动力学,有助于降低电极极化程度;另一方面,Li_(2)ZrO_(3)具有稳定的晶体结构,通过与NCM60材料紧密结合,提高材料机械稳定性,有效抑制微裂纹的产生并减轻界面副反应程度。正如预期,适量Li_(2)ZrO_(3)改性的材料(LZO@NCM60)展现出优异的电化学性能,在1 C(170 mA/g)电流密度,2.95~4.6 V电压范围内循环150次后仍有158.5 mAh/g的放电比容量,容量保持率高达86.7%。深入研究了表面修饰对材料界面机制的影响,对下一代高能锂离子电池正极材料的开发具有一定借鉴意义。 展开更多
关键词 锂离子电池 LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_(2)正极材料 单晶结构 Li_(2)ZrO_(3)原位包覆
下载PDF
LED白光源用Pr^(3+),Ce^(3+):YAG光纤制备与特性 被引量:7
4
作者 叶林华 周小芬 +2 位作者 宋丽 李刚 刘相芳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期2059-2062,共4页
采用激光加热基座法制备LED白光源用Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料,对所制备材料的荧光光学特性进行了实验分析结果表明,在Pr3+和Ce3+共掺发光过程中,Pr3+离子的发光可以通过Ce3+敏化作用使得其610nm谱线荧光强度得到有效增强;利用所制... 采用激光加热基座法制备LED白光源用Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料,对所制备材料的荧光光学特性进行了实验分析结果表明,在Pr3+和Ce3+共掺发光过程中,Pr3+离子的发光可以通过Ce3+敏化作用使得其610nm谱线荧光强度得到有效增强;利用所制备Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料与蓝色LED合成产生高效LED光纤白光源,光源的色坐标为(x=0.322,y=0.335),显色指数84.3,表明光源品质良好,有望用于未来高效大功率光纤白光源. 展开更多
关键词 白光源 单晶光纤 荧光材料 Pr3+ Ce3+:YAG 敏化
下载PDF
Nd^(3+)掺杂PbWO_4晶体的光谱特征和浓度效应 被引量:2
5
作者 黄彦林 赵连泽 谢建军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期891-896,共6页
钨酸铅晶体(PbWO4)是新型的闪烁晶体,针对其广阔的光电子应用,实验测试了Nd3+掺杂PbWO4晶体的吸收光谱,讨论了不同的Nd3+掺杂浓度对于吸收系数和PbWO4光学吸收边的影响。依据Judd-Ofelt理论计算了吸收截面积、强度参数、量子荧光效率、... 钨酸铅晶体(PbWO4)是新型的闪烁晶体,针对其广阔的光电子应用,实验测试了Nd3+掺杂PbWO4晶体的吸收光谱,讨论了不同的Nd3+掺杂浓度对于吸收系数和PbWO4光学吸收边的影响。依据Judd-Ofelt理论计算了吸收截面积、强度参数、量子荧光效率、荧光分支比等。讨论了不同浓度Nd3+掺杂的PbWO4晶体的光致发光光谱;室温LD808nm泵浦下,1.06μm荧光发射的荧光强度、荧光寿命和发射截面积,论述了这些性能随Nd3+掺杂浓度的变化关系。 展开更多
关键词 钨酸铅单晶 Nd^3+掺杂 发光光谱 浓度效应 光学材料
下载PDF
B_(2)O_(3)包覆单晶LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)正极材料的性能 被引量:4
6
作者 何玉林 姚年春 +1 位作者 陈冬 蒋道霞 《电池》 CAS 北大核心 2021年第3期280-283,共4页
采用共沉淀法制备前驱体Ni_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)(OH)_(2),再经高温煅烧制备单晶正极材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)(OH)_(2),并进行B_(2)O_(3)包覆(质量分数为0.5%、1.0%和1.5%)。在3.0~4.3 V充放电,包覆量为1.0%的样品以0... 采用共沉淀法制备前驱体Ni_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)(OH)_(2),再经高温煅烧制备单晶正极材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)(OH)_(2),并进行B_(2)O_(3)包覆(质量分数为0.5%、1.0%和1.5%)。在3.0~4.3 V充放电,包覆量为1.0%的样品以0.5 C充电、1.0 C放电循环200次的容量保持率为84.58%,5.0 C放电比容量为107 mAh/g,未包覆的样品分别为74.29%、85 mAh/g。B_(2)O_(3)包覆可提高单晶正极材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)(OH)_(2)表面的稳定性,B_(2)O_(3)包覆层作为屏障材料,可阻止HF对基体材料的腐蚀。 展开更多
关键词 B_(2)O_(3)包覆 循环稳定 倍率性能 单晶LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_(2)(OH)_(2) 正极材料
下载PDF
YF_(3)掺杂对LiNi_(0.88)Co_(0.10)Al_(0.02)O_(2)单晶正极材料电性能的影响
7
作者 裴东 周双双 +1 位作者 李文升 许国峰 《电源技术》 CAS 北大核心 2022年第10期1105-1107,共3页
采用固相烧结方法制备出YF_(3)掺杂的LiNi_(0.88)Co_(0.10)Al_(0.02)O_(2)高镍单晶三元材料,研究了Y、F阴阳离子共掺杂不同掺杂量对单晶形貌及电性能的影响。结果表明:掺杂YF_(3)后显著提升了材料的比容量、倍率性能及循环性能。与未掺... 采用固相烧结方法制备出YF_(3)掺杂的LiNi_(0.88)Co_(0.10)Al_(0.02)O_(2)高镍单晶三元材料,研究了Y、F阴阳离子共掺杂不同掺杂量对单晶形貌及电性能的影响。结果表明:掺杂YF_(3)后显著提升了材料的比容量、倍率性能及循环性能。与未掺杂的样品相比,YF_(3)掺杂量为0.5%时,材料电性能最佳,首次放电比容量由未掺杂样品的192 mAh/g提升至198.99 mAh/g,3 C/0.2 C容量保持率由79.29%提升至90.97%,循环50圈后材料的容量保持率由92.88%提升至98.4%。 展开更多
关键词 高镍单晶正极材料 LiNi_(0.88)Co_(0.10)Al_(0.02)O_(2) YF_(3)
下载PDF
PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料的制备及其微结构和光催化性能 被引量:2
8
作者 许铭冬 李文强 +3 位作者 刘顺 章涛 来森 尹思敏 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2022年第3期340-347,共8页
为探究铁电表面对半导体氧化物结构和性能的影响,以单晶钙钛矿PbTiO_(3)纳米片为衬底,通过简单水热法调控CdS纳米晶的生长;通过成分设计,制备了一系列不同负载浓度的PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料,并对其微结构和光催化性能进行了系统分析... 为探究铁电表面对半导体氧化物结构和性能的影响,以单晶钙钛矿PbTiO_(3)纳米片为衬底,通过简单水热法调控CdS纳米晶的生长;通过成分设计,制备了一系列不同负载浓度的PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料,并对其微结构和光催化性能进行了系统分析。结果表明:在所制得的产物中,CdS纳米颗粒选择性生长在PbTiO_(3)纳米片表面,其形貌受到PbTiO_(3)纳米片暴露面的影响,PbTiO_(3)衬底与CdS纳米颗粒之间具有清晰的界面;起始反应物浓度与水热反应时间也显著影响CdS的晶体形态。光催化研究表明,所制备的PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料对10 mg/L罗丹明B水溶液具有显著的降解效应,随着CdS负载浓度的增加,其降解效率增加,其中质量分数3%的PbTiO_(3)-CdS样品在120 min内对10 mg/L罗丹明B水溶液的降解率可以达到72%。 展开更多
关键词 CDS 单晶钙钛矿 PbTiO_(3)纳米复合材料 光催化
下载PDF
钼铌合金单晶的制备 被引量:4
9
作者 胡忠武 李中奎 +4 位作者 张清 张军良 殷涛 郭林江 张廷杰 《有色金属》 CSCD 北大核心 2008年第2期1-4,共4页
研究熔炼室真空度、合金原料棒化学成分、熔炼速度、搅拌速度等对铝铌合金单晶制备的影响。结果表明,熔炼室高真空条件,低杂质元素含量(特别是C和O)的两次电子束熔炼/热加工原料棒、合适的熔炼速度0.4~4.0mm/min和旋转速度1.0... 研究熔炼室真空度、合金原料棒化学成分、熔炼速度、搅拌速度等对铝铌合金单晶制备的影响。结果表明,熔炼室高真空条件,低杂质元素含量(特别是C和O)的两次电子束熔炼/热加工原料棒、合适的熔炼速度0.4~4.0mm/min和旋转速度1.0~40r/min能确保区熔过程稳定,制备出高质量钼铌合金单晶。 展开更多
关键词 金属材料 钼铌合金单晶 电子束区域熔炼
下载PDF
以磷化铁为添加剂沿(111)面生长磷掺杂金刚石大单晶 被引量:3
10
作者 聂媛 许安涛 +9 位作者 李尚升 胡美华 赵法卿 赵桂平 黄国锋 李战厂 周振翔 王蒙召 陈珈希 周绪彪 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第4期587-593,共7页
掺杂是调控金刚石性能的一种重要手段。本文采用温度梯度法,在5.6 GPa、1312℃的条件下,选用Fe_(3)P作为磷源进行磷掺杂金刚石大单晶的合成。金刚石样品的显微光学照片表明,随着Fe_(3)P添加比例的增加,金刚石晶体的颜色逐渐变深,包裹体... 掺杂是调控金刚石性能的一种重要手段。本文采用温度梯度法,在5.6 GPa、1312℃的条件下,选用Fe_(3)P作为磷源进行磷掺杂金刚石大单晶的合成。金刚石样品的显微光学照片表明,随着Fe_(3)P添加比例的增加,金刚石晶体的颜色逐渐变深,包裹体数量逐渐增加,晶形由板状转变为塔状直至骸晶。金刚石晶形的变化表明Fe_(3)P的添加使生长金刚石的V形区向右偏移,这是Fe_(3)P改变触媒特性的缘故。红外光谱分析表明,Fe_(3)P的添加使金刚石晶体中氮含量上升,这说明磷的进入诱使氮原子更容易进入金刚石晶格中。激光拉曼光谱测试表明,随着Fe_(3)P添加比例的增加,所合成的掺磷金刚石的拉曼峰位变化不大,其半峰全宽(FWHM)值变大,这说明磷的进入使得金刚石晶格畸变增加。XPS测试结果显示,随着Fe_(3)P添加比例的增加,金刚石晶体中磷相对碳的原子百分含量也会增加,这意味着添加Fe_(3)P所合成的金刚石晶体中有磷存在。 展开更多
关键词 Fe_(3)P 掺杂 (111)面 金刚石大单晶 温度梯度法 超硬材料
下载PDF
树枝状氧化铁单晶的合成及其电化学性能研究 被引量:1
11
作者 余石金 朱文珍 +2 位作者 童家浩 陈天瑞 何璇男 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期137-142,共6页
因其低成本和高的储锂能力,Fe_(2)O_(3)作为一种极具潜力的锂离子电池负极材料而受到广泛的关注。采用水热法一步合成Fe_(2)O_(3),并应用在锂离子电池负极材料。采用XRD、SEM和TEM对样品的晶型与形貌进行分析,表明合成样品为树枝状Fe_(2... 因其低成本和高的储锂能力,Fe_(2)O_(3)作为一种极具潜力的锂离子电池负极材料而受到广泛的关注。采用水热法一步合成Fe_(2)O_(3),并应用在锂离子电池负极材料。采用XRD、SEM和TEM对样品的晶型与形貌进行分析,表明合成样品为树枝状Fe_(2)O_(3)单晶。在电池的电化学测试中,树枝状Fe_(2)O_(3)单晶电极表现出优异的循环稳定性(在100 mA/g下循环50次后为866.5 mAh/g)、良好的倍率性能(1 A/g充放电时的比容量保持为862.5 mAh/g)和高导电性。树枝状Fe_(2)O_(3)单晶电极良好的电化学性能可能源于单晶的高导电性、三维树枝状结构大的表面积和更多电化学活性位点。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 Fe_(2)O_(3) 单晶 电化学性能
下载PDF
Er^(3+)∶Y_(0.5)Gd_(0.5)VO_4激光晶体的生长和热学性质 被引量:1
12
作者 黄晓辉 陈巧平 +1 位作者 谢鸿芳 薛岚 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期911-915,共5页
用提拉法生长出Er3+∶Y0.5Gd0.5VO4单晶,用电感耦合等离子体(ICP)光谱法测定晶体中Er3+原子数分数为0.83%,有效分凝系数为1.03。在30~1300℃测量了晶体a轴和c轴的热膨胀系数分别为2.08×10-6/℃,8.87×10-6/℃;测得晶体在25℃... 用提拉法生长出Er3+∶Y0.5Gd0.5VO4单晶,用电感耦合等离子体(ICP)光谱法测定晶体中Er3+原子数分数为0.83%,有效分凝系数为1.03。在30~1300℃测量了晶体a轴和c轴的热膨胀系数分别为2.08×10-6/℃,8.87×10-6/℃;测得晶体在25℃时的比热值为0.48J/(g.K)。采用激光脉冲法测量了晶体的热扩散系数,并通过计算得出晶体的热导率,在25~200℃温度范围,晶体在〈100〉方向上的热导率为6.1~4.9W/(m.K),在〈001〉方向上的热导率为7.7~6.2W/(m.K)。 展开更多
关键词 材料 Er^3+:Y0.5 Gd0.5 VO4单晶 热导率 比热 热扩散率 分凝系数
原文传递
Structure and transport properties of zirconia crystals co-doped by scandia,ceria and yttria 被引量:3
13
作者 D.A.Agarkov M.A.Borik +11 位作者 S.I.Bredikhin I.N.Burmistrov G.M.Eliseev V.A.Kolotygin A.V.Kulebyakin I.E.Kuritsyna E.E.Lomonova F.O.Milovich V.A.Myzina P.A.Ryabochkina N.Yu.Tabachkova T.V.Volkova 《Journal of Materiomics》 SCIE EI 2019年第2期273-279,共7页
This work is a study of the effect of co-doping(ZrO_(2))_(0.9)(Sc_(2)O_(3))_(0.1)solid solution with yttria and/or ceria on the phase composition,local structure and transport properties of the crystals.The solid solu... This work is a study of the effect of co-doping(ZrO_(2))_(0.9)(Sc_(2)O_(3))_(0.1)solid solution with yttria and/or ceria on the phase composition,local structure and transport properties of the crystals.The solid solution crystals were grown using directional melt crystallization in cold crucible.We show that ceria co-doping of the crystals does not stabilize the high-temperature cubic phase in the entire crystal bulk,unlike yttria codoping.Ceria co-doping of the(ZrO_(2))_(0.9)(Sc_(2)O_(3))_(0.1)crystals increases their conductivity,whereas the addition of 1 mol.%yttria tangibly reduces the conductivity.Equimolar co-doping of the(ZrO_(2))0.9(-Sc_(2_O_(3))0.1 crystals with ceria and yttria changes the conductivity but slightly.Optical spectroscopy of the local structure of the crystals identified different types of optical centers.We found that the fraction of the trivalent cations having a vacancy in the first coordination sphere in the ceria co-doped crystals is smaller compared with that in the yttria co-doped crystals. 展开更多
关键词 single crystals Solid oxide fuel cell Solid solutions Ionic conducting materials ZrO_(2)-Sc_(2)O_(3)-CeO_(2)-Y_(2)O_(3)
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部