V_2O_5含量对MoO_3-V_2O_5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制备了(Ni0.16Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了MoO3-V2O5复合添加对材料烧结特性和磁性能的影响。结果表明,复合添加MoO3-V2O5能促进样品致密化、提高起始磁导率和降低功耗。当MoO3为0.15wt%、V2O5为0.15wt%时,930℃烧结起始磁导率(μi>800)、功耗(305kW/m3)和密度(5.12g/cm3)都达到较大值,比同样配方只掺杂MoO3的NiCuZn材料明显提高。

V_2O_5含量对MoO_3-V_2O_5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制备了(Ni_0.16Cu_0.2Zn_0.64O)1.02(Fe_2O_3)_0.98铁氧体材料,研究了MoO_3-V_2O_5复合添加对烧结特性和磁性能的影响。结果表明,复合添加MoO_3-V_2O_5能促进样品致密化,提高起始磁导率,并能降低功耗。当MoO_3为0.15wt%、V_2O_5为0.15wt%时,930℃烧结起始磁导率(μi>800)、功耗(305kW/m^3)、密度(5.12g/cm^3)都达到较大值。其值比同样配方只掺杂MoO_3的NiCuZn材料明显提高。

V_2O_5含量对Bi_2O_3-V_2O_5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制配了(Ni0.16Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了Bi2O3-V2O5复合添加对材料烧结特性和磁性能的影响。结果表明,复合添加Bi2O3-V2O5能促进样品致密化、提高起始磁导率和品质因数。当添加0.3wt%Bi2O3、0.15wt%V2O5时,930℃烧结起始磁导率μi>800、品质因数(94)、密度(5.12g/cm3)都达到较大值,比同样配方只掺杂Bi2O3的NiCuZn材料明显提高。

MoO_3-V_20_5,MoO_3-TiO_2(锐钛矿型),MoO_3-WO_3和MoO_3-ZrO_2界面过渡层上的双向分散阈值及非单层分散模型

应用XRD和BET方法,研究了四种二元复氧化物在不同配比及不同焙烧温度下界面过渡层的结构。XRD证明各组分都在另一组分表面具有分散阈值,其值远大于单层饱和容量且与焙烧温度无显著关系;“阈值后”剩余晶相量与加入晶相量虽呈线性关系,但斜率并不都近于1,有的明显小于1。BET比表面测定表明,各纯氧化物及不同配比试样的比表面较γ-Al_2O_3的小得多。对过渡层提出了球形八面体二维密置的非单层双向分散模型,计算了各项模型参数,较好地解释了高分散阈值与低比表面积之间的关联,并与O^(2-)密置的单层模型作了对比。讨论了晶相消失的机理,以及非晶相与非单层分散厚度的关联。

MoO_3-V_20_5,MoO_3-TiO_2(锐钛矿型),MoO_3-WO_3和MoO_3-ZrO_2界面过渡层的非晶相结构

应用FT-IR光谱及其差谱、DSC热分析以及催化选择性实验研究了不同配比的MoO_3-V_2O_5,MoO_3-TiO_2(锐钛矿型),MoO_3-WO_3和MoO_3-ZrO_2四种体系经不同温度焙烧后,界面过渡层非晶相分散的非单层结构及催化性能。FT-IR光谱及其差谱上出现了非晶相的特征吸收峰,并将其逐个与分子结构关联。DSC证明,在高于焙烧温度的升温扫描范围内(500～720℃),过渡层呈热介稳态,放热峰的出现与固熔体的形成及晶格畸变有关,但不存在表面及体相化学反应。以邻二甲苯选择性氧化制酸酐作为催化性能的反应探针,测定了转化率和选择性,表明非晶相分散的MoO_3和V_2O_5对反应有利,当配比处于分散阈值附近时选择性最佳。结合前文结果讨论了过渡层的非晶相分散机理和八面体非单层模型。

镁电解槽中V_2O_5 MoO_3添加物行为的物理化学分析

本文从物理化学角度并结合试验结果分析了V_2O_5、MoO_3添加于镁电解槽后的行为,认为V_2O_5、MoO_3添加于镁电解槽中使电流效率提高的主要原因是改善了镁在钢阴极上的湿润性,使镁汇聚性变好,从而使电流效率提高。

Co_2O_3或/和V_2O_5掺杂对NiZn铁氧体磁性能的影响

一定量的V2O5掺杂有利于NiZn铁氧体烧结温度的降低,且在一定范围内起始磁导率升高;而Co2O3掺于NiZn铁氧体,起始磁导率降低,但损耗特性可得到改善。我们采用Co2O3- V2O5复合掺杂,发现选择适当的配比,在起始磁导率没有大的下降的情况下,烧结温度和损耗特性等其他磁特性可得到较好的改善。

Mg_4Nb_2O_9/CaTiO_3复合陶瓷的微波介电性能

采用传统固相法制备Mg4Nb2O9/CaTiO3复合陶瓷,研究Li2CO3-V2O5(LV)共掺杂对其烧结特性、微观结构和微波介电性能的影响。实验结果表明:一定量的LV掺杂能够使Mg4Nb2O9/CaTiO3复合陶瓷的烧结温度降至1200℃;XRD和EDX综合分析表明,样品由(Mg4-xCax)Nb2O9/(Ca1-xMgx)TiO3两相所组成;陶瓷谐振频率温度系数趋近于零。含质量分数1.5%的LV,1200℃5、h烧结样品具有较好的微波介电性能:介电常数23.29,品质因数23460 GHz,谐振频率温度系数1.0×10-6℃-1,有望用作全球卫星定位系统微带天线基板材料。

Mg_4Nb_2O_9/SrTiO_3复合陶瓷的烧结特性和微波介电性能

制备Li_2CO_3-V_2O_5(LV)共掺杂0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复合陶瓷,研究了LV掺杂对其烧结特性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明:一定量LV掺杂使0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复合陶瓷生成了Sr(NbTi)O_(3+δ)和MgO杂相,并使其致密化烧结温度降低(至1175℃);1.5%LV掺杂,在1175℃烧结5 h的样品具有较高的微波介电性能:τ_f=0.15 ppm/℃,ε_τ=20.1,Q·f=10240 GHz(at 8.5 GHz)。

氮化钼与五氧化二钽复合电极性能的研究

在添加Ta2O5下,通过MoO3混合物与NH3反应制得氮化钼与五氧化二钽复合活性电极材料,运用XRD对复合活性电极材料进行了表征,采用循环伏安法对γ氮化钼及其复合电极进行电化学测量,研究成膜物质的结晶形态、表面形貌和对电容的影响。结果表明氮化钼与五氧化二钽复合电极成膜均匀,与基体附着性强,电容特征显著,具有良好的稳定性与重现性,而且明显改善电容器的大功率放电特性,添加Ta2O5可以使Mo2N的工作电位窗口拓宽0.40倍,相同条件下电容值增加0.50倍。