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氧等离子处理的二硫化钼场效应晶体管表面掺杂和湿度传感研究 被引量:1
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作者 江海洋 吴静远 +1 位作者 温朝阳 郭冰博 《Journal of Donghua University(English Edition)》 CAS 2024年第2期130-136,共7页
二维半导体过渡金属二硫属化物(transition metal dichalcogenide,TMD)具有独特的电学、光学和力学性能,在数字电路、光伏器件和能量存储等多个领域中具有巨大的应用潜力。通过表面掺杂控制TMD的电学性能为实现灵敏传感提供了有效的方... 二维半导体过渡金属二硫属化物(transition metal dichalcogenide,TMD)具有独特的电学、光学和力学性能,在数字电路、光伏器件和能量存储等多个领域中具有巨大的应用潜力。通过表面掺杂控制TMD的电学性能为实现灵敏传感提供了有效的方法。本文开展了氧等离子体对二硫化钼(MoS_(2))掺杂特性的研究。首先,测试了MoS_(2)场效应晶体管(field-effect transistor,FET)的输运特性,发现氧等离子体处理对FET具有p型掺杂作用。随后,通过拉曼光谱研究了掺杂机制的成因,并证实了沟道表面类MoO_(3)缺陷的形成。最后,研究了经等离子体处理的晶体管的湿度传感特性,由于氧等离子体处理使得沟道对水分子的吸收中心增加,在潮湿环境下晶体管具有十分灵敏的响应特性,源漏电流值变化了约54%。这项工作不仅提供了一种调控TMD电学性能的简单方法,也展示了低维材料化学传感器的发展潜力。 展开更多
关键词 场效应晶体管(fet) 二硫化钼(mos2) 氧等离子体 表面掺杂 湿度传感
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具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管(英文)
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作者 刘强 蔡剑辉 +7 位作者 何佳铸 王翼泽 张栋梁 刘畅 任伟 俞文杰 刘新科 赵清太 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期543-549,共7页
在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态... 在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景. 展开更多
关键词 mos2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 SIO2栅介质 界面态密度
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杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响
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作者 蔡剑辉 陈治西 +5 位作者 刘晨鹤 张栋梁 刘强 俞文杰 刘新科 马忠权 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第6期1367-1371,共5页
为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和... 为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和不同的亚阈值斜率。因此,只有减小了外界吸附分子的影响,才能获得具有稳定电学性能的MoS2器件,并确保迁移率、亚阈值斜率、开启电压等重要电学参数的可靠性。 展开更多
关键词 mos2背栅场效应晶体管 杂质吸附 不同的扫描条件 回滞窗口 亚阈值斜率
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意法半导体低压N沟道场效应MOS晶体管
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《电子产品世界》 2004年第11B期30-32,共3页
意法半导体公司(STMicroelectonics)推出多个基于其STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管,这些产品的设计目标是超高开关频率的应用。
关键词 mos晶体管 N沟道 场效应 fet 意法半导体公司 开关频率 低压 主板 计算机 设计目标
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低压场效应MOS晶体管
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《今日电子》 2004年第11期110-111,共2页
基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管适用于超高开关频率的应用,电压为24V和30V,额定电流为8A、12A、27A、50A和80A,10V时的典型通态电阻为0.008Ω、0.01Ω、0.0039Ω、0.012Ω和0.011Ω。
关键词 mos晶体管 场效应 fet N沟道 开关频率 低压 电阻 额定电流 电压 超高
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杂质对二硫化钼场效应晶体管磁滞效应的影响 被引量:1
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作者 方佳佳 杨启志 王权 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第4期52-55,共4页
二硫化钼(Mo S_2)具有优异的理化性能,但是磁滞效应限制了其在半导体器件上的大量应用。研究了化学气相沉积法(CVD)生长的Mo S2薄膜制备的悬置和非悬置场效应晶体管在室温下(20℃左右)的电学特性曲线。发现非悬置场效应晶体管和悬置场... 二硫化钼(Mo S_2)具有优异的理化性能,但是磁滞效应限制了其在半导体器件上的大量应用。研究了化学气相沉积法(CVD)生长的Mo S2薄膜制备的悬置和非悬置场效应晶体管在室温下(20℃左右)的电学特性曲线。发现非悬置场效应晶体管和悬置场效应晶体管中都存在磁滞现象,但是非悬置场效应晶体管的磁滞现象比悬置场效应晶体管更强。说明在样品制备过程中引入的水分子和氧分子等杂质吸附在样品表面和衬底与样品之间的界面上,这些杂质能从沟道材料的导带中转移电子充当载流子导致了磁滞效应的发生。 展开更多
关键词 mos2 场效应晶体管 悬置 非悬置 磁滞 电学特性曲线
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二硫化钼场效应晶体管金属接触的研究进展 被引量:2
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作者 张亚东 贾昆鹏 +1 位作者 吴振华 田汉民 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第2期109-118,共10页
二硫化钼(MoS2)作为一种代表性的半导体二维原子晶体材料,具有优异的物理及电学特性,这使其在光电器件尤其是逻辑器件的应用中具有广泛的前景。总结了MoS2的表面电荷转移掺杂和替位掺杂,并分析了不同掺杂方法的优劣,同时介绍了降低费米... 二硫化钼(MoS2)作为一种代表性的半导体二维原子晶体材料,具有优异的物理及电学特性,这使其在光电器件尤其是逻辑器件的应用中具有广泛的前景。总结了MoS2的表面电荷转移掺杂和替位掺杂,并分析了不同掺杂方法的优劣,同时介绍了降低费米能级钉扎效应的两种接触电阻的优化方法。依据肖特基理论改变金属功函数可以调节金属与MoS2的肖特基势垒高度,但由于金属与MoS2之间存在费米能级钉扎效应,接触时会产生较大的肖特基势垒,降低载流子的发射效率,从而增加金属与MoS2之间的接触电阻。最后,指出MoS2器件接触电阻的研究趋势并展望了MoS2的应用前景。 展开更多
关键词 二硫化钼(mos2) 场效应晶体管 二维晶体材料 金属-半导体接触 功函数
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二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性
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作者 景永凯 范超 +4 位作者 孟宪成 刘哲 王蒙军 郑宏兴 杨瑞霞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期87-93,104,共8页
采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有... 采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有良好的结晶度,SnS_(2)薄膜背栅型FET具备良好的栅压调控特性。器件对波长为405 nm的蓝紫光表现出明显的光响应,光响应度高达456.82 A·W^(-1),外量子效率为1.40×10^(5)%,比探测率为7.12×10^(12)Jones,并且具有较快的光响应速度,上升和下降响应时间分别为1 ms和0.5 ms。器件的光探测性能受栅压调控,当栅压为40 V时,器件的光响应度可达730 A·W^(-1)。 展开更多
关键词 二硫化锡(SnS_(2)) 场效应晶体管(fet) 可见光探测器 光响应度 栅压调控
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使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数
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作者 赵宇航 卢意飞 刘强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页
利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管(FET),通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管(FET),通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。 展开更多
关键词 mos2场效应晶体管(fet) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性
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用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
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作者 战俊 粟雅娟 +3 位作者 罗军 贾昆鹏 段宁远 闫祥宇 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第4期229-234,共6页
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制... 通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS_2FET器件的开关比可达到1.45×10~6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。对等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiN_x)工艺掺杂MoS_2材料进行了研究,掺杂后器件的驱动电流提高了3倍多,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的有效性。通过控制PECVD SiN_x时间工艺参数对SiN_x薄膜厚度与掺杂浓度的关系进行了研究,随着SiN_x薄膜厚度增加器件的驱动电流逐渐增强,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的可控性。最后,对PECVD SiN_x工艺掺杂MoS_2材料的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 二硫化钼场效应晶体管(mos2 fet) 掺杂 二维(2D)半导体材料 过渡金属硫化物(TMD) 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
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基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器
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作者 战俊 粟雅娟 +2 位作者 贾昆鹏 罗军 闫祥宇 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期437-443,共7页
通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比... 通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比可达到105数量级,场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1,栅极漏电流为10-10 A数量级;对MoS2FET器件的光电特性进行了表征,该光电探测器具有普通光电导探测器的基本光电特性,其光电流随光照强度的增强以及源漏电压的增加而增加,同时由于栅极的调制提高了光电探测器的灵活性。通过控制栅极电压能够控制MoS2FET光电探测器的暗电流大小,实现对探测器η参数的有效调制。最后通过器件能带图对MoS_2 FET光电探测器的光电特性进行了阐释,为其走向实际应用奠定了理论基础。 展开更多
关键词 二硫化钼(mos2) 场效应晶体管(fet) 二维(2D)半导体材料 光电探测器 过渡金属硫属化合物(TMD)
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半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究
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作者 张福海 牛文成 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页
本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。
关键词 氢离子敏感场效应晶体管(pH-ISfet) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(fet型pCO2传感器)
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基于FET结构的MoS_(2)器件的研究进展 被引量:1
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作者 潘苏敏 黄玲琴 陶化文 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第3期210-217,共8页
对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS_(2))的材料特性以及基于MoS_(2)薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS_(2)场效应晶体管(FET)的结构特点,并对MoS_(2) FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚... 对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS_(2))的材料特性以及基于MoS_(2)薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS_(2)场效应晶体管(FET)的结构特点,并对MoS_(2) FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚阈值摆幅等)以及栅极介质层材料对器件性能的影响等进行了综述。在此基础上进一步总结了近年来国内外基于FET结构的MoS_(2)光电器件及传感器的研究进展,分别对其结构、光响应度以及灵敏度等性能进行了分析讨论。最后,对MoS_(2)薄膜制备以及基于FET结构的MoS_(2)电子器件、光电器件和传感器未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 二硫化钼(mos_(2)) 场效应晶体管(fet) 光电器件 传感器 二维层状半导体
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松下带MOS—FET50W×4接收器内置式7寸宽屏幕彩色液晶屏CQ—VA7800
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《车载微电脑音响改装》 2005年第6期40-40,共1页
●7寸(对角线)宽屏幕液晶显示屏●MOS—FET(金属氧化物半导体场效应晶体管)大功率4声道功放(最大值50W×4)●5V/60前置放大器输出(前置、后置、副低音扬声器)●进行前/后双重节目播放时可采用个人模式●PAL制电视调协器及多制式... ●7寸(对角线)宽屏幕液晶显示屏●MOS—FET(金属氧化物半导体场效应晶体管)大功率4声道功放(最大值50W×4)●5V/60前置放大器输出(前置、后置、副低音扬声器)●进行前/后双重节目播放时可采用个人模式●PAL制电视调协器及多制式显示屏(PAIJNTSC) 展开更多
关键词 宽屏幕 mos 彩色液晶屏 金属氧化物半导体场效应晶体管 内置式 接收器 松下 前置放大器 液晶显示屏 低音扬声器 PAL制 节目播放 最大值 fet 对角线 多制式
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CMOS工艺节点进展中器件技术的革新
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作者 裴志军 《天津职业技术师范大学学报》 2020年第4期19-24,共6页
随着CMOS工艺技术的飞速发展,传统MOSFET器件的结构尺寸持续微缩,各种短沟道相关效应对器件性能的影响越来越严峻。在CMOS工艺节点演进中,为了减小短沟道效应的影响,改善器件性能,需要新技术、新材料以及器件结构的革新。文章回顾了应... 随着CMOS工艺技术的飞速发展,传统MOSFET器件的结构尺寸持续微缩,各种短沟道相关效应对器件性能的影响越来越严峻。在CMOS工艺节点演进中,为了减小短沟道效应的影响,改善器件性能,需要新技术、新材料以及器件结构的革新。文章回顾了应变硅技术、高K电介质、金属栅的应用,并探讨了对传统平面晶体管的器件结构革新,特别是创新的三维器件结构,包括鳍式场效应晶体管FinFET、环绕栅场效应晶体管GAAFET等。分析表明:FinFET结构中,栅极从三面围绕沟道而进行有效控制,可获得较小的亚阈值漏电及低功耗。而GAAFET结构中,栅极环绕沟道具有比FinFET更优异的性能,能够适用于下一代更先进的CMOS工艺节点。 展开更多
关键词 场效应晶体管(fet) mos场效应晶体管(mosfet) 短沟道效应 SOI场效应晶体管(SOIfet) 鳍式场效应晶体管(Finfet) 环绕栅场效应晶体管(GAAfet)
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日本将MoS2原子膜作为半导体材料用于FET
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《现代材料动态》 2013年第6期7-7,共1页
日本东京大学量子电子研究中心的研究小组,将以前用作固体润滑剂的MoS2的原子膜作为半导体材料试制了场效应晶体管(FET),并确认该晶体管性能优异。研究小组还发现,在保持FET结构不变的情况下,若提高栅电压,在绝对温度IOK以下的... 日本东京大学量子电子研究中心的研究小组,将以前用作固体润滑剂的MoS2的原子膜作为半导体材料试制了场效应晶体管(FET),并确认该晶体管性能优异。研究小组还发现,在保持FET结构不变的情况下,若提高栅电压,在绝对温度IOK以下的低温区域FET呈现超导态,这是使用石墨烯所没有的特殊特性。可通过调节电压改变呈现超导态的转变温度。 展开更多
关键词 日本东京大学 半导体材料 mos2 fet 原子 场效应晶体管 固体润滑剂
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