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MoS_2基板上外延生长C_(60)薄膜的分子动力学模拟 被引量:3
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作者 陈荣新 乌明奇 顾昌鑫 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期360-365,共6页
外延生长异质薄膜通常要求材料之间晶格匹配 ,然而利用范德瓦尔斯作用外延生长时 ,晶格匹配要求显著降低。实验上已经得出了在MoS2 基板上外延生长C60 薄膜的结果 ,本文用分子动力学计算机模拟方法对MoS2 基板上外延生长C60 薄膜进行了... 外延生长异质薄膜通常要求材料之间晶格匹配 ,然而利用范德瓦尔斯作用外延生长时 ,晶格匹配要求显著降低。实验上已经得出了在MoS2 基板上外延生长C60 薄膜的结果 ,本文用分子动力学计算机模拟方法对MoS2 基板上外延生长C60 薄膜进行了研究 ,证实范德瓦尔斯外延可以克服较大的晶格失配问题。 展开更多
关键词 mos2基板 外延生长 C60 薄膜 范德瓦尔斯外延 晶格失配 分子动力学模拟 富勒烯 硫化钼
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