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MoS_2基板上外延生长C_(60)薄膜的分子动力学模拟
被引量:
3
1
作者
陈荣新
乌明奇
顾昌鑫
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第5期360-365,共6页
外延生长异质薄膜通常要求材料之间晶格匹配 ,然而利用范德瓦尔斯作用外延生长时 ,晶格匹配要求显著降低。实验上已经得出了在MoS2 基板上外延生长C60 薄膜的结果 ,本文用分子动力学计算机模拟方法对MoS2 基板上外延生长C60 薄膜进行了...
外延生长异质薄膜通常要求材料之间晶格匹配 ,然而利用范德瓦尔斯作用外延生长时 ,晶格匹配要求显著降低。实验上已经得出了在MoS2 基板上外延生长C60 薄膜的结果 ,本文用分子动力学计算机模拟方法对MoS2 基板上外延生长C60 薄膜进行了研究 ,证实范德瓦尔斯外延可以克服较大的晶格失配问题。
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关键词
mos2基板
外延生长
C60
薄膜
范德瓦尔斯外延
晶格失配
分子动力学模拟
富勒烯
硫化钼
下载PDF
职称材料
题名
MoS_2基板上外延生长C_(60)薄膜的分子动力学模拟
被引量:
3
1
作者
陈荣新
乌明奇
顾昌鑫
机构
复旦大学材料科学系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第5期360-365,共6页
基金
上海市科学技术委员会
上海市应用物理中心资助项目 (No .OOJC14 0 8
No .0 114nm0 69)
文摘
外延生长异质薄膜通常要求材料之间晶格匹配 ,然而利用范德瓦尔斯作用外延生长时 ,晶格匹配要求显著降低。实验上已经得出了在MoS2 基板上外延生长C60 薄膜的结果 ,本文用分子动力学计算机模拟方法对MoS2 基板上外延生长C60 薄膜进行了研究 ,证实范德瓦尔斯外延可以克服较大的晶格失配问题。
关键词
mos2基板
外延生长
C60
薄膜
范德瓦尔斯外延
晶格失配
分子动力学模拟
富勒烯
硫化钼
Keywords
Van der Waals epitaxy,Lattice mismatching,Molecular dynamics simulation
分类号
O484 [理学—固体物理]
TB43 [一般工业技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MoS_2基板上外延生长C_(60)薄膜的分子动力学模拟
陈荣新
乌明奇
顾昌鑫
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002
3
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职称材料
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