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拓扑相MoS_(2)电子结构及光学性质的第一性原理研究
1
作者 吴文静 张子涵 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第4期142-150,共9页
基于密度泛函理论的第一性原理对二维拓扑相1T′-MoS_(2)和2M-MoS_(2)的电子结构、有效质量和光学性质进行研究,并将其与二维H-MoS_(2)进行对比分析.研究表明,电子有效质量大小关系为:2M-MoS_(2)<T′-MoS_(2)<H-MoS_(2),空穴有效... 基于密度泛函理论的第一性原理对二维拓扑相1T′-MoS_(2)和2M-MoS_(2)的电子结构、有效质量和光学性质进行研究,并将其与二维H-MoS_(2)进行对比分析.研究表明,电子有效质量大小关系为:2M-MoS_(2)<T′-MoS_(2)<H-MoS_(2),空穴有效质量大小关系为:T′-MoS_(2)<2M-MoS_(2)<H-MoS_(2),但2M-MoS_(2)的空穴有效质量和T′-MoS_(2)相差不大,二者均适用于高性能电子器件.由于拓扑相1T′-MoS_(2)和2M-MoS_(2)均存在能带反转,导致带间相关性以及导带和价带的波函数重叠增强,进而光电流响应增强,二者的光学性质均优于H-MoS_(2).2M-MoS_(2)具有较大的吸收系数和光电导率,2M-MoS_(2)对红外光和紫外光有着优良的吸收性质,T′-MoS_(2)在可见光波段和紫外光的波段有较大的吸收峰.研究结果进一步丰富了MoS_(2)的拓扑相,并为基于MoS_(2)拓扑相的高性能光电探测器件的设计和应用提供参考. 展开更多
关键词 mos_(2)拓扑 能带反转 电子结构 光学性质
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纳米MoS_(2)固体薄膜制备及在钢领上的应用研究
2
作者 张一鸣 张天羿 +2 位作者 何瑶 陈志军 曹根阳 《纺织器材》 2024年第3期1-6,共6页
为了减小纺织机械及器材专件的摩擦磨损,对比分析普通MoS_(2)油和脂与纳米MoS_(2)固体薄膜的润滑机理和特性,提出一种在钢领上采用真空化学气相沉积法合成纳米MoS_(2)固体薄膜的制备工艺;通过X射线衍射谱图和原子力显微镜,分析纳米MoS_... 为了减小纺织机械及器材专件的摩擦磨损,对比分析普通MoS_(2)油和脂与纳米MoS_(2)固体薄膜的润滑机理和特性,提出一种在钢领上采用真空化学气相沉积法合成纳米MoS_(2)固体薄膜的制备工艺;通过X射线衍射谱图和原子力显微镜,分析纳米MoS_(2)固体薄膜的组织结构及表面形貌,并对纳米MoS_(2)钢领进行镀铬镀氟渗杂复合膜处理。通过对比纳米MoS_(2)固体薄膜钢领与普通钢领纺纱质量,指出:纳米MoS_(2)固体薄膜具有优异的润滑性能,可以代替普通润滑油,达到纺织设备及器材专件少用油、不用油及无油自润滑的目的;纳米MoS_(2)的制备方法是制约其应用和发展的瓶颈;镀铬镀氟渗杂复合膜纳米MoS_(2)钢领在潮湿环境中不易生锈,较普通钢领的成纱质量好,值车工劳动强度小,钢领使用寿命延长。 展开更多
关键词 化学气沉积法 纳米mos_(2) 固体薄膜 流体润滑 钢领 摩擦 磨损 渗杂
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MoS_(2)单晶薄膜的制备及生长机制研究
3
作者 钟浩然 王宇裘 王丁 《有色金属材料与工程》 CAS 2024年第3期46-54,共9页
通过研究二维MoS_(2)薄膜的制备工艺参数以及生长规律,为过渡金属硫化物薄膜的制备工艺提供技术经验。采用化学气相沉积法,以MoO3和S粉为前驱体,通过调控载气流速、保温时间和MoO_(3)的质量,制备一系列MoS_(2)薄膜。利用光学显微镜、拉... 通过研究二维MoS_(2)薄膜的制备工艺参数以及生长规律,为过渡金属硫化物薄膜的制备工艺提供技术经验。采用化学气相沉积法,以MoO3和S粉为前驱体,通过调控载气流速、保温时间和MoO_(3)的质量,制备一系列MoS_(2)薄膜。利用光学显微镜、拉曼光谱仪、光致发光光谱仪、原子力显微镜等测试设备对MoS_(2)薄膜的层数和结构进行表征;分析了工艺参数对MoS_(2)薄膜的影响,探索了中心成核的生长机制。结果表明,在载气流速为110 mL/min、保温时间为10 min、MoO_(3)的质量为2.5 mg的条件下,得到的MoS_(2)薄膜最优。同一衬底上存在不同厚度的连续的MoS_(2)薄膜。通过控制前驱体的比例和适当的工艺参数可以制备长度为100μm甚至更大尺寸的单层MoS_(2)薄膜。 展开更多
关键词 二维材料 mos_(2)薄膜 化学气沉积 拉曼光谱
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MoS_(2)/g-C_(3)N_(4)S型异质结的构建及光催化性能研究 被引量:4
4
作者 马润东 郭雄 +3 位作者 施凯旋 安胜利 王瑞芬 郭瑞华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1176-1182,共7页
制备高效稳定的光催化剂对于光催化技术的发展至关重要。本研究采用超声辅助沉积加低温煅烧的方法制备了2H相MoS_(2)/g-C_(3)N_(4)S型异质结光催化剂(MGCD),并综合考察了材料的相结构、微观形貌、光吸收性能、X射线光电子能谱、电化学... 制备高效稳定的光催化剂对于光催化技术的发展至关重要。本研究采用超声辅助沉积加低温煅烧的方法制备了2H相MoS_(2)/g-C_(3)N_(4)S型异质结光催化剂(MGCD),并综合考察了材料的相结构、微观形貌、光吸收性能、X射线光电子能谱、电化学交流阻抗和光电流等对光催化性能的影响。结果表明:经过超声辅助沉积-煅烧处理,MoS_(2)微米球发生破碎分散结合在g-C_(3)N_(4)纳米片层表面上并形成异质结。可见光下5%MGCD(添加5%MoS_(2))对罗丹明B(RhB)在20 min时的降解率达到了99%,且样品重复使用5次后对RhB的降解率仍能达到95.2%,表现出良好的光催化性能及稳定性。从内建电场形成的角度进一步分析表明,异质结中MoS_(2)与g-C_(3)N_(4)间耦合形成的内建电场引起的能带弯曲可以有效引导载流子的定向迁移,并促进光生载流子的分离,从而提高了光催化反应效率。异质结光催化剂的自由基捕获实验表明:O_(2)^(–)和·OH在催化降解RhB中是主要的活性物种,h^(+)的贡献次之。 展开更多
关键词 石墨氮化碳 mos_(2) S型异质结 稳定性 光催化机理
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MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结的制备及其光致发光性能研究
5
作者 于志强 罗斯玮 钟建新 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第4期1-7,共7页
二硫化钼(MoS_(2))是一种典型的二维材料,因其具备高电子迁移率、可调的带隙和高光吸收度等优异性能被广泛应用于光电子领域.二维硒化铋(Bi_(2)Se_(3))拥有随层数变化的特殊表面态.单层MoS_(2)和多层及少层Bi_(2)Se_(3)薄膜构筑成异质... 二硫化钼(MoS_(2))是一种典型的二维材料,因其具备高电子迁移率、可调的带隙和高光吸收度等优异性能被广泛应用于光电子领域.二维硒化铋(Bi_(2)Se_(3))拥有随层数变化的特殊表面态.单层MoS_(2)和多层及少层Bi_(2)Se_(3)薄膜构筑成异质结构时,其光致发光性质可能发生显著改变.该文利用气相沉积法成功制备了单层MoS_(2)单晶和5层及较厚的Bi_(2)Se_(3)薄膜,并通过转移法成功构筑了基于5层及较厚的Bi_(2)Se_(3)薄膜的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)垂直异质结.在此基础上,结合拉曼、光致发光(PL)测试技术,对两种异质结中的激子发光、界面间相互作用和电荷转移进行了研究,发现基于5层Bi_(2)Se_(3)的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结具有PL显著增强现象,而基于较厚的Bi_(2)Se_(3)的MoS_(2)/Bi_(2)Se_(3)异质结的PL却明显减弱.研究结果表明二维Bi_(2)Se_(3)随层数可变的表面态对MoS_(2)的光学性能具有显著的调制效应. 展开更多
关键词 二维材料 mos_(2)/Bi_(2)Se_(3) 沉积 异质结 光致发光
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MoS_(2)/MoO_(2)共形异质结构的制备、表征及其生长机理
6
作者 李娜 于培师 吴宏荣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第4期595-601,共7页
作为典型的二维层状半导体材料,MoS_(2)及其异质结构在后摩尔时代的电子学和光电子学领域具有广阔的应用前景。以MoO3为前驱体,利用化学气相沉积法(CVD)先制备了MoO_(2)纳米片,随后使用硫蒸气对其进行硫化合成了含2~4层MoS_(2)的MoS_(2)... 作为典型的二维层状半导体材料,MoS_(2)及其异质结构在后摩尔时代的电子学和光电子学领域具有广阔的应用前景。以MoO3为前驱体,利用化学气相沉积法(CVD)先制备了MoO_(2)纳米片,随后使用硫蒸气对其进行硫化合成了含2~4层MoS_(2)的MoS_(2)/MoO_(2)的共形异质结构。通过X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱对MoS_(2)/MoO_(2)共形异质结构进行表征,确定了MoS_(2)的层数随硫化时间的变化关系,即随着硫化时间的延长,MoS_(2)层数逐渐增加。利用原子力显微镜(AFM)对异质结构的厚度表征结果发现,硫化后纳米片厚度有所减薄,并且随着硫化时间的增加,MoO_(2)纳米片硫化前后的厚度差呈现出反常的先下降后上升的趋势。最后通过高分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)对MoS_(2)/MoO_(2)共形异质结构截面进行表征,并揭示了硫化机理。 展开更多
关键词 MoO_(2)纳米片 mos_(2)/MoO_(2)共形异质结构 化学气沉积法(CVD) 硫化机理 硫化
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Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的制备及其圆偏振光致电流效应
7
作者 冯世尊 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期14-19,共6页
采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于... 采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于纳米线和平行于纳米线时的CPGE电流.实验结果表明,测得的CPGE电流主要来自纳米线的拓扑表面态.激光垂直入射纳米线时的CPGE电流不为0,说明CPGE电流来源于纳米线能带的六角翘曲效应.本研究测得的Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的CPGE电流比文献报导的Bi2(Te0.23Se0.77)3纳米线增大2倍以上,这是因为Te组分的增加不但使得费米能级更加靠近狄拉克点,还降低了纳米线中载流子复合的概率,二者共同作用,使得CPGE电流增大. 展开更多
关键词 Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线 拓扑绝缘体 化学气沉积 圆偏振光致电流效应
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Bi_(2)Se_(3)纳米线的生长及其圆偏振光电流的研究
8
作者 李铭贵 崔广州 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第1期20-26,共7页
采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi_(2)Se_(3)纳米线的形貌、晶体质量的影响,并研究Bi_(2)Se_(3)纳米线的圆偏振光致电流.研究结果表明,Bi_(2)Se_(3)纳米线的最佳生长温度为530℃,气... 采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi_(2)Se_(3)纳米线的形貌、晶体质量的影响,并研究Bi_(2)Se_(3)纳米线的圆偏振光致电流.研究结果表明,Bi_(2)Se_(3)纳米线的最佳生长温度为530℃,气体流量为30 mL·min^(-1).通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼等表征手段,表明所生长的Bi_(2)Se_(3)纳米线具有较高的质量.Bi_(2)Se_(3)纳米线的光电流随着四分之一波片的变化表明,Bi_(2)Se_(3)纳米线具有较强的自旋轨道耦合效应.圆偏振光致电流随入射角的增大而减小,这是因为Bi_(2)Se_(3)的对称性结构为C3V.相比Bi_(2)Se_(3)薄膜或者Bi_(2)Se_(3)纳米片,Bi_(2)Se_(3)纳米线具有更大的CPGE电流,这可能是因为纳米线具有更大的比表面积,可以避免表面态信号淹没在体态信号中. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 化学气沉积法 Bi_(2)Se_(3)纳米线 圆偏振光致电流效应
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TiO_(2)同质体材料的拓扑转变合成及其性能的研究
9
作者 陈常东 李哲 +3 位作者 李珂 丛金莹 杨宇航 王芳芳 《辽宁石油化工大学学报》 CAS 2022年第3期37-41,共5页
采用H_(4x/3)Ti_(2-x/3)□_(x/3)O_(4)·nH_(2)O(HTO)为前驱体原料,通过水浴浸渍的方式在HTO的表面负载纳米级氧化钛颗粒(ST01),采用焙烧的方法拓扑合成TiO_(2)同质结构复合材料。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)等测试手段,... 采用H_(4x/3)Ti_(2-x/3)□_(x/3)O_(4)·nH_(2)O(HTO)为前驱体原料,通过水浴浸渍的方式在HTO的表面负载纳米级氧化钛颗粒(ST01),采用焙烧的方法拓扑合成TiO_(2)同质结构复合材料。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)等测试手段,详细研究了焙烧温度对TiO_(2)相变过程的影响。结果表明,HTO随着温度的升高逐渐由单斜结构的TiO_(2)(B)转变成锐钛矿结构,再转变至金红石结构,且形成多种不同结构、组成的TiO_(2)同质复合体材料。以罗丹明B(RhB)为污染物模型进行降解实验,600℃时样品的光催化活性明显高于其他样品,主要是由于此时样品的电子与空穴分离效率较高,说明同质复合体TiO_(2)结构和组成影响了其光催化活性。此外,染料敏化太阳能电池(DSSCs)实验表明,600℃时样品的光电性能较高,其原因是二维片状形貌有助于光生载流子的快速迁移。 展开更多
关键词 TiO_(2) 同质结构 拓扑 光(电)催化
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Improved nitrogen reduction electroactivity by unique MoS_(2)‐SnS_(2) heterogeneous nanoplates supported on poly(zwitterionic liquids)functionalized polypyrrole/graphene oxide
10
作者 Hui Mao Haoran Yang +6 位作者 Jinchi Liu Shuai Zhang Daliang Liu Qiong Wu Wenping Sun Xi‐Ming Song Tianyi Ma 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第5期1341-1350,共10页
Unique MoS_(2)‐SnS_(2)heterogeneous nanoplates have successfully in‐situ grown on poly(3‐(1‐vinylimidazolium‐3‐yl)propane‐1‐sulfonate)functionalized polypyrrole/graphene oxide(PVIPS/PPy/GO).PVIPS can attract h... Unique MoS_(2)‐SnS_(2)heterogeneous nanoplates have successfully in‐situ grown on poly(3‐(1‐vinylimidazolium‐3‐yl)propane‐1‐sulfonate)functionalized polypyrrole/graphene oxide(PVIPS/PPy/GO).PVIPS can attract heptamolybdate ion(Mo7O246−)and Sn^(4+)as the precursors by the ion‐exchange,resulting in the simultaneous growth of 1T’‐MoS2 and the berndtite‐2T‐type hexagonal SnS_(2)by the interfacial induced effect of PVIPS.The obtained MoS_(2)‐SnS_(2)/PVIPS/PPy/GO can serve as electrocatalysts,exhibiting good NRR performance by the synergistic effect.The semi‐conducting SnS_(2)would limit the surface electron accessibility for suppressing HER process of 1T’‐MoS_(2),while metallic 1T’‐MoS_(2)might efficiently improve the NRR electroactivity of SnS_(2)by the creation of Mo‐Sn‐Sn trimer catalytic sites.Otherwise,the irreversible crystal phase transition has taken place during the NRR process.Partial 1T’‐MoS_(2)and SnS_(2)have electrochemically reacted with N_(2),and irreversibly converted into Mo^(2)N and SnxNz due to the formation of Mo−N and Sn−N bonding,meanwhile,partial SnS_(2) has been irreversibly evolved into SnS due to the reduction by the power source in the electrochemical system.It would put forward a new design idea for optimizing the preparation method and electrocatalytic activity of transition metal dichalcogenides. 展开更多
关键词 mos_(2) SnS_(2) Poly(3‐(1‐vinylimidazolium‐3‐yl)propane‐1‐sulfonate)functionalized polypyrrole/graphene oxide Nitrogen reduction reaction Irreversible crystal phase transition
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1T相MoS_(2)的制备及在电催化分解水析氢反应中的应用
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作者 赵路超 曹蓉 +1 位作者 夏杰桢 吴琪 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期543-550,542,共9页
二硫化钼(MoS_(2))已成为电化学析氢反应(HER)中铂催化剂的廉价替代品。1T-MoS_(2)是MoS_(2)的金属相,由于其具有优异的导电性和更多的电化学活性位点,因此成为了比2H-MoS_(2)更具前景的理想催化剂材料。本文综述了1T相MoS_(2)的制备及... 二硫化钼(MoS_(2))已成为电化学析氢反应(HER)中铂催化剂的廉价替代品。1T-MoS_(2)是MoS_(2)的金属相,由于其具有优异的导电性和更多的电化学活性位点,因此成为了比2H-MoS_(2)更具前景的理想催化剂材料。本文综述了1T相MoS_(2)的制备及在HER中的应用。首先,比较了1T-MoS_(2)和2H-MoS_(2)几何结构及电子结构的差异,从“自上而下”及“自下而上”的角度概述了1T-MoS_(2)常用制备方法,总结1T-MoS_(2)及1T-MoS_(2)基材料在HER领域的应用;最后指出现阶段关于1T-MoS_(2)的研究中仍存在的一些关键问题。 展开更多
关键词 金属mos_(2) 制备 电催化析氢 电催化剂 工程
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Bi2Se3纳米片生长及晶体管制备
12
作者 陈磊 王雨濛 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第5期591-595,共5页
通过化学气相沉积方法,在云母衬底上制备高质量的Bi2Se3纳米片.采用湿法转移技术,将纳米片转移到SiO2衬底上.用光刻技术制备基于单个Bi2Se3纳米片的晶体管,并施加底栅电压,对Bi2Se3纳米片晶体管进行有效调控.研究表明:当Bi2Se3纳米片与... 通过化学气相沉积方法,在云母衬底上制备高质量的Bi2Se3纳米片.采用湿法转移技术,将纳米片转移到SiO2衬底上.用光刻技术制备基于单个Bi2Se3纳米片的晶体管,并施加底栅电压,对Bi2Se3纳米片晶体管进行有效调控.研究表明:当Bi2Se3纳米片与电极之间形成欧姆接触时,底栅的调控效果较好;而当Bi2Se3纳米片与电极之间形成肖特基接触时,底栅的调控效果较差. 展开更多
关键词 Bi2Se3纳米片 拓扑绝缘体 晶体管 化学气沉积法
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Bi基拓扑绝缘体纳米薄片的制备和输运性质的研究
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作者 王庆斌 叶军 +3 位作者 蔡日 陈国辉 林明伟 宋翰彪 《大学物理》 2018年第6期30-32,49,共4页
拓扑绝缘体表面态传输耗散少,有可能作为变电站中的电传输新材料.我们采用化学气相沉积法制备了Bi_2Te_3拓扑绝缘体纳米薄片,通过光学显微镜、原子力显微镜和扫描电镜表征,优化了制备参数进而获得Bi_2Te_3纳米薄片.采用光刻技术在Bi_2T... 拓扑绝缘体表面态传输耗散少,有可能作为变电站中的电传输新材料.我们采用化学气相沉积法制备了Bi_2Te_3拓扑绝缘体纳米薄片,通过光学显微镜、原子力显微镜和扫描电镜表征,优化了制备参数进而获得Bi_2Te_3纳米薄片.采用光刻技术在Bi_2Te_3纳米薄片上制作金属电极,测量其输运性质,观察到了来自拓扑表面态的弱反局域化效应.运用传统的弱局域化理论得到表面态电子的退相干长度约为130 nm. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 BI2TE3 化学气沉积 弱反局域化
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大面积单层二硫化钼的制备及其光电性能
14
作者 武鹏 谈论 +4 位作者 李炜 曹立伟 赵俊博 曲尧 李昂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期307-313,共7页
过渡金属硫族化合物(TMDCs)材料具有优异的电学和光电性能,在下一代光电子器件中具有广阔的应用前景.然而,大面积均匀生长单层的TMDCs仍然具有相当大的挑战.本工作提出了一种简单而有效的利用化学气相沉积(CVD)制备大面积单层二硫化钼(M... 过渡金属硫族化合物(TMDCs)材料具有优异的电学和光电性能,在下一代光电子器件中具有广阔的应用前景.然而,大面积均匀生长单层的TMDCs仍然具有相当大的挑战.本工作提出了一种简单而有效的利用化学气相沉积(CVD)制备大面积单层二硫化钼(MoS_(2))的方法,并通过调整氧化物前驱体的比例,调整MoS_(2)单晶/薄膜生长.随后,利用叉指电极掩膜板制备出单层MoS_(2)薄膜光电探测器.最后,在405 nm激光激发下,不同电压和不同激光功率条件下均表现出高稳定和可重复的光电响应,响应时间可达毫秒(ms)量级.此外,该光电探测器实现了405—830 nm的可见光到近红外的宽光谱检测范围,光响应度(R)高达291.7 mA/W,光探测率(D*)最高达1.629×10^(9)Jones.基于该CVD制备的单层MoS_(2)薄膜光电探测器具有成本低、能大规模制备,且在可见光到近红外的宽光谱范围内具有良好的稳定性和重复性的优点,为未来电子和光电子器件的应用提供了更多的可能性. 展开更多
关键词 mos_(2) 化学气沉积 光电探测器 光电响应
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3D花状MoS_(2)/O-g-C_(3)N_(4) Z型异质结增强光催化剂降解双酚A 被引量:2
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作者 张家晶 郑永杰 +2 位作者 荆涛 赵云鹏 杨万丽 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期5778-5791,共14页
光催化降解是一种很有应用前景的污染物处理方法。采用溶剂热法制备了3D/2D二硫化钼负载氧掺杂石墨相氮化碳(MoS_(2)/O-g-C_(3)N_(4))复合材料,通过XRD、XPS、SEM、TEM、FTIR和PL等表征了MoS_(2)与Og-C_(3)N_(4)之间Z型异质结的成功构... 光催化降解是一种很有应用前景的污染物处理方法。采用溶剂热法制备了3D/2D二硫化钼负载氧掺杂石墨相氮化碳(MoS_(2)/O-g-C_(3)N_(4))复合材料,通过XRD、XPS、SEM、TEM、FTIR和PL等表征了MoS_(2)与Og-C_(3)N_(4)之间Z型异质结的成功构建。在模拟太阳光下,当MoS_(2)的负载量为0.2%时,MoS_(2)/O-g-C_(3)N_(4)的光催化活性最高,双酚A(BPA)的降解率为92.6%,是纯g-C_(3)N_(4)的7倍。此外,MoS_(2)和O-g-C_(3)N_(4)之间界面的紧密接触和相互的协同效应,显著增强了光催化反应活性位点和可见光吸收能力,有效提高了光生载流子的分离。根据液相质谱联用仪(LC-MS)和自由基捕获实验,提出了0.2%MoS_(2)/O-g-C_(3)N_(4)异质结复合材料降解BPA可能的光催化降解机制。本研究为制备高效异质结光催化剂提供了新的方法。 展开更多
关键词 mos_(2) 石墨氮化碳 Z型异质结 光催化 协同作用
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单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究 被引量:2
16
作者 李璐 张养坤 +1 位作者 时东霞 张广宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期326-351,共26页
二硫化钼(MoS_(2))作为一种新兴的二维半导体材料,它具有天然原子级的厚度以及优异的光电特性和机械性能,在未来超大规模集成电路中具有巨大的应用潜力.本文综述了我们课题组在过去几年中在单层MoS_(2)薄膜研究方面所取得的进展,具体包... 二硫化钼(MoS_(2))作为一种新兴的二维半导体材料,它具有天然原子级的厚度以及优异的光电特性和机械性能,在未来超大规模集成电路中具有巨大的应用潜力.本文综述了我们课题组在过去几年中在单层MoS_(2)薄膜研究方面所取得的进展,具体包括:在MoS_(2)薄膜制备方面,通过氧辅助气相沉积方法,实现了大尺寸MoS_(2)单晶的可控生长;通过独特的多源立式生长方法,实现了4 in晶圆级大晶粒高定向的单层MoS_(2)薄膜的外延生长,样品显示出极高的光学和电学质量,是目前国际上报道的质量最好的晶圆级MoS_(2)样品;通过调节MoS_(2)薄膜的氧掺杂浓度,可以实现对其电学和光学特性的有效调控.在MoS_(2)薄膜器件与应用方面,利用制备的高质量单层MoS_(2)薄膜,实现了高性能柔性晶体管的集成,这种大面积柔性逻辑和存储器件显示出优异的电学性能;在集成多层场效应晶体管的基础上,设计,加工了垂直集成的多层全二维材料的多功能器件,充分发挥器件的组合性能,实现了“感-存-算”的一体化;制备了全二维材料浮栅存储器,实现了功耗低,可靠性好,且高度对称和线性度可调的突触权重输出的人工突触器件;通过引入结构域边界提高MoS_(2)基地面的电催化析氢反应(HER)催化活性等.我们在MoS_(2)薄膜的制备以及器件特性方面所取得的进展对于MoS_(2)的基础和应用研究均具有指导意义. 展开更多
关键词 单层mos_(2) 化学气沉积 生长调控 场效应晶体管
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MOCVD法生长二维范德华材料的研究进展 被引量:1
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作者 柳鸣 郭伟玲 孙捷 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期497-503,共7页
二维范德华材料凭借其优异的光学和电学特性,自被发现以来一直作为延续集成电路摩尔定律的重要基础电子材料而备受关注。通过机械剥离的方法得到高质量的二维材料进行实验室层面的研究工作已经不能满足现阶段的需要。采用金属有机化学... 二维范德华材料凭借其优异的光学和电学特性,自被发现以来一直作为延续集成电路摩尔定律的重要基础电子材料而备受关注。通过机械剥离的方法得到高质量的二维材料进行实验室层面的研究工作已经不能满足现阶段的需要。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术可以得到高质量的大面积二维范德华材料,并具有生长层数和成核密度可控的优势。以过渡金属硫化物(TMDC)为例,分别从生长条件、金属有机源材料、衬底、催化剂等方面综述了采用MOCVD技术生长二维范德华材料的研究进展,同时讨论了二维材料的范德华异质结构的特性及应用。利用MOCVD技术优势可以推动二维范德华材料的大规模应用。最后总结了MOCVD法生长二维范德华材料现阶段的优势与不足,并对其未来的发展进行了展望。 展开更多
关键词 金属有机化学气沉积(MOCVD) 二维范德华材料 过渡金属硫化物(TMDC) mos_(2) 异质结
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利用“虚拟填球法”巧解金刚石中晶体计算问题
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作者 刘春凯 《高中数理化》 2021年第4期60-61,共2页
1科学视野参考杨平(北京科技大学材料学院)在拉维斯(Laves)相及拉维斯的科研生涯文章中的介绍加深了我们对材料科学中的拉维斯相的了解.Laves相是一种AB2型金属间化合物,是拓扑密堆相中的一种,典型代表是MgCu_(2)(结构符号是C15,Pearso... 1科学视野参考杨平(北京科技大学材料学院)在拉维斯(Laves)相及拉维斯的科研生涯文章中的介绍加深了我们对材料科学中的拉维斯相的了解.Laves相是一种AB2型金属间化合物,是拓扑密堆相中的一种,典型代表是MgCu_(2)(结构符号是C15,Pearson符号是cF24).Laves相,MgCu_(2)的结构如图1所示,它们的存在对力学性能有重要影响. 展开更多
关键词 LAVES 金属间化合物 拓扑密堆 AB2 力学性能 拉维斯 材料科学 金刚石
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