PVA辅助生长大面积连续少层MoS_(2)薄膜

以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是有望用于下一代光电子器件的新兴材料,实现大面积连续二维半导体薄膜材料的制备将促进相关材料的工业应用。在(NH_(4))_(2)MoS_(4)前驱体溶液中添加聚乙烯醇(PVA)提高(NH_(4))_(2)MoS_(4)旋涂薄膜的均匀性,然后在H_(2)气氛下加入硫粉,利用高温热解工艺在SiO_(2)/Si基片上制备了大面积、连续均匀的层状MoS_(2)薄膜。采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见(UV-Vis)分光光度计以及输出特性曲线对MoS_(2)薄膜的形貌、结构和光电性能进行了表征。结果表明,所制备的少层MoS_(2)薄膜具有良好的结晶性和层状结构,并可实现大面积的薄膜转移。

PVA-Ca(NO_3)_2法包埋固定氧化亚铁硫杆菌研究

首次报道了把聚乙烯醇（PVA）、海藻酸钠混合水溶胶和氧化亚铁硫杆菌混合后滴入1％～5％（W／V）的ca（NO3）2溶液中凝固成型，并把成型后的颗粒置-20℃条件下冷冻1d，从而形成固定化颗粒，把该颗粒在摇瓶中进行分批培养，对Fe^2＋最大氧化速率可达2．45g／（L·h）。而且整个固定化操作简单，颗粒不粘连、强度高、稳定性好，可以同时消除PVA-H3BO3法中PVA颗粒的粘连膨胀和H3BO3对微生物的毒性，具有很好的应用价值。

聚乙烯醇掺杂对二维MoS_(2)晶体管电学性能的影响

采用机械剥离法得到二维MoS_(2)材料并将其转移到SiO2/Si衬底上,采用光刻、剥离工艺制备出二维MoS_(2)晶体管。将二维MoS_(2)晶体管浸泡在不同质量浓度的聚乙烯醇(PVA)溶液中,然后旋涂成膜并退火实现掺杂。对掺杂前后二维MoS_(2)晶体管的电学性能进行测试。测试结果显示,当PVA溶液质量浓度为0.5%、1%和2%时,掺杂后的二维MoS_(2)晶体管开态电流提高到3倍、3.6倍和10倍,有效电子迁移率提高到1.7倍、2.8倍和4.3倍,开态电阻降低了一个数量级以上。由于掺杂层的覆盖,二维MoS_(2)晶体管的稳定性有了显著提高,暴露在空气中30 d后未观察到电学性能有明显退化。研究结果表明,可以通过控制PVA溶液的质量浓度对二维MoS_(2)晶体管的掺杂浓度进行调控,从而影响其电学性能。

固定化氧化亚铁硫杆菌对Fe^(2+)的氧化

用Ca(NO3)2凝固聚乙烯醇(PVA)、海藻酸钠和氧化亚铁硫杆菌复合水溶胶,并把成形后的颗粒置低温冷冻,从而形成固定化颗粒。用该颗粒填充固定床生物反应器进行连续操作,考察了不同稀释率下固定床生化反应器氧化Fe2+的情况,在温度31℃、pH值1.8、稀释率0.5h—1条件下,Fe2+最大氧化速率达2.90g/(L.h)。系统即使在没有灭菌的情况下,稳定性保持良好,具有较好的应用前景。