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MoSe_2纳米片的制备及其摩擦性能 被引量:3
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作者 宋也黎 彭红红 +2 位作者 李长生 唐华 晋跃 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期83-85,共3页
通过固相反应方法合成了MoSe2纳米片,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等对其进行了表征;通过摩擦试验研究了MoSe2纳米片作为150bn润滑油添加剂的摩擦性能。结果表明:MoSe2具有纳米片状结构,长为100~500 nm,厚为10~... 通过固相反应方法合成了MoSe2纳米片,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等对其进行了表征;通过摩擦试验研究了MoSe2纳米片作为150bn润滑油添加剂的摩擦性能。结果表明:MoSe2具有纳米片状结构,长为100~500 nm,厚为10~50 nm,添加MoSe2纳米片基础油的摩擦因数要比添加MoS2纳米片基础油的高,其中MoSe2添加5%(质量分数)的润滑油的摩擦性能最好。 展开更多
关键词 mose2纳米片 润滑油 添加剂 摩擦性能
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花球状Se/MoSe2的制备及其吸附有机染料的性能 被引量:4
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作者 亓淑艳 赵亚栋 +2 位作者 马宁龙 胥焕岩 刘志海 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期747-752,共6页
针对有机污染物难降解的问题,采用水热法在不同温度和时间条件下制备了Se/MoSe2样品,研究了Se/MoSe2对有机染料的吸附效果。利用XRD、SEM、TEM和X射线荧光光谱等表征手段,发现样品含有Se和MoSe2两相,形貌是一些交错的纳米片自组装构成... 针对有机污染物难降解的问题,采用水热法在不同温度和时间条件下制备了Se/MoSe2样品,研究了Se/MoSe2对有机染料的吸附效果。利用XRD、SEM、TEM和X射线荧光光谱等表征手段,发现样品含有Se和MoSe2两相,形貌是一些交错的纳米片自组装构成的花球状结构。试验表明:样品的比表面积随着水热时间和水热温度的增加而增大。当水热时间超过12 h,水热温度超过260℃,且在12 min的反应时间内,样品的吸附率都可以达到97%以上,这可能是由于比表面积的增加,游离Se存在,π-π相互作用和MoSe2表面疏水性共同作用的结果。 展开更多
关键词 水热法 非晶态 mose2 游离Se 花球状 吸附性 比表面积 罗丹明B
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IF-MoSe_2纳米材料在液体石蜡中的摩擦学性能研究 被引量:3
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作者 余应明 李长生 +2 位作者 刘艳清 孙彩虹 张伟 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期10-13,共4页
将采用化学气相沉积反应法制备的IF-MoSe2纳米材料和片层状MoS2分别添加到液体石蜡中,用Span80作为分散剂分散后在UMT-2摩擦实验机上进行摩擦试验,采用扫描电镜观测磨痕形貌和纳米在摩擦表面的分布,通过测量接触表面油膜的电阻和接触点... 将采用化学气相沉积反应法制备的IF-MoSe2纳米材料和片层状MoS2分别添加到液体石蜡中,用Span80作为分散剂分散后在UMT-2摩擦实验机上进行摩擦试验,采用扫描电镜观测磨痕形貌和纳米在摩擦表面的分布,通过测量接触表面油膜的电阻和接触点沿法向的坐标分析摩擦过程的变化。结果显示,IF-MoSe2纳米材料作为润滑油添加剂具有比片层状MoS2更加优越的减摩抗磨性能;通过测量油膜电阻可以监测摩擦表面的成膜状况;接触点法向坐标反映磨痕的形貌,并且在边界润滑状态下,摩擦因数曲线的变化直接受接触点法向坐标的影响。 展开更多
关键词 IF—mose2 油膜电阻 接触点
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Se和MoSe_2纳米片的结构和发光性能 被引量:4
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作者 王必本 朱恪 王强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期316-322,共7页
以Se粉和MoO_3粉为源材料,利用热丝化学气相沉积在N_2中制备了Se和MoSe_2纳米片.利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线能谱仪、显微Raman光谱仪和X射线光电子谱仪对Se和MoSe_2纳米片的结构和组成进行了系统研究.结果表明:S... 以Se粉和MoO_3粉为源材料,利用热丝化学气相沉积在N_2中制备了Se和MoSe_2纳米片.利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线能谱仪、显微Raman光谱仪和X射线光电子谱仪对Se和MoSe_2纳米片的结构和组成进行了系统研究.结果表明:Se粉和M0O_3粉的混合与否直接影响了Se和MoSe_2纳米片的形成和结构;当Se粉和MoO_3粉充分混合时形成Se纳米片,而Se和MoO_3粉分开放置时则形成MoSe_2纳米片.研究发现这是由于Se和MoO_3粉的混合与否使Se和MoO_3在气相中的不同反应所致.对Se和MoSe_2纳米片的发光性能研究表明,它们分别产生了774,783和784 nm的发光峰,不同于单层MoSe_2纳米片的发光性能.这些结果丰富了对二维Se基纳米材料的合成和光学性能的知识,有助于对Se基二维纳米材料的光电器件的研制. 展开更多
关键词 Se和mose2纳米片 化学气相沉积 发光
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六角星形MoSe_2双层纳米片的制备及其光致发光性能 被引量:3
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作者 黄静雯 罗利琼 +2 位作者 金波 楚士晋 彭汝芳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第13期225-231,共7页
采用化学气相沉积法,以三氧化钼作为钼源,硒粉作为硒源,在H_2/Ar气氛下生长出硒化钼纳米片.扫描电镜、X射线衍射表征结果表明,MoSe_2产物呈六角星状,横向尺寸约10μm,具有很好的晶体质量和结构.拉曼光谱表征其结构,确定其为双层纳米片.... 采用化学气相沉积法,以三氧化钼作为钼源,硒粉作为硒源,在H_2/Ar气氛下生长出硒化钼纳米片.扫描电镜、X射线衍射表征结果表明,MoSe_2产物呈六角星状,横向尺寸约10μm,具有很好的晶体质量和结构.拉曼光谱表征其结构,确定其为双层纳米片.研究表明,高温反应时间对双层纳米片的生长具有重要的影响.通过对双层纳米片的生长机理的探究,推测其经历了3个生长过程:在高温下,Mo源和Se源被气化成气态分子并发生硒化反应形成晶核;晶核呈三角形外延生长;当反应时间持续增加,在空间位阻效应的影响下,晶体以中心原子岛为核,外延耦合生长出第二层三角形,最终形成六角星状双层纳米片.光致发光光谱结果表明,六角星状MoSe_2双层纳米片在1.53 eV处具有直接带隙和1.78 eV处具有间接带隙,其较宽范围的激发光谱响应预测其在光电探测器件领域具有潜在的应用前景. 展开更多
关键词 六角星状mose2 化学气相沉积法 光致发光 空间位阻效应
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单层WSe2、MoSe2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变 被引量:1
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作者 付鑫鹏 周强 +2 位作者 秦莉 李芳菲 付喜宏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1647-1653,共7页
采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激... 采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激子发光在3. 7 GPa处发生了劈裂。结合第一性原理计算分析,确认该不连续现象的产生机制为压力诱导的导带底K-Λ交互转变。该结果可以扩大至整个二维层状材料体系,为发展激子器件垫定基础。 展开更多
关键词 单层WSe2 单层mose2 金刚石对顶砧 激子
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MoSe_2薄膜的制备与光电特性 被引量:2
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作者 胡慧敏 魏杰 +4 位作者 周洪宇 苏静杰 于成龙 张强 马锡英 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第12期813-816,834,共5页
主要研究了硒化钼(MoSe2)薄膜的制备及其光电特性。以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应仪和UV-3600分光光度计分别表征了硒化钼薄膜的表面形... 主要研究了硒化钼(MoSe2)薄膜的制备及其光电特性。以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应仪和UV-3600分光光度计分别表征了硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收特性和MoSe2/Si异质结的光电特性。分析可见所制备的硒化钼薄膜由柱状生长的硒化钼纳米颗粒构成,且这些纳米颗粒具有很强的垂直生长的取向。另外,还发现该硒化钼薄膜对可见光有很强的吸收和良好的光电特性,表明硒化钼薄膜在光电器件领域具有很大的应用潜力。 展开更多
关键词 硒化钼(mose2) 化学气相沉积(CVD) 表面形貌 光吸收 光电特性
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化学气相沉积法控制合成单层MoSe_2薄膜 被引量:1
8
作者 王鑫 王文杰 +4 位作者 邓加军 叶晨骁 王雅雅 车剑韬 丁迅雷 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2018年第18期2082-2086,共5页
为了寻找最优化的实验条件得到大面积且高晶体质量的二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,2DTMDCs)薄膜材料,选择用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法,通过不断优化实验参量,制备出... 为了寻找最优化的实验条件得到大面积且高晶体质量的二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,2DTMDCs)薄膜材料,选择用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法,通过不断优化实验参量,制备出了单层MoSe_2薄膜,并利用Raman光谱及光致发光光谱对样品的层数和带隙宽度进行表征。通过大量实验发现,在用CVD法制备单层MoSe_2薄膜时,实验的初始压强及衬底与前驱体的距离会影响样品的生长。于是通过对比实验,探究了起始压强及衬底与前驱体的距离对单层MoSe_2薄膜生长的影响。得到了最优化的压强及衬底与前驱体的距离。 展开更多
关键词 凝聚态物理学 二维材料 单层mose2 化学气相沉积法 生长参数
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Two Step Chemical Vapor Deposition of In2Se3/MoSe2 van der Waals Heterostructures
9
作者 陈玉林 李铭领 +6 位作者 吴一鸣 李思嘉 林岳 杜冬雪 丁怀义 潘楠 王晓平 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2017年第3期325-332,I0002,共9页
Two-dimensional transition metal dichalcogenides heterostructures have stimulated wide in- terest not only for the fundamental research, but also for the application of next generation electronic and optoelectronic de... Two-dimensional transition metal dichalcogenides heterostructures have stimulated wide in- terest not only for the fundamental research, but also for the application of next generation electronic and optoelectronic devices. Herein, we report a successful two-step chemical vapor deposition strategy to construct vertically stacked van der Waals epitaxial In2Se3/MoSe2 heterostructures. Transmission electron microscopy characterization reveals clearly that the In2Se3 has well-aligned lattice orientation with the substrate of monolayer MoSe2. Due to the interaction between the In2Se3 and MoSe2 layers, the heterostructure shows the quench- ing and red-shift of photoluminescence. Moreover, the current rectification behavior and photovoltaic effect can be observed from the heterostructure, which is attributed to the unique band structure alignment of the heterostructure, and is further confirmed by Kevin probe force microscopy measurement. The synthesis approach via van der Waals epitaxy in this work can expand the way to fabricate a variety of two-dimensional heterostructures for potential applications in electronic and optoelectronic devices. 展开更多
关键词 van der Waals heterostructures Chemical vapor deposition In2Sea/mose2 Kevin probe force microscopy n+-n junction
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MoSe2 nanosheets as a functional host for lithium-sulfur batteries 被引量:7
10
作者 Lishun Meng Yuan Yao +5 位作者 Jing Liu Zhao Wang Dong Qian Liuchun Zheng Bao-Lian Su Hong-En Wang 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期241-247,I0009,共8页
Lithium-sulfur batteries(LSBs) hold great potential for large-scale electrochemical energy storage applications. Currently, the shuttle of soluble lithium polysulfide(LiPSs) intermediates with sluggish conversion kine... Lithium-sulfur batteries(LSBs) hold great potential for large-scale electrochemical energy storage applications. Currently, the shuttle of soluble lithium polysulfide(LiPSs) intermediates with sluggish conversion kinetics and random deposition of Li2S have severely degraded the capacity, rate and cycling performances of LSBs, preventing their practical applications. In this work, ultrathin MoSe2 nanosheets with active edge sites were successfully grown on both internal and external surfaces of hollow carbon spheres with mesoporous walls(MCHS). The resulting MoSe2@MCHS composite acted as a novel functional reservoir for Li PSs with high chemical affinity and effectively mediated their fast redox conversion during charge/discharge as elucidated by experimental observations and first-principles density functional theory(DFT) calculations. The as-fabricated Li-S cells delivered high capacity, superior rate and excellent cyclability. The current work presents new insights on the delicate design and fabrication of novel functional composite electrode materials for rechargeable batteries with emerging applications. 展开更多
关键词 mose2 Cathode host Lithium-sulfur batteries Shuttle effect Electrochemistry Density functional theory
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MoSe2/ZnO/ZnSe hybrids for efficient Cr(Ⅵ) reduction under visible light irradiation 被引量:4
11
作者 Zhenxing Ren Xinjuan Liu +2 位作者 Zhihao Zhuge Yinyan Gong Chang QSun 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期180-187,共8页
Photocatalysis activated by visible light remains highly challenging.Here,we report novel MoSe2/ZnO/ZnSe(ZM)hybrids fabricated via a simple hydrothermal method for photocatalytic reduction of Cr(VI)under visible light... Photocatalysis activated by visible light remains highly challenging.Here,we report novel MoSe2/ZnO/ZnSe(ZM)hybrids fabricated via a simple hydrothermal method for photocatalytic reduction of Cr(VI)under visible light irradiation.ZM hybrids show improved photocatalytic reduction ability under visible light irradiation compared to pure ZnO owing to good visible light absorption and rapid electron transfer and separation.The ZM hybrid shows the highest Cr(VI)reduction rate of 100%.Moreover,the photocatalytic Cr(VI)reduction process is mainly controlled by photoinduced electrons. 展开更多
关键词 Transition metal dichalcogenides mose2 ZNO ZNSE CR(VI)
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Tuning Interface Bridging Between MoSe2 and Three‑Dimensional Carbon Framework by Incorporation of MoC Intermediate to Boost Lithium Storage Capability 被引量:4
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作者 Jing Chen Yilin Luo +6 位作者 Wenchao Zhang Yu Qiao Xinxin Cao Xuefang Xie Haoshen Zhou Anqiang Pan Shuquan Liang 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第12期146-158,共13页
Interface engineering has been widely explored to improve the electrochemical performances of composite electrodes,which governs the interface charge transfer,electron transportation,and structural stability.Herein,Mo... Interface engineering has been widely explored to improve the electrochemical performances of composite electrodes,which governs the interface charge transfer,electron transportation,and structural stability.Herein,MoC is incorporated into MoSe2/C composite as an intermediate phase to alter the bridging between MoSe2-and nitrogen-doped three-dimensional(3D)carbon framework as MoSe2/MoC/N–C connection,which greatly improve the structural stability,electronic conductivity,and interfacial charge transfer.Moreover,the incorporation of MoC into the composites inhibits the overgrowth of MoSe2 nanosheets on the 3D carbon framework,producing much smaller MoSe2 nanodots.The obtained MoSe2 nanodots with fewer layers,rich edge sites,and heteroatom doping ensure the good kinetics to promote pseudo-capacitance contributions.Employing as anode material for lithium-ion batteries,it shows ultralong cycle life(with 90%capacity retention after 5000 cycles at 2 A g−1)and excellent rate capability.Moreover,the constructed LiFePO4//MoSe2/MoC/N–C full cell exhibits over 86%capacity retention at 2 A g−1 after 300 cycles.The results demonstrate the effectiveness of the interface engineering by incorporation of MoC as interface bridging intermediate to boost the lithium storage capability,which can be extended as a potential general strategy for the interface engineering of composite materials. 展开更多
关键词 Interface engineering Porous carbon framework mose2 nanodots MOC HETEROSTRUCTURE Battery
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晶界对单层多晶MoS_2和MoSe_2摩擦性能的影响
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作者 张欢 何文远 +1 位作者 严鑫洋 郑学军 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期188-193,共6页
目的基于阿蒙顿固体摩擦理论和静电力理论,利用原子力显微镜和开尔文显微镜研究晶界对单层多晶MoS_2和MoSe_2纳米片摩擦性能的影响。方法用化学气相沉积法制备单层多晶MoS_2和MoSe_2,结合摩擦力显微镜模块、开尔文显微镜模块,在单层多晶... 目的基于阿蒙顿固体摩擦理论和静电力理论,利用原子力显微镜和开尔文显微镜研究晶界对单层多晶MoS_2和MoSe_2纳米片摩擦性能的影响。方法用化学气相沉积法制备单层多晶MoS_2和MoSe_2,结合摩擦力显微镜模块、开尔文显微镜模块,在单层多晶MoS_2和MoSe_2不同区域上(500 nm×500 nm),研究晶界对其摩擦性能的影响。结果对于单层多晶MoS_2和MoSe_2,有明显晶界区域的粗糙度、接触电势差和粘附力要大于无明显晶界区域或无晶界区域。有明显晶界区域的摩擦系数大于其他区域,无明显晶界区域的摩擦系数大于无晶界区域。结论探针在晶界处滑动时,受到棘轮效应和压电效应的双重作用,导致探针更大的变形量与更多的能量耗散,因此有明显晶界区域的摩擦力显著增大。对于晶界不明显的区域,其摩擦力仅受压电效应的作用,也会有所增大。对于无晶界的区域,因探针滑动时不会受到棘轮效应和压电效应的作用,其摩擦力相对较小。 展开更多
关键词 原子力显微镜 开尔文显微镜 晶界 MOS2 mose2 棘轮效应 压电效应 摩擦性能
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应力调控单层MoSe2的光致发光光谱特性
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作者 廖涵 佘小娟 +4 位作者 陶略 李杨 张加祥 甘甫烷 刘志 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期165-172,共8页
为了探究二维材料在片上可调有源光学器件领域的应用潜力,通过干法转印将由机械剥离法得到的高品质单层二硒化钼转移到正面涂有150nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的双轴压电陶瓷上,制作出可应力调控发光性质的单层二硒化钼光源.对双轴压电陶瓷施... 为了探究二维材料在片上可调有源光学器件领域的应用潜力,通过干法转印将由机械剥离法得到的高品质单层二硒化钼转移到正面涂有150nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的双轴压电陶瓷上,制作出可应力调控发光性质的单层二硒化钼光源.对双轴压电陶瓷施加驱动电压,使电信号转化为应力信号,观察低温下(~5K)二硒化钼光致发光光谱中本征激子态、带电激子态信号峰随应力变化的规律.结果表明:在应力由拉伸应力转变为压应力并逐渐增大的过程中,本征激子态、带电激子态信号峰分别出现了~3.8meV、~3.7meV的波长蓝移.增大压应力、拉伸应力都会导致本征激子态、带电激子态信号峰光强线性降低.同时,与泵浦光圆极化相关的圆偏振度也随应力变化表现出规律性改变.此项研究证明了应力调控与单层二硒化钼光学性质之间的紧密关系,为开发各类基于二维材料的片上可调有源光学器件提供支持. 展开更多
关键词 纳米材料 光电器件 光致发光 二硒化钼 激子 带电激子 压电陶瓷 应力调控
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电还原MoSe2修饰TiO2纳米管光电化学性能研究 被引量:3
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作者 张亚萍 丁文明 +5 位作者 朱海丰 黄承兴 于濂清 王永强 李哲 徐飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期797-802,共6页
通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和亚硒酸为原料,改变原料的浓度配比以及沉积电压,电化学还原沉积MoSe2对TiO2纳米管阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高TiO2的光电化学性能。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描... 通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和亚硒酸为原料,改变原料的浓度配比以及沉积电压,电化学还原沉积MoSe2对TiO2纳米管阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高TiO2的光电化学性能。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对复合物进行物相、形貌分析,通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线、交流阻抗。结果表明, MoSe2与TiO2形成了p-n异质结,降低了光生电子和空穴的复合以及电荷转移电阻显著降低,使载流子浓度、光电流密度明显增大。沉积电压为-0.5 V, 2 mmol/L H2SeO3沉积30 s,经过300℃热处理的MoSe2/TiO2复合材料具有优异的光电化学性能,在0 V偏压条件下光响应电流密度为1.17 mA/cm^2,是空白样品的3倍,电荷转移电阻从331.6Ω/cm^2下降到283.9Ω/cm^2。当热处理温度为330℃时,MoSe2会发生团聚,堵塞TiO2基底,使得MoSe2/TiO2吸光能力减弱,综合性能变差。 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 mose2 电化学沉积 光电化学性能
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Photo-induced doping effect and dynamic process in monolayer MoSe2 被引量:1
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作者 Qian Yang Yongzhou Xue +2 位作者 Hao Chen Xiuming Dou Baoquan Sun 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2020年第8期63-67,共5页
Dynamic processes of electron transfer by optical doping in monolayer MoSe2 at 6 K are investigated via measuring time resolved photoluminescence(PL)traces under different excitation powers.Time-dependent electron tra... Dynamic processes of electron transfer by optical doping in monolayer MoSe2 at 6 K are investigated via measuring time resolved photoluminescence(PL)traces under different excitation powers.Time-dependent electron transfer process can be analyzed by a power-law distribution of t^−α withα=0.1-0.24,depending on the laser excitation power.The average electron transfer time of approximately 27.65 s is obtained in the excitation power range of 0.5 to 100μW.As the temperature increases from 20 to 44 K,the energy difference between the neutral and charged excitons is observed to decrease. 展开更多
关键词 photodoping monolayer mose2 dynamic process TEMPERATURE
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钴掺杂MoSe2共生长中氢气的作用分析及磁电特性研究 被引量:1
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作者 张宝军 王芳 +4 位作者 沈稼强 单欣 邸希超 胡凯 张楷亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期253-259,共7页
采用原位共生长化学气相沉积法,以Co3O4、MoO3、Se粉末为前驱物,710℃下在SiO2衬底上生长掺钴MoSe2纳米薄片,分析讨论氢气含量对其生长及调节机理的影响.表面形貌分析表明,氢气的引入促进了成核所需的氧硒金属化合物以及横向生长中需要... 采用原位共生长化学气相沉积法,以Co3O4、MoO3、Se粉末为前驱物,710℃下在SiO2衬底上生长掺钴MoSe2纳米薄片,分析讨论氢气含量对其生长及调节机理的影响.表面形貌分析表明,氢气的引入促进了成核所需的氧硒金属化合物以及横向生长中需要的CoMoSe化合物分子的生成;AFM(Atomic Force Microscope)结果表明氢气有利于生长单层二维超薄掺钴MoSe2.随着Co3O4前驱物用量的增加,样品的拉曼和PL(Photoluminescence)谱图分别表现出红移和蓝移现象,带隙实现从1.52—1.57 eV的调制.XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)结果分析得到Co的元素组分比为4.4%.通过SQUID-VSM(Superconducting QUantum Interference Device)和器件电学测试分析了样品的磁电特性,结果表明Co掺入后MoSe2由抗磁性变为软磁性;背栅FETs器件的阈值电压比纯MoSe2向正向偏移5 V且关态电流更低;为超薄二维材料磁电特性研究及应用拓展提供了基础探索. 展开更多
关键词 二维材料 mose2 CO掺杂 化学气相沉积
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Current improvement in substrate structured Sb2S3 solar cells with MoSe2 interlayer 被引量:1
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作者 Lu Liu Sheng-Li Zhang +4 位作者 Jian-Yu Wu Wei-Huang Wang Wei Liu Li Wu Yi Zhang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期579-585,共7页
Sb2S3 solar cells with substrate structure usually suffer from pretty low short circuit current(JSC)due to the defects and poor carrier transport.The Sb2S3,as a one-dimensional material,exhibits orientation-dependent ... Sb2S3 solar cells with substrate structure usually suffer from pretty low short circuit current(JSC)due to the defects and poor carrier transport.The Sb2S3,as a one-dimensional material,exhibits orientation-dependent carrier transport property.In this work,a thin MoSe2 layer is directly synthesized on the Mo substrate followed by depositing the Sb2S3 thin film.The x-ray diffraction(XRD)patterns confirm that a thin MoSe2 layer can improve the crystallization of the Sb2S3 film and induce(hk1)orientations,which can provide more carrier transport channels.Kelvin probe force microscopy(KPFM)results suggest that this modified Sb2S3 film has a benign surface with less defects and dangling bonds.The variation of the surface potential of Sb2S3 indicates a much more efficient carrier separation.Consequently,the power conversion efficiency(PCE)of the substrate structured Sb2S3 thin film solar cell is improved from 1.36%to 1.86%,which is the best efficiency of the substrate structured Sb2S3 thin film solar cell,and JSC significantly increases to 13.6 mA/cm^2.According to the external quantum efficiency(EQE)and C-V measurements,the modified crystallization and elevated built-in electric field are the main causes. 展开更多
关键词 Sb2S3 thin film super thin mose2 built-in electric filed Kelvin probe force microscopy
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溶剂对二维MoSe_2量子点发光性质的影响
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作者 栾春燕 马春燕 徐明生 《中国科技论文》 北大核心 2017年第22期2595-2599,共5页
采用液相超声剥离法一步制备了MoSe_2量子点,研究溶剂对MoSe_2量子点形貌和发光性质的影响。透射电子显微镜结果表明,所制备的MoSe_2量子点尺寸均匀、分散性良好,溶剂影响MoSe_2量子点的尺寸。所制备的MoSe_2量子点在可见光区和紫外光... 采用液相超声剥离法一步制备了MoSe_2量子点,研究溶剂对MoSe_2量子点形貌和发光性质的影响。透射电子显微镜结果表明,所制备的MoSe_2量子点尺寸均匀、分散性良好,溶剂影响MoSe_2量子点的尺寸。所制备的MoSe_2量子点在可见光区和紫外光区各有1个发光峰,发光峰分别归属于MoSe_2量子点的缺陷态和本征态发光。能带带隙随量子点尺寸的减小而变大,导致发射峰蓝移;MoSe_2量子点表现出量子限制效应。对发光机制的认识将有助于设计量子点的尺寸与表面结构,获得新颖的发光特性。 展开更多
关键词 二维材料 量子点 mose2 液相超声剥离 发光性质
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Achieving high-performance multilayer MoSe2 photodetectors by defect engineering
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作者 Jintao Hong Fengyuan Zhang +8 位作者 Zheng Liu Jie Jiang Zhangting Wu Peng Zheng Hui Zheng Liang Zheng Dexuan Huo Zhenhua Ni Yang Zhang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第8期518-523,共6页
Optoelectronic properties of MoSe2 are modulated by controlled annealing in air.Characterizations by Raman spectroscopy and XPS demonstrate the introduction of oxygen defects.Considerable increase in electron and hole... Optoelectronic properties of MoSe2 are modulated by controlled annealing in air.Characterizations by Raman spectroscopy and XPS demonstrate the introduction of oxygen defects.Considerable increase in electron and hole mobilities reveals the highly improved electron and hole transport.Furthermore,the photocurrent is enhanced by nearly four orders of magnitudes under 7 nW laser exposure after annealing.The remarkable enhancement in the photoresponse is attributed to an increase in hole trapping centers and a reduction in resistance.Furthermore,the annealed photodetector shows a fast time response on the order of 10 ms and responsivity of 3×10^(4) A/W. 展开更多
关键词 mose2 oxygen defects electrical properties optoelectronic properties
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