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MoSys公司的1T-SRAM-R技术成功通过中芯国际0.13um制程验证 |
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《电子工业专用设备》
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2004 |
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CEVA和MoSys携手提供完整SATA3.0解决方案IP |
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《中国集成电路》
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2010 |
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紧扣“信息化”时代步伐,ADI收购Domosys电力线通信技术 |
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《电子与电脑》
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2009 |
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4
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CEVA和DMoSys携手提供完整SATA3.0解决方案IP |
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《电子与电脑》
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2010 |
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5
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CEVA和MoSys携手提供完整SATA3.0解决方案IP |
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《电子工业专用设备》
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2010 |
0 |
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6
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MOSYS在中芯国际0.18微米标准逻辑工艺中进行1T—SRAM存储器的硅验证 |
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《集成电路应用》
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2003 |
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国内要闻 |
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《中国集成电路》
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2004 |
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8
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折叠式电容器使SRAM的密度提高了三倍 |
David Suchmann
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《今日电子》
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2003 |
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