Total ionizing dose effect of gamma rays on H-gate PDSOI MOS devices at different dose rates

The total dose effect of ^(60)Co γ-rays on 0.8μm H-gate partially depleted-silicon-on-insulator NMOS devices was investigated at different irradiation doses. The results show that the shift in saturation current at high dose rate is greater than that at low dose rate, due to increase in interface-state density with decreasing dose rate; the scattering effect of interface state on electrons in the channel causes degradation in carrier mobility; and the body current and transconductance of the back gate enhance low-doserate sensitivity when the irradiation is under OFF-bias. A double transconductance peak is observed at 3 kGy(Si)under high dose rates.

移动X射线参考辐射场的环境散射辐射份额模拟研究

基于中国原子能科学研究院研制的一款可移动式X射线照射装置,开展现场校准环境散射辐射计算模型的搭建与实验验证工作。利用蒙特卡罗软件建立照射装置及周围环境同尺寸概化模型,确定环境散射辐射的计算方法;开展基本场景条件下的模型验证工作,分析可能影响结果的主要因素并据此调整模型尺寸,然后对改进后的模型进行了实验验证。限束光阑模型半张角最终确定为5°、8°30′、10°20′;在N100~N200范围内,采用改进模型计算得到的环境散射辐射份额与实验结果的相对偏差为−11.6%~9.3%。研究结果证明:利用验证后的模型,可以为基于机器学习的现场X射线散射辐射修正系统的研究提供大量训练数据。

可移动式X射线照射装置窄谱系列辐射质建立及相关特性研究

基于中国原子能科学研究院计量测试部研制的可移动式X射线照射装置,开展管电流线性、固有过滤及附加过滤的测量研究。可移动式X射线照射装置使用中需频繁移动,出于增加机械强度考虑,在铍窗前保留了4mm铝片对铍窗进行保护,利用MCNP程序模拟得到Al片在不同位置情况下X射线出射束的注量谱,并与标准谱进行对比以验证方法可行性。实验结果表明,在相同能量下,电离室电离电流与X射线辐射场剂量率呈线性关系;X射线平均能量模拟值同ISO 4037推荐值的相对偏差在3%以内;通过线性插值法得到有监督电离室条件下的固有过滤为4.01mmAl;各辐射质所对应第一半值层实测值与标准推荐值相对偏差在5%以内。本工作可用于可移动式X射线照射装置现场校准工作。

强激光辐照PC型探测器的动态响应

基于载流子输运和强激光辐照会产生热效应造成探测器的温升,建立了描述光导(PC)型半导体探测器对激光辐照动态响应的动力学模型及非线性耦合方程组。通过进行数值模拟计算,得到了激光辐照PC型半导体探测器的动态响应情况,数值模拟结果与实验结果相吻合。该模型能适用于任何强度的激光辐照,弱激光辐照时结果与传统模型一致,强激光辐照时能描述探测器的信号饱和效应。