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Efficient Coherent Population Transfer of D2 Molecules by Stark-induced Adiabatic Raman Passage
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作者 汪涛 杨天罡 +2 位作者 肖春雷 戴东旭 杨学明 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2013年第1期8-12,I0003,共6页
Preparation of a high flux of hydrogen molecules in a specific vibrationally excited state is the major prerequisite and challenge in scattering experiments that use vibrationally excited hydrogen molecules as the tar... Preparation of a high flux of hydrogen molecules in a specific vibrationally excited state is the major prerequisite and challenge in scattering experiments that use vibrationally excited hydrogen molecules as the target. The widely used scheme of stimulated Raman pumping suffers from coherent population return which severely limits the excitation efficiency. Re- cently we successfully transferred D2 molecules in the molecular beam from (v=0, J=0) to (v=1, J=0) level, with the scheme of Stark-induced adiabatic Raman passage. As high as 75% of the excitation efficiency was achieved. This excitation technique promise to be a unique tool for crossed beam and beam-surface scattering experiments which aim to reveal the role of vibrational excitation of hydrogen molecules in the chemical reaction. 展开更多
关键词 Stark-induced adiabatic Raman passage D2 Vibrational excitation molecularbeam
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硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展 被引量:2
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作者 张理嫩 刘超 +1 位作者 崔利杰 曾一平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期241-247,共7页
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述... Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述了MBE生长的Si基高质量CdTe和CdZnTe单晶薄膜以及对其进行n型和p型掺杂实验的研究进展。着重介绍了美国EPIR公司对以p-Si为衬底的CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究成果,其光伏转换效率分别达到了16%和17%,分析了研制高效率Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池面临的技术问题和提高电池效率的可能途径。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族化合物材料 硅基 多结(MJ)太阳电池 分子束外延(MBE) 光伏效率
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通过调控范霍夫奇点在外延单层VSe_(2)中诱导出巡游铁磁性
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作者 宗君宇 董召阳 +17 位作者 黄俊伟 王开礼 汪琪玮 孟庆豪 田启超 邱小东 牟浴洋 王利 任伟 谢学栋 陈望 张永衡 王灿 李坊森 李绍春 李建新 袁洪涛 张翼 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第10期990-997,M0003,共9页
处在费米能级处的范霍夫奇点(van Hove singularity)由于具有发散的态密度特征可以诱导出巡游铁磁性.本文在SrTiO_(3)(111)衬底上外延生长单层VSe_(2)薄膜,并通过调控范霍夫奇点诱导出巡游铁磁性.作者通过角分辨光电子能谱技术直接观测... 处在费米能级处的范霍夫奇点(van Hove singularity)由于具有发散的态密度特征可以诱导出巡游铁磁性.本文在SrTiO_(3)(111)衬底上外延生长单层VSe_(2)薄膜,并通过调控范霍夫奇点诱导出巡游铁磁性.作者通过角分辨光电子能谱技术直接观测到了单层VSe_(2)中的范霍夫奇点能带结构.理论计算表明,当该范霍夫奇异点靠近费米能级时,可通过斯通纳(Stoner)不稳定性产生巡游铁磁性.实验上,作者利用SrTiO_(3)(111)在低温下极大增强的介电常数εr,通过界面电荷转移效应调控范霍夫奇点向费米能级处移动,并通过电输运测量观测到了3.3 K的巡游铁磁性转变.此外,通过改变薄膜层厚和更换衬底的方式,作者可以进一步调控界面电荷转移效果和范霍夫奇点的能量位置,并对巡游铁磁性进行调控.这项研究证明了范霍夫奇点可以成为巡游铁磁性的调控自由度,并拓展了二维磁体在未来电子信息技术的应用潜力. 展开更多
关键词 2D itinerant ferromagnetism Monolayer1T-VSe_(2)Van Hove singularity molecularbeam epitaxy Angle-resolved photoemission spectroscopy ELECTRONICTRANSPORT
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SrTiO3(001)衬底上单层FeSe超导薄膜的分子束外延生长 被引量:5
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作者 王萌 欧云波 +5 位作者 李坊森 张文号 汤辰佳 王立莉 薛其坤 马旭村 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期281-285,共5页
在以前工作的基础上,进一步研究了SrTiO3(001)(STO)衬底上单层FeSe超导薄膜的分子束外延生长.首先,通过去离子水刻蚀、盐酸溶液腐蚀和纯氧气氛中退火等步骤,获得台阶有序、具有单一TiO2终止的原子级平整表面的STO衬底,这是前提条件.这... 在以前工作的基础上,进一步研究了SrTiO3(001)(STO)衬底上单层FeSe超导薄膜的分子束外延生长.首先,通过去离子水刻蚀、盐酸溶液腐蚀和纯氧气氛中退火等步骤,获得台阶有序、具有单一TiO2终止的原子级平整表面的STO衬底,这是前提条件.这个过程中酸的选择和退火过程中氧的流量是最为关键的因素.其次,在FeSe薄膜的分子束外延生长中,选择适当的Fe源和Se源束流以及衬底温度是关键因素.如选择适当,生长模式为step-?ow生长,这时得到的FeSe薄膜将是原子级平整的.最后一步为退火,这个过程会增强FeSe薄膜结晶性以及它与SrTiO3衬底间的结合强度. 展开更多
关键词 SrTiO3(001) 单层FeSe薄膜 高温超导 分子束外延
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