低压Mosfet平台电压时间对图腾柱驱动电路拓扑影响对策研究

Mosfet平台电压时间是Mos管处于放大区的典型标志,Mos管不能很快进入开关状态,从而严重增加Mos管的开关损耗,导致Mos管发热量极大。针对上述问题,综合考虑图腾柱驱动电路的栅极电阻参数不同对Mosfet平台电压时间测量和Mos管关断期间浪涌电流di/dt对电容Cgs的影响,在保证系统稳定的前提下找出降低Mos管发热量的最佳平台时间。基于RLC串联谐振电路模型,适当增加Mos管栅极电阻来减少电容Cgs电压振荡,确保Mos管正常导通和关闭。设计并制作了电动车轮毂电机的低压Mosfet驱动电路实验样机,并做了相关的测试。实验结果表明:合适的平台电压时间降低了图腾柱驱动电路拓扑低压Mos管的发热损耗,开关管关断时候的di/dt明显降低,电路的整体效率得到提高。

基于自建测试平台的GaN基HEMT器件陷阱表征

陷阱效应是影响GaN基HEMT器件性能的主要因素之一。为了提高陷阱表征的精度和时间分辨率,采用瞬态电压法并搭建了专用的测试平台对陷阱进行表征,抑制了电压漂移现象,将时间分辨率从毫秒级提升至微秒级,扩大了陷阱的表征范围,同时基于贝叶斯反卷积算法提取陷阱的时间常数等信息。基于这种方法研究了GaN基HEMT中陷阱在不同电压和温度下的捕获行为,表征其时间常数和激活能等信息。实验结果表明,该器件中存在4种不同类型的陷阱,除了先前已经在B1505上证明的激活能分别为0.058、0.041eV的陷阱DP_(2)和DP_(3),本文还发现了位于微秒级的新陷阱DP_(1),激活能为0.063eV。本文通过搭建测试平台填补了微秒级陷阱表征的空缺,为陷阱的准确、快速表征提供了极大便利。

芯塔电子正式发布1200V/14mΩSiC MOSFET

近日,芯塔电子正式推出1200V/14mΩSiC MOSFET,主要应用于电动汽车主驱功率模块。据了解,1200V/14mΩSiC MOSFET的衬底、外延使用国产材料,晶圆流片及芯片封装均在国内完成。芯塔电子目前已推出650V/1200V/1700V多个电压平台的近40款SiC MOSFET系列产品,并拓展了TO-263-7、DFN 8×8、Toll等具有更小尺寸、更低寄生干扰、优异热管理能力及高可靠性的封装外形,部分产品已通过车规AEC-Q101及加严H3TRB双认证。

计及MOSFET关断过程的LLC变换器死区时间选取及计算

死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响,选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则,参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上,通过对MOSFET手册中数据的分析运用,精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值,最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观,实验结果亦验证了其正确性和有效性。

线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究

本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测 .

零电压开关移相全桥的死区时间计算与分析

在移相全桥变换器中,死区时间的长短对零电压开关(ZVS)的范围有较大影响,是变换器设计中需要最优化设计的重要参数。文中运用理论分析给出了实现ZVS所需的死区时间范围与负载电流、谐振电感、谐振电容等电路参数的函数关系,讨论了开关管关断过程中米勒平台对死区时间范围的影响,最后通过试验验证理论分析的正确性。

SKHI 71型Sevenpack IGBT和MOSFET驱动器

SKHI 61和SKHI 71是IGBT和MOSFET模块的6通道和7通道驱动器，能够直接焊接在PCB上。该驱动器在物理上是独立的。由于集成了工作必需的所有子部件，因而，除门控电阻器和‰电路外，再不需要任何外部元件。VCE阈值电压和消隐时间可根据用户的技术要求通过所集成的附加电阻器进行调节。互锁时间可以通过与连接器引脚的简单桥接进行调节。该驱动器备有独立的误差输入端，当接收到来自外部元件的误差信号(如过温信号)时，该误差输入端可即时关断。

在ZVS拓扑中选择最优的死区时间

中压和高压功率MOSFET在各种隔离式转换器拓扑中被广泛使用，例如，半砖或全桥整流，以及单端升压或同步降压稳压器。桥式整流可以是硬开关或软开关，但目前的大多数转换器使用零电压开关（ZVS），避免导通时的开关损耗。功率部分是一样的，只是需要对器件开启和关闭的次序进行调整。在宽输入电压DC／DC砖式转换器里，同步降压转换器一般用于前端预稳压，在ZVS模式中还用来开关低边MOSFET。

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。

大电流MOSFET栅极驱动器

该系列包括6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些驱动器增加了栅极驱动电流（UGATE的流出和吸入栅极驱动电流为4A，LGATE的吸入和流出电流则分别为6A和4A），可以缩短栅极电压上升、下降时间。

针对服务器与DC／DC电源系统的4A高速MOSFET驱动器

8引脚电源栅极驱动器，每相位40A电流 TPS28225驱动器以4．5～8．8V电压控制MOSFET栅极；在7～8V电压范围内，器件效率达到最高；具有14ns自适应停滞时间控制，14ns传输延迟时间，2A大电流电源以及4A吸入电流。

Intersil推出MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A

Intersil推出高频6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A，有助于为系统安全提供更高效率、灵活性和更多保护功能。新型驱动器增加了栅极驱动电流，可以缩短栅极电压上升、下降时间。这大限度地降低开关损耗并改善效率，尤其是在每相并联功率MOSFET的大电流应用当中。利用防止过充电的自举电容器、

镁合金微弧氧化过程中参数对成膜效果的影响和优化

研究了在镁合金微弧氧化过程中电解液浓度、电流密度、氧化时间等参数对生成膜性质的影响。发现在不同的电解液浓度、电流密度条件下,电压都具有峰值平台,但峰值的大小及持续时间随条件的改变而改变。若采用分阶段提升电流密度可使得在电压-时间曲线上获得多个峰值平台,同时控制氧化时间,从而能获得更好的膜层质量。

辐照对IGBT特性的影响

简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达１０１３ｎ／ｃｍ２时的实验结果。实验发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短、阈值电压漂移。对于所研究的注量范围，所观察的效应是由于ＩＧＢＴ少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。

测试延迟自动生成器

在电压调整器的测试中,测试设备提供的负载电流一般要经一定的时间延迟,才能达到规定值。为此,文章给出了一套在ASL-1000测试平台上开发的高精度、低成本的延迟时间自动生成电路,同时给出了其测试原程序。

双路输出 同步降压控制器

Maxim推出高性能、双路输出、同步降压控制器MAX15034，能够驱动外部MOSFET提供2路25A输出或单路50A输出。这种灵活性可使器件用于多种设计平台，从而减少了元件种类、降低了成本。此外，器件的输入电压范围为4．5V．5．5V或5．5V～28V，可用于5V和12V总线系统。器件针对大输出电流的应用进行了优化，可理想用于计算处理、电信、网络、存储和服务器设备。

效率高达98%的同步升压型控制器无需散热器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）近日推出同步升压型DC／DC控制器LTC3786，该器件以一个高效率N沟道MOSFET取代了升压二极管，这样就可以去掉中高功率升压型转换器中通常所需的散热器。在输人电压可能超过稳定输出电压的应用中，LTC3786能保持同步MOSFET连续接通，以便输出电压以最低功耗跟随输入电压。LTC3786的55μA低静态电流延长了电池供电应用在备用模式时的运行时间。这个控制器能以高达98％的效率从12V输入产生24V／5A输出，从而非常适用于汽车、工业和医疗应用，在这类应用中，升压型DC／DC转换器必须具有小的解决方案尺寸并产生很少的热量。

双路输出、同步降压控制器

Maxim Integrated Products推出高性能、双路输出、同步降压控制器MAX15034，能够驱动外部MOSFET提供2路25A输出或单路50A输出。这种灵活性可使器件适用于多种设计平台，从而减少了元件种类、降低了成本。此外，器件的输入电压范围为4.5-5.5V或5.5-28V，可用于5V和12V总线系统。器件针对大输出电流的应用进行了优化，

凌力尔特推出同步降压型DC／DC开关稳压控制器LTC3775

凌力尔特公司（Linear Teehnology Corporation）推出低的最小接通时间、宽输入电压范围、同步降压型DC／DC开关稳压控制器LTC3775，该器件可驱动所有N沟道功率MOSFET级。LTC3775具有不到30ns的最短接通时间，非常适用于高降压比应用。其4．5V至38V的输入范围可涵盖多种应用．包括大多数中间总线电压和电池化学组成。

负载开关FPF1005/6

FPF1005／6是飞兆公司推出的负载管理产品。它内部采用低导通阈值电压-VGs（th）及低导通电阻陆川的P沟道功率MOSFET，并采用导通斜率上升控制，可减小冲击电流，FPF1006内部有75-120Ω下拉电阻，可加速关断时间。