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Development and application of ferrite materials for low temperature co-fired ceramic technology 被引量:5
1
作者 张怀武 李颉 +3 位作者 苏桦 周廷川 龙洋 郑宗良 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第11期12-32,共21页
Development and application of ferrite materials for low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology are dis- cussed, specifically addressing several typical ferrite materials such as M-type barium ferrite, NiCuZ... Development and application of ferrite materials for low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology are dis- cussed, specifically addressing several typical ferrite materials such as M-type barium ferrite, NiCuZn ferrite, YIG ferrite, and lithium ferrite. In order to permit co-firing with a silver internal electrode in LTCC process, the sintering temperature of ferrite materials should be less than 950 ℃. These ferrite materials are research focuses and are applied in many ways in electronics. 展开更多
关键词 ferrite materials low temperature co-fired ceramic technology
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CuO added Pb_(0.92)Sr_(0.06)Ba_(0.02)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.25)(Ti_(0.53)Zr_(0.47))_(0.75)O_3 ceramics sintered with Ag electrodes at 900℃ for multilayer piezoelectric actuator 被引量:1
2
作者 Muhammad Adnan Qaiser Ahmad Hussain +4 位作者 徐玉青 汪尧进 王一平 杨颖 袁国亮 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第3期539-544,共6页
CuO added Pb0.92Sr0.06Ba0.02(Mg1/3Nb2/3)0.25(Ti0.53Zr0.47)0.75O3 ceramics were studied to prepare high-quality multilayer piezoelectric actuators with pure Ag electrodes at 900 ℃. CuO addition not only reduced th... CuO added Pb0.92Sr0.06Ba0.02(Mg1/3Nb2/3)0.25(Ti0.53Zr0.47)0.75O3 ceramics were studied to prepare high-quality multilayer piezoelectric actuators with pure Ag electrodes at 900 ℃. CuO addition not only reduced the sintering temperature significantly from 1260 ℃ to 900 ℃ but also improved the ceramic density to 7.742 g/cm3. The 0.7 wt.% CuO added ceramic sintered at 900 ℃ shows the remnant polarization (Pr) of 40 μC/cm2, 0.28% strain at 40 kV/cm, and the piezoelectric coefficient (d33) of 630 pC/N. This ceramic shows a strong relaxor characteristic with a Curie temperature of 200 ℃. Furthermore, the 0.7 wt.% CuO added ceramic and pure Ag electrodes were co-fired at 900 ℃ to prepare a high-quality multilayer piezoelectric actuator with a d33 of over 450 pC/N per ceramic layer. 展开更多
关键词 piezoelectric ceramics low-temperature co-fired ceramic multilayer piezoelectric actuators
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Multilayer Low Pass Filter Using LTCC Technology 被引量:1
3
作者 Xi-Dan Chen Ying-Li Liu Yuan-Xun Li 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2007年第4期374-377,共4页
The implementation and characteristics of a compact lumped-element three-order low pass filter are presented in this paper. The filter with 120 MHz cut off frequency, as well as more than 20 dB of the attenuation abov... The implementation and characteristics of a compact lumped-element three-order low pass filter are presented in this paper. The filter with 120 MHz cut off frequency, as well as more than 20 dB of the attenuation above 360 MHz frequency band is successfully manufactured in an LTCC substrate with 40 pm layer thickness. The overall size of the filter is 2.0 mm×1.2 mm×0.9 mm. A good coincidence between the measured results and the full-wave electromagnetic designed responses is observed. 展开更多
关键词 low pass filter low temperature co-fired ceramic (LTCC) lumped-element filter multilayer RF circuits.
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水基流延法制备片式PTC陶瓷 被引量:3
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作者 周东祥 陈文仿 +2 位作者 龚树萍 程书芬 刘欢 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期4-6,共3页
以PVA和PAA乳液为粘合剂,用水基流延法制备了BaTiO3基片式PTC陶瓷基片。研究了粘合剂、固相含量等对浆料黏度及流变行为的影响,同时对流延基片的干燥工艺、烧成曲线等也进行了研究。结果表明,将流延干燥后的基片,在1 320℃空气中烧结30 ... 以PVA和PAA乳液为粘合剂,用水基流延法制备了BaTiO3基片式PTC陶瓷基片。研究了粘合剂、固相含量等对浆料黏度及流变行为的影响,同时对流延基片的干燥工艺、烧成曲线等也进行了研究。结果表明,将流延干燥后的基片,在1 320℃空气中烧结30 min,所得PTC样品的升阻比大于6个数量级,温度系数大于16%/℃,能够满足叠层PTC器件的制备要求。 展开更多
关键词 电子技术 水基流延 PTC陶瓷 叠层 片式
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多层流延坯片的叠层工艺研究进展 被引量:1
5
作者 周丹 王少洪 +3 位作者 侯朝霞 王美涵 胡小丹 牛厂磊 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期98-102,共5页
流延坯片的叠层是多层陶瓷技术中最为重要的工艺之一。叠层工艺直接影响到电子器件三维结构(如通道、腔室及隔膜等)的质量。对叠层工艺如热压法叠层及其改进型技术、粘合基叠层、溶剂基叠层等进行综述,并对各种叠层方法的特点、研究进... 流延坯片的叠层是多层陶瓷技术中最为重要的工艺之一。叠层工艺直接影响到电子器件三维结构(如通道、腔室及隔膜等)的质量。对叠层工艺如热压法叠层及其改进型技术、粘合基叠层、溶剂基叠层等进行综述,并对各种叠层方法的特点、研究进展及应用进行叙述。 展开更多
关键词 流延坯片 叠层 多层陶瓷技术 三维结构 应用
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多层陶瓷电容器的技术现状及未来发展趋势 被引量:10
6
作者 王俊波 《绝缘材料》 CAS 2008年第3期30-32,36,共4页
重点介绍了片式多层陶瓷电容器(MLCC)的技术现状,综述了多层陶瓷电容器(MLCC)的小型化、高容量、贱金属化及环保化的发展趋势。
关键词 MLCC 技术现状 发展趋势
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电子封装技术和封装材料 被引量:38
7
作者 田民波 梁彤翔 何卫 《半导体情报》 1995年第4期42-61,共20页
本文介绍了电子封装的各种类型,综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势,重点讨论了高热导AIN基片金属化及AIN-W多层共烧工艺。
关键词 电子封装 ALN陶瓷 金属 表面安装技术
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不同结构和外形的多层陶瓷封装制作技术
8
作者 付花亮 王文琴 《电子器件》 CAS 1997年第1期629-632,共4页
本文从CAD设计、收缩率控制、定位方法、层压等方面简述了不同结构和外形的多层陶瓷封装的制作技术.
关键词 多层陶瓷封装 CAD 封装 陶瓷
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新一代星用多通道光导长波线列器件的多层陶瓷封装设计
9
作者 武文 刘大福 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2241-2245,共5页
介绍了红外杜瓦组件的总体封装形式并回顾了国内外的发展情况,对7通道长波光导线列器件在杜瓦瓶中的基板封装形式进行了研究,提出了三种基于厚膜工艺和薄膜工艺的陶瓷基板封装形式.其中,第一种"直接引线式封装"体积过大,第二... 介绍了红外杜瓦组件的总体封装形式并回顾了国内外的发展情况,对7通道长波光导线列器件在杜瓦瓶中的基板封装形式进行了研究,提出了三种基于厚膜工艺和薄膜工艺的陶瓷基板封装形式.其中,第一种"直接引线式封装"体积过大,第二种"陶瓷针型栅格阵列封装"形式缺少合适接插件,而第三种"分时分组封装"形式使用了薄膜和厚膜基板相键合分时读出的方式,不仅很好地解决了布线问题,而且能方便地使用柔性电缆将信号引出,系统性能要求得到满足. 展开更多
关键词 陶瓷多层基板 厚膜工艺 薄膜工艺 杜瓦封装
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MLCC表面贴装中墓碑现象的研究 被引量:2
10
作者 齐坤 赖永雄 李基森 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期72-74,共3页
墓碑现象是MLCC与PCB板焊接过程中一端离开焊区而向上方斜立或直立。主要原因是在焊接过程中MLCC两端的不平衡的润湿力。而不平衡润湿力产生的主要因素是:(1)MLCC两端不能同时熔融;(2)焊盘设计不合理。根据力学机理提出了保持MLCC的表... 墓碑现象是MLCC与PCB板焊接过程中一端离开焊区而向上方斜立或直立。主要原因是在焊接过程中MLCC两端的不平衡的润湿力。而不平衡润湿力产生的主要因素是:(1)MLCC两端不能同时熔融;(2)焊盘设计不合理。根据力学机理提出了保持MLCC的表面清洁,注意合理的焊盘设计、避免焊膏的活性减弱和确保MLCC两端同时熔融的解决措施。该措施能有效防止墓碑现象,并在实际生产中取得了良好的效果。 展开更多
关键词 电子技术 片式叠层陶瓷电容器 表面贴装 墓碑现象
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MLC生产技术发展概述 被引量:1
11
作者 向勇 王振平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第4期10-13,共4页
对国内外MLC生产技术中的无损检测技术、自动化生产与测试技术、高压产品的设计与制作工艺、新型超薄陶瓷生膜技术等方面的发展与现状进行了概述。
关键词 多层陶瓷电容器 生产技术 陶瓷电容器 电容器
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片式高压多层瓷介电容器最新进展 被引量:2
12
作者 向勇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1996年第5期5-10,共6页
片式高压多层瓷介电容器(MLCC)的研制生产水平已达额定直流电压0.5~20kV。额定交流电压220~1100V,标称电容量范围为:0.5pF~0.15μF(C0G),47pF~2.2μF(X7R)。产品技术标准尚未... 片式高压多层瓷介电容器(MLCC)的研制生产水平已达额定直流电压0.5~20kV。额定交流电压220~1100V,标称电容量范围为:0.5pF~0.15μF(C0G),47pF~2.2μF(X7R)。产品技术标准尚未统一纳入国际标准体系。高压ML-CC在V-C、TVC(温度、偏压、容量关系)、耐电压及电晕等性能和试验方法方面有特殊要求,设计制造技术有独到之处。高压MLCC的包装和使用须严格控制工艺过程。 展开更多
关键词 多层陶瓷电容器 高压电容器 MLCC
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Effect of Li_(2)CO_(3)addition on structural and electrical properties of 0.7BiFeO_(3)-0.3BaTiO_(3)piezoelectric ceramic
13
作者 Hongbo Liu Jianguo Chen 《Journal of Advanced Dielectrics》 2022年第6期18-23,共6页
In this work,Li_(2)O_(3)was added into 0.7BiFeO_(3)-0.3BaZr_(0.02)Ti_(0.98)O_(3)-0.01molMnO_(2)(70BFBTMn)piezoelectric ceramics to reduce their sintering temperatures.70BFBTMn ceramics were sintered by a conventional ... In this work,Li_(2)O_(3)was added into 0.7BiFeO_(3)-0.3BaZr_(0.02)Ti_(0.98)O_(3)-0.01molMnO_(2)(70BFBTMn)piezoelectric ceramics to reduce their sintering temperatures.70BFBTMn ceramics were sintered by a conventional solid reaction method,and their structural,dielectric,piezoelectric and ferroelectric properties were studied.These results indicate that 0.5%(mole)Li_(2)O_(3)is the optimized content and it can reduce the sintering temperature by 100°C,making the possibility of the piezoelectric ceramics cofiring with Ag electrodes at low temperatures to manufacture multilayer piezoelectric actuators. 展开更多
关键词 Piezoelectric ceramics BiFeO3-BaTiO3 low temperature co-fired ceramic technology.
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采用水基黏合剂制作MLCC工艺的研究 被引量:1
14
作者 宋子峰 《电子工艺技术》 2008年第6期338-339,345,共3页
采用水基PVA黏合剂为主要原材料,研究了水基PVA黏合剂在瓷浆制备、流延、生坯层压等关键工艺,制作出MLCC,并与溶剂型PVB黏合剂MLCC比较。结果表明:采用水基PVA黏合剂能够制作出性能良好的MLCC。
关键词 片式多层陶瓷电容器(MLCC) 水基黏合剂 瓷浆制备技术 流延工艺 层压工艺
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影响Ni/Cu电极Y5V MLCC耐焊接热失效的原因
15
作者 齐坤 赖永雄 李基森 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期60-62,共3页
研究了铜电极端浆以及不同的烧端工艺对MLCC耐焊接热的影响。结果表明:选择粒径小且均匀的片状铜粉,可提高MLCC端头的致密性,提升其耐焊接热能力;选用Zn-B-Si作为玻璃体系,对片容的耐焊接热具有明显的改善作用;在端头不被氧化的前提下,... 研究了铜电极端浆以及不同的烧端工艺对MLCC耐焊接热的影响。结果表明:选择粒径小且均匀的片状铜粉,可提高MLCC端头的致密性,提升其耐焊接热能力;选用Zn-B-Si作为玻璃体系,对片容的耐焊接热具有明显的改善作用;在端头不被氧化的前提下,烧端工序充足的氧含量对改善耐焊接热具有积极作用。通过以上改进,在实际生产中RSH失效率已由改进前的100×10–6以上降到了5×10–6以下。 展开更多
关键词 电子技术 Ni/Cu MLCC 铜端浆 粒径 耐焊接热
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多层共烧陶瓷孔壁金属化工艺常见缺陷分析
16
作者 李伟 王元仕 郭婷婷 《电子工业专用设备》 2022年第3期14-17,共4页
对多层共烧陶瓷封装用零部件制造过程中的孔壁金属化工艺开发了专用工装设备,并介绍了主要结构原理及其工艺技术难点。就设备生产使用过程中的常见缺陷形式进行了记录,分析了其成因和预防要点,为后续工艺提高及判断提供了基础研究。
关键词 多层共烧陶瓷技术 孔壁金属化 缺陷分析
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多层界面相陶瓷基复合材料裂纹偏转机制模拟 被引量:7
17
作者 方光武 高希光 宋迎东 《航空动力学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1805-1812,共8页
针对多层界面相陶瓷基复合材料(CMCs)裂纹偏转机制进行了有限元模拟。在圆柱单胞模型中,按照界面相各亚层的实际厚度建立多层界面相几何模型,然后赋予各亚层对应的组分材料参数,获取轴对称有限元模型。在此基础上,采用虚拟裂纹闭合技术(... 针对多层界面相陶瓷基复合材料(CMCs)裂纹偏转机制进行了有限元模拟。在圆柱单胞模型中,按照界面相各亚层的实际厚度建立多层界面相几何模型,然后赋予各亚层对应的组分材料参数,获取轴对称有限元模型。在此基础上,采用虚拟裂纹闭合技术(VCCT)分别计算基体裂纹在界面相处偏转与穿透两种情形的能量释放率Gd和Gp,根据断裂力学准则实现对裂纹在多层界面相内部偏转机制的分析。可以看出:各向异性界面相比各向同性界面相内部的Gd/Gp比值更大,更利于裂纹偏转的发生;总厚度相同的多层界面相与单层界面相相比,其内部的Gd/Gp比值更高,裂纹在其内部发生偏转的机会更多,且五层界面相(PyC/SiC/PyC/SiC/PyC)比三层界面相(PyC/SiC/PyC)更利于裂纹发生偏转。 展开更多
关键词 陶瓷基复合材料 多层界面相 裂纹 偏转 虚拟裂纹闭合技术(VCCT)
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