PECVD 制程中N+ A-SI Layer沉积最佳工艺参数的探究

本文采取4因子4水平田口设计,用等离子体增强化学气相沉积法制备了沉积在白玻璃上的单层N+A-SI:H薄膜,测试了薄膜的应力,膜厚,折射率,透过率,及SI-H/N-H键含量,综合评价不同参数配比条件下N+A-SI:H单层膜的膜质表现,针对比较重要的参数:沉积速率,Thickness Uniformity,SI-H键含量进行了田口分析,两阶段策略优化选出PECVD制程中的N+A-SI layer的最佳参数配比为:Pressure-385.7 Pa,Spacing-20.32 mm,RF Power-13000W,Gas Ratio-3.12。