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N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响
被引量:
3
1
作者
张炯
李瑞伟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期469-472,共4页
从模拟和试验二方面对 N- 区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究 .考虑到工艺条件 ,主要讨论 N-区的掺杂浓度 ( NN- )的变化对器件可靠性的影响 .通过模拟和从实际工作中得到的结果 ,对于 0 .35— 1 .2μm器件 ,我们将 N-...
从模拟和试验二方面对 N- 区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究 .考虑到工艺条件 ,主要讨论 N-区的掺杂浓度 ( NN- )的变化对器件可靠性的影响 .通过模拟和从实际工作中得到的结果 ,对于 0 .35— 1 .2μm器件 ,我们将 N- 区的掺杂浓度优化为 7× 1 0 17— 1×1 0 18/cm3.利用优化结果进行试验生产 ,并对器件寿命进行测量的结果表明 ,沟道长度 0 .8μm以上的均可以在 5V的电源电压下可靠地工作 1 0年 (工业标准 ) ;0 .4μm的器件 ,可以在 4V的电源电压下达到 1 0年的工作寿命 (热载流子寿命 ) .
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关键词
热载流子
寿命
NMOSFETS
N^-
掺杂
浓度
下载PDF
职称材料
题名
N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响
被引量:
3
1
作者
张炯
李瑞伟
机构
清华大学微电子所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期469-472,共4页
基金
国家"八五"和"九五"计划资助项目
文摘
从模拟和试验二方面对 N- 区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究 .考虑到工艺条件 ,主要讨论 N-区的掺杂浓度 ( NN- )的变化对器件可靠性的影响 .通过模拟和从实际工作中得到的结果 ,对于 0 .35— 1 .2μm器件 ,我们将 N- 区的掺杂浓度优化为 7× 1 0 17— 1×1 0 18/cm3.利用优化结果进行试验生产 ,并对器件寿命进行测量的结果表明 ,沟道长度 0 .8μm以上的均可以在 5V的电源电压下可靠地工作 1 0年 (工业标准 ) ;0 .4μm的器件 ,可以在 4V的电源电压下达到 1 0年的工作寿命 (热载流子寿命 ) .
关键词
热载流子
寿命
NMOSFETS
N^-
掺杂
浓度
Keywords
hot carrier
lifetime
MOS
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响
张炯
李瑞伟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
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职称材料
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