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结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响
被引量:
1
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作者
刘蓉容
池雅庆
窦强
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2017年第12期2176-2184,共9页
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的...
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著。同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著。
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关键词
n’-n结
P’-P
结
P
n
结
单粒子瞬态
PMOS
n
MOS
脉冲宽度
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职称材料
题名
结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响
被引量:
1
1
作者
刘蓉容
池雅庆
窦强
机构
国防科技大学计算机学院
出处
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2017年第12期2176-2184,共9页
文摘
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著。同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著。
关键词
n’-n结
P’-P
结
P
n
结
单粒子瞬态
PMOS
n
MOS
脉冲宽度
Keywords
n
+
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ju
n
ctio
n
P+-P ju
n
ctio
n
P
n
ju
n
ctio
n
si
n
gle-eve
n
t tra
n
sie
n
t (SET)
PMOS
n
MOS
pulse width
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响
刘蓉容
池雅庆
窦强
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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