N型氮化镓的结构和光电导特性

采用透射电镜高分辨反射电子衍射、扫描电镜形貌观察、X射线衍射等不同方法测试了不同Mg含量的N型氮化镓薄膜的结构。几种测试方法的比较表明 ,高分辨反射电子衍射是确定厚衬底的薄膜结构的快速而简便的方法 。

Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究

通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升，到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti／Al／Ni／Au形成的接触电阻低达9．65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。

掺杂GaN的湿法刻蚀研究

对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结,回顾了不同的湿法刻蚀技术,包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀。从掺杂GaN的生长过程、表面化学组分和光电性质出发,深入地分析了湿法刻蚀的特性,对比了不同刻蚀方法的原理和效果。考虑到p-GaN的表面氧化层比较厚,接触电阻较大,能带向下弯曲不能进行光增强湿法刻蚀,重点阐述了p-GaN的传统湿法刻蚀和n-GaN的紫外光增强湿法刻蚀技术。与传统化学刻蚀相比,光增强湿法刻蚀具有更为广阔的前景。结合GaN基半导体器件的制作,对湿法刻蚀的主要应用进行了较为详细的归纳。目前,湿法刻蚀和干法刻蚀可以有效结合。将来湿法刻蚀有希望代替干法刻蚀。

发光二极管

2901073氮化物LED制造【专利】／璨圆光电HCN1622345A。一种氮化物发光二极管的结构及其制造方法。首先，提供一成长基板，然后，在基板上形成-氮化镓系半导体磊晶层，此氮化镓系半导体磊晶层次依次层叠有-N型氮化镓系局银层、-发光层及-P型氮化镓系接触层，在P型氮化镓系局限层上形成一数码穿透层。接着，再以干蚀刻法依次蚀刻数码穿透层、