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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究
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作者 黄龙 《新疆大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第2期130-132,共3页
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随... 用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. 展开更多
关键词 III-V族化合物半导体 高能重离子辐照 正电子湮没寿命谱 n型gap P型InP 辐照缺陷 磷化镓 磷化铟
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