期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
N掺杂SiO_2纳米薄膜的制备及其磁性
1
作者
周鸿娟
甄聪棉
+3 位作者
张永进
赵翠莲
马丽
侯登录
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期3499-3503,共5页
利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35emu/cm3...
利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35emu/cm3和75Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献.
展开更多
关键词
n掺杂sio2薄膜
射频磁控反应溅射
界面磁性
基底温度
原文传递
题名
N掺杂SiO_2纳米薄膜的制备及其磁性
1
作者
周鸿娟
甄聪棉
张永进
赵翠莲
马丽
侯登录
机构
河北省新型薄膜材料实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期3499-3503,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:10804026和10774037)
河北省自然科学基金(批准号:E2007000280)资助的课题~~
文摘
利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35emu/cm3和75Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献.
关键词
n掺杂sio2薄膜
射频磁控反应溅射
界面磁性
基底温度
Keywords
n
doped
sio
2
thi
n
films
radio freque
n
cy mag
n
etro
n
reactio
n
sputteri
n
g
i
n
terface mag
n
etism
substrate temperature
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N掺杂SiO_2纳米薄膜的制备及其磁性
周鸿娟
甄聪棉
张永进
赵翠莲
马丽
侯登录
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部