反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

研究了反向衬底偏压VB下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流IGMG特性,发现IGMG曲线的上升沿与下降沿随着|VB|的增大向右漂移.基于实验和理论模型分析,得出了VB与这种漂移之间的物理作用机制,漂移现象的产生归因于衬底偏压VB调节了表面电势φs在栅电压VG中的占有比重:|VB|增大时相同VG下φs会变小,φs的变化继而引发上升沿产生率因子gr减小以及下降沿产生率因子gf增大.进一步发现IGMG上升沿与下降沿的最大跨导GMR,GMF在对数坐标系下与VB成线性关系,并且随着|VB|增加而增大.由于漏电压VD在IGMG上升沿与下降沿中的作用不同,三种VD下GMR-VB曲线重合而GMF-VB曲线则产生差异.增大VD会增强gf随VG的变化,因此使得给定VB下的GMF变大.同时这却导致了更大VD下GMF-VB曲线变化的趋势减缓,随着VD从0.2 V变为0.6 V,曲线的斜率s从0.09减小到0.03.

单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型

本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电压模型中,使得所建立的模型能直观地反映出源漏电流特性与应力强度的关系.并且对于亚阈区电流模型,基于亚阈区反型电荷,而不是采用常用的有效沟道厚度近似的概念,从而提高了模型的精度.同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型的可行性.该模型已经被嵌入进电路仿真器中,实现了对单轴应变Si MOSFET器件和电路的模拟仿真.

γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响

基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了有价值的理论指导与实践基础.

非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展

薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。

安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容

推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）,针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。 这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS（on）值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30VN沟道功率MOSFET

应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor）扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。

意法半导体低压N沟道场效应MOS晶体管

意法半导体公司(STMicroelectonics)推出多个基于其STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管，这些产品的设计目标是超高开关频率的应用。

安森美半导体将推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器

2005年3月15日，上海电子功率器件、智能传送、电源质量国际研讨会与博览会(PCIM China 2005)，全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体宣布，将推出NCP4330后稳压、双N沟道MOSFET驱动器，能提高常用于ATX和高功率开关电源(SMPS)的正激转换器的效率。

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET

安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30V产品。

飞兆半导体N沟道MOSFET系列产品——FDS881XNZ 为笔记本电脑和便携式电池组保护设计提供90%更高的ESD性能

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出全新的高效N沟道MOSFET系列．提供高达8kV的ESD（HBM）电压保护，较市场现有器件高出90％。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用（如笔记本电脑和手机）的最新架构。

飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，

安森美半导体中压N沟道MOSFET

安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on)值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164p F的门极电容(Ciss),确保保持尽可能低的驱动损耗。

N_(2)O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响

通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备.研究了N_(2)O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究.结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性.高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以有效抵抗铝酸的刻蚀,未发现明显的成分偏析现象.进一步的X射线光电能谱测试表明,N_(2)O等离子体处理能在界面处形成一个富氧、低载流子浓度的界面层.其一方面可以有效抵抗器件在沉积氧化硅钝化层时等离子体对背沟道的损伤;另一方面作为氢的钝化体,抑制了低能级施主态氢的产生,为低成本、高效的薄膜晶体管性能优化方式提供了重要参考.

保护层对背沟道刻蚀型金属氧化物IGZO TFT性能的研究

研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZO TFT性能及其稳定性的影响。结果显示,在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移。通过数据分析得知,保护层对水汽的阻挡能力直接影响到IGZO TFT的性能和稳定性。通过优化TFT的保护层,可以有效阻挡水汽渗透到背沟道表面形成缺陷态,提升IGZO TFT器件的稳定性。

安森美半导体推出新型低压沟道MOSFET

安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻，整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30％。

渐变沟道全耗尽SOI MOSFET漏致势垒降低效应研究

目的 集SOI MOSFET(绝缘衬底上的硅金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构与渐变沟道的优点于一体,提出渐变沟道全耗尽SOI MOSFET器件结构,以提高MOSFET器件的微观物理性能。方法 分别列出沟道不同掺杂浓度的2个区域的泊松方程并求解,建立阈值电压模型。依据计算结果,详细分析沟道高掺杂区的掺杂浓度和掺杂长度、栅氧化层的介电常数、硅膜厚度等物理参数对漏致势垒降低(DIBL)效应的影响。结果 DIBL随沟道高掺杂区的掺杂浓度的增大而变小,随掺杂长度的减小而变小,随栅氧化层的介电常数的增大而变小,随硅层厚度减薄而变小。结论 渐变掺杂沟道结构能够有效抑制器件的DIBL。该研究结果不仅对器件的理论研究有一定的意义,而且对器件的设计提供了一定的参考价值。

反应动力学理论和N型金属氧化物点缺陷的统计分布

提出了用反应动力学理论来研究半导体点缺陷的统计分布的理论 .给出了 N型半导体施主分布的 Fermi公式 ,N型金属氧化物氧空位 Vo×,Vo+ ,Vo+ + 的浓度公式和吸附氧负离子浓度 [O2 - ],[O- ]的公式 .提出一种用来研究有两次电离过程的 N型金属氧化物 Fermi能级变化范围的方法 ,给出 Ed 2 - k Tln2 <EF<Ed1 - k Tlngd1 的结果 .讨论了在气敏晶体表面 O- 的产生问题 ,给出 O- 不可能在完整晶体表面产生的结论 .

N型金属氧化物晶体 Poisson 方程的解

提出了任意形状、无量纲ｎ型晶体的Ｐｏｉｓｓｏｎ方程：ｄ２ψｄｙ２＋η－１ｙｄψｄｙ＝１－Ｒｅ－ψ（η＝１～３，０≤Ｒ≤１），并用微扰理论对其进行了求解．

应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究

建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅层厚度,可以增加沟道应变。此外,应变量还随器件结构长度的增加而增加。研究结果可为应变硅器件的设计、工艺优化提供参考依据。

安森美半导体推出新型高密度沟槽MOSFET

安森美半导体（ON Semieonductor，）推出24款新的30伏（V）、N沟道沟槽（Trench）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这些MOS—FET采用DPAK、SO-8FL、？8FL及SOIC-8封装，为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。